碳化硅外延片全球首个SEMI国际标准发布，瀚天天成主导

国际半导体产业协会（semi）正式公布了世界最早的“碳化硅半导体外延晶片全球首个semi国际标准——《4H-SiC同质外延片标准》 （specification for 4h-sic homoepitaxial wafer）”。该标准由瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司主导编写，中国科学院半导体研究所，株洲中车时代电气股份有限公司，wolfspeed等12家公司参与编写，历时3年。

据了解，《4H-SiC同质外延片标准》这一国际标准的发布和实施，将在规范国际硅电石半导体外延行业有序发展，在降低国际贸易合作成本，加快新技术全球推广等方面具有深远意义。