国际半导体产业协会(semi)正式公布了世界最早的“碳化硅半导体外延晶片全球首个semi国际标准——《4H-SiC同质外延片标准》 (specification for 4h-sic homoepitaxial wafer)”。该标准由瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司主导编写,中国科学院半导体研究所,株洲中车时代电气股份有限公司,wolfspeed等12家公司参与编写,历时3年。
据了解,《4H-SiC同质外延片标准》这一国际标准的发布和实施,将在规范国际硅电石半导体外延行业有序发展,在降低国际贸易合作成本,加快新技术全球推广等方面具有深远意义。
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