在科锐 (Cree, Inc., 美国纳斯达克上市代码: CREE),我们正在推进从硅 (Si) 向碳化硅 (SiC) 的产业转型。为了满足日益增长的对于我们开创性 Wolfspeed 技术的需求,以支持电动汽车 (EV)、4G/5G 通信和工业市场的不断增长,我们于去年秋季宣布公司将在美国东海岸打造碳化硅 (SiC) 走廊。
科锐目前正在纽约州 Marcy 建造全球最大的碳化硅 (SiC) 制造工厂。这一全新的、采用领先前沿技术的功率和射频制造工厂,将满足车规级标准和 200mm 工艺。与此同时,位于公司总部北卡罗莱纳州达勒姆市的超级材料工厂 (mega materials factory) 的建设也在进行之中。这一全新的制造工厂将显著提升用于 Wolfspeed 碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 业务的产能,将建设成为一座规模更为庞大、高度自动化且具备更高生产能力的工厂。
科锐首席执行官 Gregg Lowe 先生表示:“科锐将在碳化硅 (SiC) 制造和研发方面继续加大投入,以支持全球范围内对于我们技术不断增长的需求。我们相信先进半导体制造对于引领加速关键下一代技术起着至关重要的作用。” 关
-
科锐
+关注
关注
1文章
86浏览量
24611 -
碳化硅
+关注
关注
25文章
3309浏览量
51715
原文标题:【明微电子·市场动态】科锐推进建造全球最大SiC器件制造工厂和扩大SiC产能
文章出处:【微信号:weixin-gg-led,微信公众号:高工LED】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
倾佳电子光伏与储能产业功率半导体分立器件从IGBT向碳化硅MOSFET转型的深度研究报告
探索碳化硅如何改变能源系统
Wolfspeed 200mm碳化硅材料产品组合开启大规模商用
碳化硅器件的应用优势
EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREE
国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构
全球产业重构:从Wolfspeed破产到中国SiC碳化硅功率半导体崛起
破浪前行 追光而上——向国产SiC碳化硅MOSFET产业劳动者致敬
麦科信光隔离探头在碳化硅(SiC)MOSFET动态测试中的应用
碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常见问题Q&A
为什么碳化硅Cascode JFET 可以轻松实现硅到碳化硅的过渡?
碳化硅薄膜沉积技术介绍
碳化硅与传统硅材料的比较
什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?
用于切割碳化硅衬底TTV控制的硅棒安装机构

科锐正在推进从硅向碳化硅的产业转型
评论