Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:44
1437 前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款通过AEC-Q101认证并具有ESD保护的600V标准整流器---SE20AFJ和SE30AFJ。对于空间有限的应用，新器件可提供2A和3A的正向电流和高
2012-11-22 09:11:461355 Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:37:312203 Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383286 Vishay推出新的MPMA系列精密配对电阻。MPMA电阻网络通过AEC-Q200认证，采用表面模塑SOT-23贴片封装。
2012-12-13 09:50:182147 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，将Vishay的ThunderFET®应用到更小的封装尺寸上。
2013-01-09 11:42:301823 在利用光来控制一个过程的应用中，要长期保持工厂设定的发光强度需要一个控制电路来监控发光状况，并控制供给光发射器件的电流以保持输出恒定，采用一个简单的运算放大器电路就可为许多应用提供精确的光强度。
2015-03-19 10:43:442909 
在利用光来控制一个过程的应用中，要长期保持工厂设定的发光强度需要一个控制电路来监控发光状况，并控制供给光发射器件的电流以保持输出恒定，采用一个简单的运算放大器电路就可为许多应用提供精确的光强度。
2015-03-23 11:44:423744 
Vishay Intertechnology宣布，推出新系列小型栅极驱动变压器---MGDT，可在高功率的国防和航天、工业及医疗应用中显著节省空间。
2018-03-07 13:57:099670 Vishay提供PLCC-2和超小尺寸MiniLED封装版本，器件通过AEC-Q101认证并具有1400 mcd的发光强度。
2018-07-25 11:29:0512447 SMD 器件发光强度达 2300 mcd ， 波长分别为 525 nm 和 465 nm ，适用于心率监测和烟雾探测 美国 宾夕法尼亚 MALVER N 、中国 上海 — 2024年 4 月
2024-04-22 15:26:431016 汽车级电阻，节省电路板空间，工作电压为450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，扩充其TNPV e3系列汽车级高压薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
要求：能控制发光二极管的发光强度，设计由光敏三极管采集光强信号的电路，经USB6009输入给计算机显示。
2012-12-09 21:57:46
/4）。从发光强度角分布图来分有三类： （1）高指向性。一般为尖头环氧封装，或是带金属反射腔封装，且不加散射剂。半值角为5°～20°或更小，具有很高的指向性，可作局部照明光源用，或与光检出器联用以组成
2012-10-26 10:20:22
和峰值波长从图中可以看出，发光管发出的光中某一波长λ0的光强度最大，该波长为峰值波长。（2）发光强度IV：发光二极管的发光强度通常是指法线方向的发光强度。当该方向的辐射强度为（1/683）W / sr
2023-02-08 15:57:05
新型红外线发射器采用Avago Technologies的高功率铝镓砷化物(AlGaAs) LED技术，具有优异的高发光强度、高速率和低正向电压等特性。新产品的封装尺寸为5mm，使用铁质导线架，在多种
2018-10-24 17:06:48
LED的寿命是指发生光衰的时间，恒流驱动由于控制住了LED的电流，确保了LED芯片的结温不会过高，防止了半导体芯片，封装材料，荧光材料的异常老化。LED的发光强度就不会过快降低(即光衰)。采用
2021-12-28 06:36:14
（3/4）；把φ4.4mm的记作T-1（1/4）。 从发光强度角分布图来分有三类： （1）高指向性。一般为尖头环氧封装，或是带金属反射腔封装，且不加散射剂。半值角为5°～20°或更小，具有很高的指向性
2017-07-19 17:31:03
。对于一些高精密的光学测量系统来说，LED光源的这种谱线波动和发光强度变化是需要避免的。针对上述问题，项目拟研究一种高功率LED光源的驱动装置，该装置能够实现LED辐射谱线和光谱强度的稳定，保证了光学测量中的准确性。
2015-07-16 14:05:33
生漂移。此外，LED驱动电源的波动也会影响其发光强度。对于一些高精密的光学测量系统来说，LED光源的这种谱线波动和发光强度变化是需要避免的。针对上述问题，项目拟研究一种高功率LED光源的驱动装置，该装置能够实现LED辐射谱线和光谱强度的稳定，保证了光学测量中的准确性。
2015-07-07 09:18:15
。对于一些高精密的光学测量系统来说，LED光源的这种谱线波动和发光强度变化是需要避免的。针对上述问题，项目拟研究一种高功率LED光源的驱动装置，该装置能够实现LED辐射谱线和光谱强度的稳定，保证了光学测量中的准确性。
2015-07-16 14:04:27
可用做汽车的刹车灯、转向灯、倒车灯等各个领域。 食人鱼发光二极管LED是一种四引脚LED，属于散光型的LED，发光角度大于120度，具有较高发光强度，而且能承受极大的功率。美国人一般称之为
2017-10-17 09:18:23
多“亮”，因为它是光功率与会聚能力的一个共同的描述。发光强度越大，光源看起来就越亮，同时在相同条件下被该光源 照射后的物体也就越亮，因此，早些时候描述手电都用这个参数。现在LED也用这个单位来描述
2012-09-24 23:03:09
二极体的电压与电流的关系，在正向电压正小于某一值（叫阈值）时，电流极小，不发光。当电压超过某一值后，正向电流随电压迅速增加，发光。 发光强度IV：发光二极体的发光强度通常是指法线（对圆柱形发光管是指其
2017-09-04 10:40:43
大电流条件下芯片的输出电容很热，导致输出电流不恒定，有波动，使LED发光强度缓慢变化，导致调制后的信号测量值偏移。求教下，有没有其他好的方法呢, 也就是利用大功率恒流LED进行信号调制，亟待求解啊。感谢大家。
2016-06-06 20:33:56
安国半导体主要是在u***主控 sd卡这方面处于领先地位，现在为扩大经营范围 特推出新款触摸按键 价格比义隆合泰都更有优势 性能方面EFT可到4.4kvcs10v也可以过要是感兴趣的话可以 联系***
2013-10-08 15:48:39
想用电池驱动红外发光二极管，但是随着电池电压的降低，电流也会减低，红外管的发光强度就会降低，怎样才能避免这个情况？有没有稳流芯片啊？？以前看到书上有一种4DH系列的芯片，现在在网上搜不到了。。
2015-11-24 19:19:13
想用电池驱动红外发光二极管，但是随着电池电压的降低，电流也会减低，红外管的发光强度就会降低，怎样才能避免这个情况？有没有稳流芯片啊？？以前看到书上有一种4DH系列的芯片，现在在网上搜不到了。。
2015-11-24 19:18:20
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 编辑
怎样才能使LED接在220伏的交流电上发光用，还得发光强度最大
2011-11-30 01:55:58
在发光强度分布图形中，发光强度等于最大强度一半构成的角度称为半值角。如图中所示。图中，沿LED法向为机械轴方向，最大发光强度方向 为光轴方向，机械轴与光轴之间的夹角成为偏差角。芯片的厚度、封装模条
2017-07-18 11:02:45
`下面佑泽小编带你了解;在发光强度分布图形中，发光强度等于最大强度一半构成的角度称为半值角。如图中所示。图中，沿LED法向为机械轴方向，最大发光强度方向 为光轴方向，机械轴与光轴之间的夹角成为偏差角
2017-12-13 11:43:13
如何测量不同光源的光强度？
2021-06-17 11:42:19
自动控制发光时间电路:
2007-08-15 13:18:24777 
Vishay推出新的QPL系列Bulk Metal箔超高精度Accutrim微调电位器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出新的QPL系列Bulk M
2009-07-01 09:29:54938 Vishay推出新款钽外壳液钽电容器136D
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列钽外壳液钽电容器——136D。对于高可靠性应用，136D器件
2009-11-06 08:38:411235 Vishay推出新款高速PIN光敏二极管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二极管，新器件采用鸥翼和倒鸥翼型封装
2009-11-13 09:21:28917 亮度mcd知识简介LED的亮度单位：mcd描述光的常用物理量有4个，它们是：1、发光强度，为一光源在给定方向上的发光强度，单位candela，即坎德拉，
2009-11-20 15:59:096579 Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强Pow
2009-11-23 17:10:23930 Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 Vishay推出的P沟道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP沟道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAKSC-70封装，具
2009-11-25 17:56:521012 资料名称：九段发光二极管 2680-0031
型 号：
说 明：公司：Siemens Akt发光强度IV (cd)：440μ发
2009-12-19 17:59:24710 安捷伦推出新款LTE测试解决方案
安捷伦科技公司宣布推出新款 LTE 测试解决方案。该解决方案结合了市场上领先的 Agilent 89600 VSA LTE FDD 和 LTE TDD 分析软件，以及 Agilent X
2009-12-28 17:07:291136 Vishay推出新款ESD保护阵列VBUS053BZ-HNH-G-08
Vishay推出具有低容值和低漏电流的新款ESD保护阵列VBUS053BZ-HNH-G-08，可保护USB-OTG端口免受瞬态电压信号的损害
2010-03-23 11:53:111452 Vishay发布新款集成功率光敏
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款新的集成功率光敏，分别是输出电流为0.9A的VO2223和输出电流为1A的VO2223A，扩
2010-03-26 11:38:56973 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的
2010-04-07 10:52:521102 Vishay推出新款薄膜贴片电阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出为钻井和航空等极端高温环境优化的新系列打线式、裸芯片贴片式
2010-04-17 16:12:54877 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列4接线端、牛角式功率铝电容器 --- 095 PLL-4TSI。电容器具有17种大尺寸外形，电压等级从350V至450V，在85℃下的使用寿命长达10,000小时。
新款0
2010-07-21 08:58:441120 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款新型白光、无散射的3mm LED --- VLHW4100，该LED针对高端应用进行了优化，可满足应用对极高发光强度的要求。VLHW4100使用超亮InGaN技术，在20mA
2010-09-06 08:58:361131 流明，光通量的单位。发光强度为1坎德拉(cd)的点光
2010-11-02 17:30:354050 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列螺丝端子功率铝电容器 --- 500 PGP-ST。这些高效电容器具有1,000μF、450V
2010-12-06 09:16:49859 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
2011-01-26 09:04:081830 日前，Vishay 推出新的PHP系列精密高功率薄膜贴片电阻。这些器件具有低至±25ppm/℃的绝对TCR，低至±0.1%的容差
2011-02-14 09:12:021430 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，
2011-03-02 10:19:301778 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面贴装Hi-Rel COTS系列固钽贴片电容器。这些电容器提供威布尔分级、符合per MIL PRF 55365标准的浪涌电流测试选项
2011-03-21 09:32:501686 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出可在-55℃～+215℃宽温范围内工作的新款精密低TCR薄膜电阻---PLTT
2011-03-28 11:04:301730 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款IHLP®低外形、高电流电感器--- IHLP-3232DZ-11，该器件在同类器件当中首次采用3232外形尺寸
2011-03-31 09:39:021756 Vishay Intertechnology, Inc.推出采用GSIB-5S封装的新款单相直排桥式整流器--- LVB1560和LVB2560。
2011-04-13 10:52:351762 利用掺铒硅基发光材料实现硅基光电子集成的可行性，随着对掺铒硅基发光材料的深入研究，硅基光电子集成的实现不再遥远。
2011-08-18 11:52:364523 
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用2726和4026外形尺寸的新款表面贴装Power Metal Strip电阻——WSLP2726和WSLP4026
2011-08-30 08:43:171685 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面贴装Power Metal Strip电阻--- WSK0612。该电阻是业内首个4接头、1W的检流电阻，采用小尺寸的0612封装，具有0.5 mΩ～5mΩ的低阻值。
2011-09-06 09:43:072551 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351923 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款金属陶瓷面板式电位计---Sfernice P13L，这种电位计的寿命长达2百万次，全IP67密封使其能够在极端的环境条件下可靠工作
2011-11-05 01:11:001113 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用新型超小尺寸LLP2510封装的新款4线ESD保护阵列---VBUS54ED-FBL。VBUS54ED-FBL的占位面积只有2.5mmx1.0mm，高度低至0.55mm，其低电容
2011-11-08 09:14:11710 本文为脉冲LED的生产厂家研制一套简单适用、性能价格比相对较高并且能同时测试脉冲LED发光强度的时间特性和光谱特性的测试系统，用于产品的研制和检验。
2011-11-11 11:00:322705 日前，Vishay 宣布，推出新款采用2512外形尺寸的表面贴装Power Metal Strip®电阻--- WSLP2512，这种电阻具有高达3W的功率和0.0005Ω的极低阻值。
2012-02-07 11:43:062943 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布采用2906尺寸封装的新款Power Metal Strip®仪表分流电阻--- WSMS2906，该电阻具有3W的功率和最低300µΩ的极低阻值。
2012-02-20 11:55:18683 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款采用铁粉材料，符合WPC(无线充电联盟)标准的接收线圈--- IWAS-3827EC-50
2012-07-13 18:42:57954 Vishay 推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541792 更高的驱动电流，从而提高发光强度。新款VLM.334…系列LED在Vishay的VLM.31…系列基础上进行了大幅改进，可搭配更大尺寸的芯片，能够承受70mA的驱动电流。
2013-12-18 13:36:322382 宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 9 月17 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款、符合WPC（无线充电联盟）标准的新款无线充电接收线圈---IWAS-4832FE-50，适用于10W应用的。
2014-09-18 11:32:101766 宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 2 月27 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的全集成接近和环境光传感器---VCNL4040。
2015-03-02 16:17:483290 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列厚膜片式电阻---RCV e3，以满足工业和医疗应用对高电压器件的需求，同时节省宝贵
2015-05-07 16:15:121580 宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 5 月18 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，针对高功率混合装配、SiC和GaN应用中的使用环境，推出新的薄膜条MOS电容器。
2015-05-18 14:21:261031 gy-30,光强度资料。
2016-03-21 17:18:02
270 1967 年法国第十1三届国际计量大会规定了以坎德拉、坎德拉/平方米、流明、勒克斯分别作为发光强度、光亮度、光通量和光照度等的单位，为统一工程技术中使用的光学度量单位有重要意义。为了解和使用便利
2017-10-23 14:57:2521 1、发光强度(光度)的含义是什么?
答：发光强度(光度，I)定义为：点光源在某一方向上的发光强度，即是发光体在单位时间内所射出的光量，也简称为光度，常用单位为烛光(cd，坎德拉)，一个国际烛光的定义为以鲸鱼油脂制成的蜡烛每小时燃烧120格冷(grain)所发出的光度，一格冷等于0.0648克。
2017-11-17 16:12:042912 将LED用于液晶面板背照灯时，最理想的情况是LED的光谱在红色、绿色和蓝色三个领域出现发光强度的峰值。这是因为LED的光最终将经由液晶面板的彩色滤光片（红色、绿色、蓝色）输出到外部。
2017-12-21 11:46:5118297 
过强会引起LED的衰减，电流过弱会影响LED的发光强度，因此LED的驱动需要提供恒流电源，以保证大功率LED使用的安全性，同时达到理想的发光强度。PT4115具有动态温度调节的功能，并且可以在此功能的基础上实现过温保护。
2018-04-03 09:52:4543879 
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的陶瓷/石英基材的UVC（短波紫外线）发光二极管---VLMU60CL.。-280-125
2018-05-09 18:02:001899 Vishay针对用于红外遥控应用的TSOP33xxx和TSOP53xxx系列小型Minimold红外接收器模块，推出新款侧开金属支架，扩大了其光电子产品组合。Vishay
2018-05-14 11:54:001381 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款双路单刀双掷/四路单刀双掷模拟开关---DG2788A。该开关在2.7V下的电阻低至
2018-08-03 11:45:001069 据悉，来自美国国家标准与技术研究所（NIST）的纳米线开发科学家成功开发出了紫外发光二极管（LED），由于采用了特殊类型的外壳，其发光强度是基于更简单外壳的同类LED产生的光强度的五倍。
2019-03-27 14:45:031470 美国国家标准与技术研究所（NIST）科学家成功开发出纳米线UV LED，由于采用了特殊类型的外壳，其发光强度是基于更简单外壳的同类LED产生的光强度的五倍。
2019-04-01 16:03:054742 Vishay推出新款2020外形尺寸器件---IHLP-2020BZ-5A，扩展其汽车级IHLP薄形大电流电感器。Vishay Dale IHLP-2020BZ-5A工作温度+155 C，高度2mm
2019-05-16 14:26:463855 现有基于环境亮度实现自身亮度自动调节的灯具，是根据光传感器感知局部环境亮度以简单的数字逻辑对灯具的发光强度进行调整，这种灯具存在亮度调节反应速度慢，环境适应性差，照明效果不理想等情况。并且现有亮度
2019-05-27 16:33:279313 Vishay 宣布，推出新型短波紫外线（UVC）发光二极管小型表面贴器件--- VLMU35CL.。
2019-07-17 16:37:311445 按发光强度和工作电流分 有普通亮度的LED（发光强度10mcd）；把发光强度在10——100mcd间的叫高亮度发光二极管。
2019-10-25 17:15:292166 大功率LED是低电压、大电流的驱动器件，其发光的强度由流过LED的电流决定，电流过强会引起LED的衰减，电流过弱会影响LED的发光强度，因此，LED的驱动需要提供恒流电源，以保证大功率LED使用的安全性，同时达到理想的发光强度。
2019-09-23 16:30:492012 据technews报道，韩国科学技术高级研究院（KAIST）的研究团队近日研发出一款内部结构类似爆米花的发光材料，结合量子点以及聚合媒介物，发光强度是传统纯量子点薄膜的21倍，且耐用度提升45%。
2019-11-08 17:12:356129 发光角度，又称功率角度，通常我们使用半功率角度，即50%发光强度的角度记作发光角度。对于LED灯珠，透镜的大小、散射剂的多少和支架的倾斜角度等等都影响着灯珠的发光角度。灯珠的发光角度影响着LED
2021-11-29 11:14:2511976 
Vishay 推出六款新型 3.4 mm×3.4 mm 表面贴装 850 nm 和 940 nm 高功率红外(IR)发射器，辐照强度达到同类器件先进水平，进一步扩充其光电产品组合。新款 Vishay
2022-02-21 13:31:352653 
Vishay 推出两款新型陶瓷/石英基材 UVC(短波紫外线)发光二极管，用于医疗、工业和消费电子应用杀菌。
2022-09-16 10:50:15753 （1.6mm×0.8mm）LED“CSL1901系列”。 近年来，随着LED产品的技术发展，发光效率得到飞跃性提升，LED的发光强度也不断提高。随着发光强度的提高，在一些必须考虑相邻发光单元的干扰等问题的应用中，设计时就需要做出相应的调整，使发光强度*3和发光波长
2022-09-25 22:32:12663 
直插式LED的电压影响着发光强度，工作电压越高发光强度 越高，也可已根据芯片的材料进行类别，不同类别产品发光电压不同。
2024-01-13 10:16:222502 外形尺寸为 2.2 mm x 1.3 mm x 1.4 mm，采用先进的超亮 InGaN 芯片技术，典型发光强度分别达到 440 mcd 和 2300 mcd，比上一代 PLCC-2 封装解决方案提高四倍。
2024-04-19 14:24:161806 
Vishay 推出一款采用透明无色引线型塑料封装的新型 890 nm 高速红外 ( IR ) 发光二极管，扩充其光电子产品组合。Vishay Semiconductors TSHF5211 基于表面发射器芯片技术，优异的 VF 温度系数达 -1.0 mV/K，辐照强度和升降时间优于前代器件。
2024-07-19 09:22:511353
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