科锐首席执行官Gregg Lowe表示：“英飞凌具有很好的美誉度，是我们长期且优质的商业伙伴。这项协议的签署，体现了科锐SiC碳化硅晶圆片技术的高品质和我们的产能扩充，同时将加速SiC碳化硅基方案更为广泛的采用，这对于实现更快、更小、更轻、更强大的电子系统至关重要。”
2018-04-04 09:00:59
8214 。科锐是碳化硅（SiC）半导体全球领先企业，德尔福科技是汽车动力推进技术全球供应商，双方的此次合作将通过采用碳化硅（SiC）半导体器件技术，为未来电动汽车（EV）提供更快、更小、更轻、更强劲的电子系统。 科锐碳化硅（SiC）基金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术与德
2019-09-10 11:05:409012 2019年9月23日，作为碳化硅（SiC）技术全球领先企业的科锐（Cree），于今日宣布计划在美国东海岸创建碳化硅（SiC）走廊，建造全球最大的碳化硅（SiC）制造工厂。科锐将在美国纽约州Marcy
2019-09-24 09:59:049034 众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于
2023-04-06 16:19:012204 
碳化硅（SiC），通常被称为金刚砂，是唯一由硅和碳构成的合成物。虽然在自然界中以碳硅石矿物的形式存在，但其出现相对罕见。然而，自从1893年以来，粉状碳化硅就已大规模生产，用作研磨剂。碳化硅在研磨领域有着超过一百年的历史，主要用于磨轮和多种其他研磨应用。
2023-09-08 15:24:023024 
科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破，为更多大功率应用带来更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在内的科锐大功率碳化硅MOSFET器件降低电力电子系统成本并提升能效
2012-05-10 09:27:161341 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）最近比亚迪品牌及公关处总经理李云飞透露，比亚迪新建碳化硅工厂将成为行业最大的工厂，该工厂将会在今年下半年投产，产能规模全球第一，是第二名的十倍。 比亚迪是国内最早
2024-06-27 00:58:008281 极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料，SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点，SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅（SiC）具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点，被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料
2020-09-24 16:22:14
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
员要求的更低的寄生参数满足开关电源（SMPS）的设计要求。650V碳化硅场效应管器件在推出之后，可以补充之前只有1200V碳化硅场效应器件设计需求，碳化硅场效应管（SiC MOSFET）由于能够实现硅
2023-03-14 14:05:02
，因此碳化硅功率器件有低的结到环境的热阻。 (4)碳化硅器件可工作在高温，碳化硅器件已有工作在600oC的报道，而硅器件的最大工作温度仅为150oC. (5)碳化硅具有很高的抗辐照能力。 (6
2019-01-11 13:42:03
，热导率是硅的10倍。 SiC在所有重要方面都优于硅 这为碳化硅器件开辟了广泛的应用领域，在5G/数据中心等空间受限和节能领域，低损耗是应用的推动力;在电动汽车领域，更高的牵引逆变器效率意味着更小
2023-02-27 14:28:47
讨论一下SiC器件。 碳化硅，不那么新的材料 第一次记录在案的SiC材料实验是在1849年左右，这种材料已经广泛用于防弹背心或磨料。IGBT的发明者之一早在1993年就讨论了与硅（Si）器件相比
2023-02-24 15:03:59
反向恢复电流，其关断过程很快，开关损耗很小。由于碳化硅材料的临界雪崩击穿电场强度较高，可以制作出超过1000V的反向击穿电压。在3kV以上的整流器应用领域，由于SiC PiN二极管与Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
200V，但是碳化硅肖特基二极管能拥有较短恢复时间实践，同时在正向电压也减少，耐压也大大超过200V，典型的电压有650V、1200V等，另外在反向恢复造成的损耗方面碳化硅肖特基二极管也有很大优势。在
2020-06-28 17:30:27
的碳化硅压敏电阻由约90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合剂和添加剂制成。将原材料制成各种几何尺寸的压敏电阻，然后在特定的大气和环境条件下在高温下烧结。然后将一层黄铜作为电触点喷上火焰。其他标准
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
。抗氧化性也是所有非氧化物陶瓷中好的。是极其优秀的陶瓷材料。碳化硅（SiC）的市场前景随着信息科技的飞速发展，我国对半导体需求越来越多，我国已经成为全球最大的半导体消费国，半导体消费量占全球消费量的比重
2021-01-12 11:48:45
。强氧化气体在1000℃以上与SiC反应，并分解SiC.水蒸气能促使碳化硅氧化在有50%的水蒸气的气氛中，能促进绿色碳化硅氧化从100℃开始，随着温度的提高，氧化程度愈为明显，到1400℃时为最大
2019-07-04 04:20:22
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料，为什么应用的领域会受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
，能够有效降低产品成本、体积及重量。 碳化硅具有载流子饱和速度高和热导率大的特点，应用开关频率可达到1MHz，在高频应用中优势明显，其中碳化硅肖特基二极管（SiC JBS）耐压可以达到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
已经成为全球最大的半导体消费国，半导体消费量占全球消费量的比重超过40%，其中以碳化硅材料（SiC）为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国
2021-03-25 14:09:37
美国面料展，美国纽约面料展，021-63121982，出口美国面料市场首选展览会，美国最大的面料采购展览会之一。我公司负责美国面料展的摊位订购，独立设计美国纽约面料展览会的摊位设计以及独立国外搭建
2008-12-08 13:30:49
USA/美国面料展览会/美国纽约面料展会/纽约面料展会/美国面料展会[BR]美国面料展，美国纽约面料展，021-63121871，出口美国面料市场首选展览会，美国最大的面料采购展览会之一。我公司负责
2009-06-12 10:24:02
供应商，于2006年七月在美国纽约举办首届针对当地市场的专业面辅料博览会,取得巨大的成功！该展会前身是国际知名纤维制造商Lenzing蓝精集团旗下著名的供应商展览会 Innovation Asia。五年
2009-03-25 14:54:20
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
）------------------------------------------------------------------------------------------------会议主题：罗姆 SiC（碳化硅）功率器件的活用直播时间：2018
2018-07-27 17:20:31
，利用SiC MOSFET来作为永磁同步电机控制系统中的功率器件，可以降低驱动器损耗，提高开关频率，降低电流谐波和转矩脉动。本项目中三相逆变器拟打算使用贵公司的SiC MOSFET，验证碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显著提高电能利用率。SiC器件的典型应用领域包括：新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网等现代工业领域，在
2023-10-07 10:12:26
*附件：国产SiC碳化硅MOSFET功率模块在工商业储能变流器PCS中的应用.pdf
2025-01-20 14:19:40
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
具有决定性的影响。因此，深入理解栅极氧化层的特性，并掌握其可靠性测试方法，对于推动碳化硅 MOSFET的应用和发展具有重要意义。今天的“SiC科普小课堂”将聚焦于“栅极氧化层”这一新话题：“什么是栅极
2025-01-04 12:37:34
应用领域，SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
电机驱动。碳化硅器件和碳化硅模组可用于太阳能发电、风力发电、电焊机、电力机车、远距离输电、服务器、家电、电动汽车、充电桩等用途。创能动力于2015年在国内开发出6英寸SiC制造技术，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
，换向电感只能在DBC设计的限制范围内得到改善。由此产生的换向电感约为 20nH，对于 6 组功率模块，这允许在中低功率范围内使用全 SiC 模块。在全碳化硅中，MiniSKiiP 提供 25A 至
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。 该器件将传统
2023-02-28 16:48:24
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
SiC材料，而且 R 值大，在热循环中更不容易断裂，也是一种适合碳化硅器件高温工作的绝缘材料，但其λ值较低，而且成本很高，限制了其广泛的应用。为提高陶瓷基板覆铜层的可靠性，覆铝陶瓷板(DBA)以及活性
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题，解决各行业遇到的各种芯片散热问题，如果你有类似的困惑，欢迎前来探讨，铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热，高刚度，高耐磨，低膨胀，低密度，低成本，适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流，谢谢各位！
2016-10-19 10:45:41
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05:05
风险，配置合适的短路保护电路，可以有效减少开关器件在使用过程中因短路而造成的损坏。与硅IGBT相比，碳化硅MOSFET短路耐受时间更短。 1）硅IGBT： 硅IGBT的承受退保和短路的时间一般小于
2023-02-27 16:03:36
°C。系统可靠性大大增强，稳定的超快速本体二极管，因此无需外部续流二极管。三、碳化硅半导体厂商SiC电力电子器件的产业化主要以德国英飞凌、美国Cree公司、GE、ST意法半导体体和日本罗姆公司、丰田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
使用绝缘栅双极晶体管（IGBT）。但随着半导体技术的进步，碳化硅 （SiC） 金属氧化物半导体场效应晶体管 （MOSFET） 能够以比 IGBT 更高的频率进行开关，通过降低电阻和开关损耗来提高效率
2022-11-02 12:02:05
作为某新能源车企的电机控制系统工程师，我的日常总绕不开碳化硅（SiC）器件的双脉冲测试。三年前用传统差分探头测上管Vgs的经历堪称“噩梦”每当开关动作时，屏幕上跳动的±5V震荡波形，让我误以为
2025-04-15 14:14:16
碳化硅（SiC）MOSFET 是基于宽禁带半导体材料碳化硅（SiC）制造的金属氧化物半导体场效应晶体管，相较于传统硅（Si）MOSFET，具有更高的击穿电压、更低的导通电阻、更快的开关速度以及更优
2025-04-08 16:00:57
碳化硅(SiC)基地知识
碳化硅又称金钢砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料
2009-11-17 09:41:491558 碳化硅功率器件市场领先者科锐公司 (Nasdaq: CREE) 继续其在碳化硅功率器件向主流功率应用的推广。与硅功率器件相比，科锐先进的碳化硅技术可降低系统成本、提高可靠性，并为能源效
2011-10-12 09:30:281466 硅与碳的唯一合成物就是碳化硅 （SiC），俗称金刚砂。 SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不过，自 1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。 碳化硅用作研磨剂已有一百多年的历史，主要用于磨轮和众多其他研磨应用
2017-05-06 11:32:45
54 硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2018-04-11 11:37:005762 
Cree， Inc. （Nasdaq： CREE）宣布，作为公司长期增长战略的一部分，将投资10亿美元用于扩大SiC（碳化硅）产能，在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化
2019-05-14 10:24:444139 随着汽车电子、工控等应用领域蓬勃发展，市场对碳化硅（SiC）的需求持续增长，国内外碳化硅企业陆续扩产，日前碳化硅大厂Cree（科锐）也宣布将投资10亿美元扩大碳化硅产能。
2019-05-08 16:40:054715 2019年5月7日，美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 – Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，作为公司长期增长战略的一部分，将投资10亿美元用于扩大SiC碳化硅产能，在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料超级工厂。
2019-05-10 09:15:194109 近日，科锐在官网宣布扩产计划进展，表示将在美国纽约州建造全球最大SiC制造工厂。
2019-09-26 17:15:086662 科锐目前正在美国纽约州Marcy建造全球最大的碳化硅 （SiC） 制造工厂。这一全新的、采用领先前沿技术的功率和射频制造工厂将满足车规级标准和200mm工艺。
2020-08-31 11:46:031319 在科锐 (Cree, Inc., 美国纳斯达克上市代码: CREE)，我们正在推进从硅 (Si) 向碳化硅 (SiC) 的产业转型。为了满足日益增长的对于我们开创性 Wolfspeed 技术的需求
2020-09-15 13:56:162947 位于美国纽约州的新工厂扩大 Wolfspeed 制造产能，满足从汽车到工业等诸多应用对于 SiC 器件急剧增长的需求。
2022-04-27 15:53:49798 来源：中国电子报 日前，国际碳化硅大厂安森美宣布，其在捷克Roznov扩建的碳化硅工厂落成，未来两年内产能将逐步提升。另一家碳化硅大厂Wolfspeed也表示将在美国北卡罗来纳州建造一座价值数十
2022-10-08 17:02:251660 碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体材料可用于制造芯片，这是半导体行业的基石。碳化硅是通过在电阻炉中高温熔化石英砂，石油焦，锯末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4430593 功率半导体碳化硅（SiC）技术 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技术的需求继续增长，这种技术可以最大限度地提高当今电力系统的效率
2023-02-15 16:03:4410 SiC碳化硅功率半导体器件具有耐压高、热稳定好、开关损耗低、功率密度高等特点，被广泛应用在电动汽车、风能发
电、光伏发电等新能源领域。
近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移
2023-02-16 15:28:255 我们拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二极管和碳化硅MOSFET展开说明。碳和硅进过化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成为粉末，碳化硅粉末经过碳化硅单晶生长成为碳化硅晶锭；碳化硅晶锭
2023-02-21 10:04:113178 
什么是第三代半导体？我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体，这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二极管
2023-02-21 10:16:473722 介绍了SIC碳化硅材料的特性，包括材料结构，晶体制备，晶体生长，器件制造工艺细节等等。。。欢迎大家一起学习
2023-03-31 15:01:4818 来源：碳化硅芯观察对于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:203965 
SHINRY是全球最早实现碳化硅并批量交付的企业之一，开发的碳化硅双向OBC产品出货量已过百万件，使用SiC MOSFET的氢燃料电池汽车DCF（DC/DC Converter for Fuel Cell）市场份额超过50%，在碳化硅器件的应用和推广方面具备丰富的经验和市场基础
2023-06-27 17:41:501931 
众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求，
2023-07-10 10:49:091795 
碳化硅，也称为SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍，硼，铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅存在许多品种和纯度，但半导体级质量的碳化硅仅在过去几十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:453687 安森美半导体已完成其在韩国富川的全球最大的碳化硅(SiC)制造工厂的扩建。该工厂将能够以峰值产能每年生产超过100万个200毫米SiC晶圆。为了支持SiC制造能力的增长，安森美美计划在未来三年内雇用
2023-10-26 17:26:581881 碳化硅，又称SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅的品种和纯度很多，但半导体级质量的碳化硅只是在过去几十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:233792 全球碳化硅技术引领者 Wolfspeed, Inc. (美国纽约证券交易所上市代码: WOLF) 在位于美国北卡罗来纳州查塔姆县的“John Palmour 碳化硅制造中心”举办建筑封顶庆祝仪式。
2024-03-28 14:37:321316 1：什么是碳化硅 碳化硅（SiC）又叫金刚砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成，其实碳化硅很久以前就被发现了，它的特点是：化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能
2024-04-01 10:09:013141 
过去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率转换器中的高功率密度和高效率而备受关注。制造商们已经开始采用碳化硅技术来开发基于各种半导体器件的功率模块，如双极结晶体管(BJT)、结型场效应晶体管
2024-05-30 11:23:032192 
总部位于英国苏格兰的碳化硅（SiC）晶圆制造公司Clas-SiC，正积极寻求与多家企业合作，在印度建立一座或多座碳化硅功率半导体晶圆厂。这一举措不仅彰显了Clas-SiC在碳化硅技术领域的领先地位，也反映了该公司对印度市场的深度布局和长期投资信心。
2024-06-13 09:44:491354 在全球半导体技术持续革新的浪潮中，碳化硅芯片作为新一代功率半导体器件的核心材料，正逐步成为市场的新宠。近日，半导体制造领域的佼佼者Wolfspeed公司宣布，其碳化硅芯片制造工厂及材料制造工厂均取得了关键性的进展，这一里程碑式的成就无疑将进一步巩固Wolfspeed在碳化硅功率器件领域的领先地位。
2024-06-27 14:33:011308 英飞凌在2024财年第三季度财报电话会上，碳化硅与居林工厂成为焦点。会后，英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck即刻启程，前往马来西亚吉打州，参加一个具有里程碑意义的仪式——全球规模最大且效率领先的200毫米碳化硅功率半导体晶圆厂正式投入生产运营。
2024-08-26 09:50:33949 全球碳化硅技术引领者 Wolfspeed, Inc. (美国纽约证券交易所上市代码: WOLF) 于近日宣布了碳化硅芯片制造工厂和材料制造工厂近期关键性进展。
2024-09-26 16:47:281373 碳化硅SiC材料应用 1. 半导体领域 碳化硅是制造高性能半导体器件的理想材料，尤其是在高频、高温、高压和高功率的应用中。SiC基半导体器件包括肖特基二极管、MOSFETs、JFETs和功率模块等
2024-11-25 16:28:542901 随着科技的不断进步，电子器件的性能要求也日益提高。传统的硅（Si）材料在某些应用中已经接近其物理极限，尤其是在高温、高压和高频领域。碳化硅（SiC）作为一种宽带隙（WBG）半导体材料，因其卓越的电学
2024-11-25 16:30:082707 碳化硅SiC制造工艺详解 碳化硅（SiC）作为一种高性能的半导体材料，其制造工艺涉及多个复杂步骤，以下是对SiC制造工艺的详细介绍： 原材料选择与预处理 SiC生产的基础在于原材料的精选。多用纯净
2024-11-25 16:32:276212 碳化硅（SiC）在高温环境下的表现非常出色，这得益于其独特的物理和化学性质。以下是对碳化硅在高温环境下表现的分析： 一、高温稳定性 碳化硅具有极高的熔点，其熔点远高于硅等传统半导体材料。因此，在高温
2024-11-25 16:37:024139 碳化硅的基本特性 碳化硅是一种由碳和硅组成的化合物半导体，具有以下特性： 宽带隙 ：SiC的带隙宽度约为3.26eV，远大于硅（Si）的1.12eV，这使得SiC在高温、高频和高功率应用中具有优势
2024-11-25 18:10:102440 功率器件变革中SiC碳化硅中国龙的崛起：从技术受制到全球引领的历程与未来趋势 当前功率器件正在经历从传统的硅基功率器件持续跃升到SiC碳化硅材料功率半导体的历史变革： 倾佳电子杨茜致力于推动国产
2025-03-13 00:27:37768 根据搜索结果，除了安森美（onsemi）、CREE（Wolfspeed）和Microchip之外，以下品牌在美国境内涉及碳化硅（SiC）器件流片或代工合作，X-FAB作为美国境内的SiC代工厂，其
2025-04-14 05:58:12947 SiC碳化硅MOSFET国产化替代浪潮：国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构 1 国产SiC碳化硅功率半导体企业的崛起与技术突破 1.1 国产SiC碳化硅功率半导体企业从Fabless
2025-06-07 06:17:30912 全球碳化硅 (SiC) 技术引领者 Wolfspeed 公司（美国纽约证券交易所上市代码：WOLF）宣布，Wolfspeed 200mm 碳化硅材料产品开启大规模商用。这一重要里程碑标志着 Wolfspeed 加速行业从硅向碳化硅转型的使命迈出关键一步。
2025-09-11 09:12:541415 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）英飞凌在8月8日宣布，其位于马来西亚的新工厂一期项目正式启动运营，这是一座高效的8英寸碳化硅功率半导体晶圆厂，一期项目投资额高达20亿欧元，重点生产碳化硅功率半导体
2024-08-12 09:10:335264
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