QPD1025在65 V 电压下的功率为1.8 kW，是业界功率最高的碳化硅基氮化镓 （GaN-on-SiC）射频晶体管，提供高信号完整性和长覆盖距离，非常适合L波段航空电子设备和敌我识别 （IFF） 应用。
2018-05-31 13:17:57
7582 仅从物理特性来看，氮化镓比碳化硅更适合做功率半导体的材料。研究人员还将碳化硅与氮化镓的“Baliga特性指标（与硅相比，硅是1）相比，4H-SiC是500，而氮化镓是900，效率非常高。
2023-02-10 11:29:222959 设计出色功效的电子应用时，需要考虑使用新型高性能氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术的器件。与电子开关使用的传统硅解决方案相比，这些新型宽带隙技术具有祼片外形尺寸小、导热和热管理性能优异、开关损耗
2023-10-12 16:18:563228 
半导体器件作为现代电子技术的核心元件，广泛应用于集成电路、消费电子及工业设备等场景，其性能直接影响智能终端与装备的运行效能。以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代宽禁带半导体，凭借高功率密度与能效优势，正推动电子设备技术革新。
2025-06-05 10:33:562492 
、EcoGaN™氮化镓系列、硅基功率器件（含二极管、MOSFET、IGBT）以及丰富的应用案例，凭借卓越的技术参数、创新的封装设计和广泛的应用适配能力，引发行业高度关注。电子发烧友网作为受邀行业媒体，现场参观走访ROHM的展台，与技术人员深入交流。以下是记者了解的展示产品梳理。 碳化硅（SiC）模块
2025-09-29 14:35:1812442 
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太阳能光伏逆变器、能源存储、车辆电气化（如充电器
2019-07-31 06:16:52
在电子电路设计中，开始通常假设元器件在室温下工作。单片微波集成电路设计，尤其是，当直流电流流过体积日益缩小的器件时导致热量成两倍，三倍甚至四倍高于室温，就违反了元器件在室温下工作的假设。此种情况下
2019-07-04 06:47:35
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
竞争优势的材料。——————形成阶段——————大约20多年前，美国国防部曾通过的微波/毫米波单片集成电路 (MIMIC) 和微波模拟前端技术 (MAFET) 计划在开发基于砷化镓的 MMIC 中
2017-08-15 17:47:34
数据已证实，硅基氮化镓符合严格的可靠性要求，其射频性能和可靠性可媲美甚至超越昂贵的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)替代技术。 硅基氮化镓成为射频半导体行业前沿技术之时正值商用无线基础设施发展
2018-08-17 09:49:42
器件的特点 碳化硅SiC的能带间隔为硅的2.8倍(宽禁带),达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍,高达3.2MV/cm.，其导热率是硅的3.3倍,为49w/cm.k。 它与硅半导体材料
2019-01-11 13:42:03
了。 固有优势加上最新进展 碳化硅的固有优势有很多，如高临界击穿电压、高温操作、具有优良的导通电阻/片芯面积和开关损耗、快速开关等。最近，UnitedSiC采用常关型共源共栅的第三代SiC-FET器件已经
2023-02-27 14:28:47
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
应用，处理此类应用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或简称SiC已被证明是一种材料，可以用来构建类似MOSFET的组件，使电路具有比以往IGBT更高的效率。如今，SiC受到了很多关注，不仅因为它
2023-02-24 15:03:59
5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8
2019-05-09 06:21:14
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
，同比增长15.77%。2020年H1，中国集成电路产业销售额为3539亿元，同比增长16.1%。碳化硅（SiC）的应用碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前制造水平最成熟，应用最广
2021-01-12 11:48:45
。超硬度的材料包括:金刚石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化钛等。3)高强度。在常温和高温下，碳化硅的机械强度都很高。25℃下，SiC的弹性模量，拉伸强度为1.75公斤/平方厘米，抗压强度为
2019-07-04 04:20:22
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
半导体行业协会统计，2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元，同比增长15.77%。2020年H1，中国集成电路产业销售额为3539亿元，同比增长16.1%。每一次材料的更新换代，都是产业的一次革命。碳化硅陶瓷基板在高铁、太阳能光伏、风能、电力输送、UPS不间断电源等电力电子领域均有不小单的作用。
2021-03-25 14:09:37
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
（HPA）单片微波集成电路（MMIC），主要面向 4.5-6.8GHz 频段应用，采用 GaN-on-SiC HEMT 工艺并带湿度保护，封装为 QFN 塑封。具备高功率输出、高效率及宽电压工作范围等
2025-12-12 09:40:25
CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅单晶上根据氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)；选用 0.25 μm 栅极尺寸制作工艺。与硅相比较
2024-02-27 14:09:50
Cree的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
%的峰值效率以及19dB的线性增益，若匹配以合适的谐波阻抗其峰值效率会超过80%。该功率效率性能可与最优秀的碳化硅基氮化镓器件的效率相匹敌，与传统LDMOS器件相比有10%的效率提升。若能被正确地
2017-08-30 10:51:37
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件既具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点，又比碳化硅基氮化镓器件在成本上更具有优势，采用硅来做氮化镓衬底，与碳化硅基氮化镓相比，硅基氮化镓晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
迁移率晶体管(HEMTs)和单片微波集成电路(MMICs)的发展预示着高频工作。此外，氮化镓还用于紫外波长光电子器件。它具有高击穿电场，大于硅或GaAs的50倍，这使得它可以用于高功率电子应用。氮化镓
2021-10-14 11:48:31
方形，通过两个晶格常数（图中标记为a 和c）来表征。GaN 晶体结构在半导体领域，GaN 通常是高温下（约为1,100°C）在异质基板（射频应用中为碳化硅[SiC]，电源电子应用中为硅[Si]）上通过
2019-08-01 07:24:28
目前，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，宽禁带，以下简称为：WBG）”以及基于新型材料的电力半导体，其研究开发技术备受瞩目。根据日本环保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
微波集成电路技术是无线系统小型化的关键技术.在毫米波集成电路中,高性能且设计紧凑的功率放大器芯片电路是市场迫切需求的产品.
2019-09-11 11:52:04
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
随着电力电子技术的不断进步，碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐，成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分，栅极氧化层对器件的整体性能和使用寿命
2025-01-04 12:37:34
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
，在这些环境中，传统的硅基电子设备无法工作。碳化硅在高温、高功率和高辐射条件下运行的能力将提高各种系统和应用的性能，包括飞机、车辆、通信设备和航天器。今天，SiC MOSFET是长期可靠的功率器件。未来，预计多芯片电源或混合模块将在SiC领域发挥更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
大功率适配器为了减小对电网的干扰，都会采用PFC电路、使用氮化镓的充电器，基本也离不开碳化硅二极管，第三代半导体材料几乎都是同时出现，强强联手避免短板。创能动力推出的碳化硅二极管
2023-02-22 15:27:51
本文重点介绍赛米控碳化硅在功率模块中的性能，特别是SEMITRANS 3模块和SEMITOP E2无基板模块。 分立器件（如 TO-247）是将碳化硅集成到各种应用中的第一步，但对于更强大和更
2023-02-20 16:29:54
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。 该器件将传统
2023-02-28 16:48:24
设计CoolSiC电路时允许选择新的驱动集成电路器，则值得考虑具有较高欠压锁定（约13V）的驱动集成电路，以确保CoolSiC和系统可以在任何异常工作条件下安全运行。 碳化硅MOSFET的另一个优点
2023-03-14 14:05:02
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战
2023-02-22 16:06:08
。在这次活动中，剑桥 GaN 器件公司宣布了其集成电路增强氮化镓(ICeGaN)技术，以修改 GaN 基功率晶体管的栅极行为。这种新技术基于增强型 GaN 高电子迁移率晶体管，具有超低比导通电阻和非常低
2022-06-15 11:43:25
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
Cree 的 CMPA0060002F1-AMP 是一种氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 基于单片微波集成电路 (MMIC)。 GaN具有优越的与硅或砷化镓相比的特性，包括更高
2022-05-17 12:09:15
CMPA2560025 是一款基于氮化镓 (GaN) HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率
2022-06-28 10:41:06
CMPA2560025 是一款基于氮化镓 (GaN) HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率
2022-06-28 10:46:15
CMPA2560025 是一款基于氮化镓 (GaN) HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率
2022-06-28 10:48:03
Cree 的 CMPA3135060S 是氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 基于单片微波集成电路 (MMIC)。 GaN具有优越的与硅或砷化镓相比的特性，包括更高的击穿率电压，更高
2022-06-29 09:43:43
CMP5585030 是一款基于氮化镓 (GaN) HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率
2022-07-01 10:30:08
CMP5585030 是一款基于氮化镓 (GaN) HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率
2022-07-01 10:32:18
CMP5585030 是一款基于氮化镓 (GaN) HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率
2022-07-01 10:33:55
CMPA801B025 是一种基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移
2022-07-01 11:19:07
CMPA801B025 是一种基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移
2022-07-01 11:20:43
CMPA801B025 是一种基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移
2022-07-01 11:22:25
CMPA801B025 是一种基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移
2022-07-01 11:23:59
CMPA801B030F1氮化镓 (GaN) HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC) Wolfspeed 的 CMPA801B030 系列 X 波段 MMIC 放大器在 7.9
2022-11-21 18:08:58
专为10.7 GHz至12.7 GHz频段设计的20 W GaN-on-SiC功率放大器MMIC（单片微波集成电路）。该放大器结合了氮化镓（GaN）和碳化硅（Si
2024-10-20 19:14:45
微波集成电路(MMIC)是什么意思
单片微波集成电路（MMIC）， 有时也称射频集成电路(RFIC)，它是随着半导体制造技术的发展，特别是离
2010-03-05 10:46:1412031 中国集成电路大全-微波集成电路
2017-03-01 21:57:05
0 5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元，而GaN基板产值仅约3百万美元。
2018-03-29 14:56:1236743 
实现超高功效。该新一代碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）解决方案在单个封装中采用两个晶体管，可最大限度提高线性度、效率和增益，并最终降低运营成本。
2018-04-25 16:41:001031 
1.1 碳化硅和氮化镓器件的介绍, 应用及优势
2018-08-17 02:33:007744 本文档的主要内容详细介绍的是微波元器件和微波集成电路的学习课件免费下载主要内容包括了：微波无源元器件，微波有源元器件，微波集成电路简介
2018-10-31 08:00:000 200mm SiC（碳化硅）生产工厂和一座材料超级工厂。这项标志着公司迄今为止最大的投资，将为WolfspeedSiC（碳化硅）和GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）业务提供动能。在2024年全部完工
2019-05-14 10:24:444139 倍思与2019年推出了首款2C1A GaN氮化镓充电器引爆了的氮化镓充电器市场，热度持续不减，倍思再度推出全球第一款氮化镓+碳化硅 (GaN+SiC) 充电器。
2020-05-20 10:13:371826 氮化镓+碳化硅PD 方案的批量与国产氮化镓和碳化硅SIC技术成熟密不可分，据悉采用碳化硅SIC做PFC管的方案产品体积更小，散热更好，效率比超快恢复管提高2个百分点以上。
2021-04-01 09:23:262124 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶体管这两种化合物半导体器件已作为方案出现。这些器件与长使用寿命的硅功率横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) MOSFET和超级结MOSFET竞争。
2022-04-01 11:05:195310 一旦硅开始达不到电路需求，碳化硅和氮化镓就作为潜在的替代半导体材料浮出水面。与单独的硅相比，这两种化合物都能够承受更高的电压、更高的频率和更复杂的电子产品。这些因素可能导致碳化硅和氮化镓在整个电子市场上得到更广泛的采用。
2022-12-13 10:01:3516399 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）被称为“宽带隙半导体”（WBG）。在带隙宽度中，硅为1.1eV，SiC为3.3eV，GaN为3.4eV，因此宽带隙半导体具有更高的击穿电压，在某些应用中可以达到1200-1700V。
2023-02-05 14:13:342592 硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-06 15:47:337273 
氮化镓根据衬底不同可分为硅基氮化镓和碳化硅基氮化镓：碳化硅基氮化镓射频器件具有高导热性能和大功率射频输出优势，适用于5G基站、卫星、雷达等领域；硅基氮化镓功率器件主要应用于电力电子器件领域。虽然
2023-02-10 10:52:524733 
可以在各种衬底上生长，包括蓝宝石、碳化硅（SiC）和硅（Si）。在硅上生长氮化镓（GaN）外延层可以使用现有的硅制造基础设施，从而
无需使用高成本的特定生产设施，而且以低成本采用大直径的硅晶片。
GaN power semiconductor 2023 predictions一文有
2023-02-15 16:19:060 在碳化硅(SiC)上开发了更薄的III族氮化物结构，以期实现高功率和高性能高频薄高电子迁移率晶体管和其他器件。新结构使用
高质量的60纳米无晶界氮化铝成核层来避免大面积的扩展缺陷，而不是1-2米厚的氮化镓缓冲层(图1)。成核层允许在0.2 m内生
长高质量的氮化镓。
2023-02-15 15:34:524 什么是第三代半导体？我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体，这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二极管
2023-02-21 10:16:473720 单片微波集成电路（MMIC），有时也称射频集成电路(RFIC)，它是随着半导体制造技术的发展，特别是离子掺入控制水平的提高和晶体管自我排列工艺的成熟而出现的一类高频放大器件。在这类器件中，作为反馈
2023-05-04 15:28:299505 
6.3.5.3界面氮化6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改进方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.5.2氧化
2022-01-17 09:18:161372 
6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.5.5界面的不稳定性∈《碳化硅技术
2022-01-21 09:35:561588 目前高功率砷化镓基单片微波集成电路(MMICs)已广泛应用于军事、无线和空间通信系统。使用连接晶片正面和背面的衬底通孔，这些MMICs的性能显著提高。
2023-07-13 15:55:021320 
氮化镓和碳化硅正在争夺主导地位，它们将减少数十亿吨温室气体排放。
2023-08-07 14:22:082323 
碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展，碳化硅需求增速可观。
2023-08-19 11:45:224787 GaN 技术持续为国防和电信市场提供性能和效率。目前射频市场应用以碳化硅基氮化镓器件为主。虽然硅基氮化镓（GaN-on-Si）目前不会威胁到碳化硅基氮化镓的主导地位，但它的出现将影响供应链，并可能塑造未来的电信技术。
2023-09-14 10:22:362157 
碳化硅和氮化镓的区别 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）是两种常见的宽禁带半导体材料，在电子、光电和功率电子等领域中具有广泛的应用前景。虽然它们都是宽禁带半导体材料，但是碳化硅和氮化镓在物理性质
2023-12-08 11:28:514542 镓（GaN）半导体： 氮化镓是一种二元复合半导体（由氮和镓元素构成），具有较大的禁带宽度（3.4电子伏特）。它是一个具有六方晶系结构的材料，并且具有较高的热稳定性和宽温度范围的应用特性。 碳化硅（SiC）半导体： 碳化硅是
2023-12-27 14:54:184061 在这个电子产品更新换代速度惊人的时代，半导体市场的前景无疑是光明的。新型功率半导体材料，比如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，因其独特的优势正成为行业内的热门话题。
2024-04-07 11:37:111454 
引言 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）是两种具有重要应用前景的第三代半导体材料。它们具有高热导率、高电子迁移率、高击穿场强等优异的物理化学性质，被广泛应用于高温、高频、高功率等极端环境下的电子器件
2024-09-02 11:19:473434 氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）都是当前半导体材料领域的佼佼者，它们各自具有独特的优势，应用领域也有所不同。以下是对两者优势的比较： 氮化镓（GaN）的优势 高频应用性能优越 ： 氮化镓具有较高
2024-09-02 11:26:114884 SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”(WBG)。由于使用的生产工艺，WBG设备显示出以下优点：1.宽带隙半导体氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）在带隙和击穿场方面相对相似。氮化镓的带隙为3.2eV
2024-09-16 08:02:252049 
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件
2025-01-23 16:27:431780 
对于碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)等宽禁带(WBG)功率器件而言，优化的栅极驱动尤为重要。此类转换器的快速开关需仔细考量寄生参数、过冲/欠冲现象以及功率损耗最小化问题，而驱动电路在这些方面都起着
2025-05-08 11:08:401153 
电子发烧友App
工商网监
评论