Vishay推出新型890nm高速红外发光二极管
高速器件采用表面发射器芯片技术
优异的VF温度系数达-1.0 mV/K
Vishay推出一款采用透明无色引线型塑料封装的新型890 nm高速红外 ( IR ) 发光二极管，扩充其光电子产品组合。Vishay Semiconductors TSHF5211基于表面发射器芯片技术，优异的VF温度系数达 -1.0 mV/K，辐照强度和升降时间优于前代器件。
日前发布的发光二极管100mA驱动电流下典型辐照强度达235 mW/sr，比上一代解决方案提高50 %。器件开关时间仅为15 ns，典型正向电压低至1.5 V，半强角只有± 10°，适用作烟雾探测器和工业传感器的高强度发光二极管。这些应用中，TSHF5211可与硅光电探测器实现良好的光谱匹配。 器件符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，无铅( Pb )，可采用温度达260 °C的无铅焊接。
TSHF5211 现可提供样品并已实现量产，大宗订货供货周期为 20 周。
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原文标题：新型 890 nm 红外发光二极管，典型辐照强度达 235 mW/sr
文章出处：【微信号：Vishay威世科技，微信公众号：Vishay威世科技】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
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