CMPA0060002F1-AMP氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)

HEMT

型号： CMPA0060002F1-AMP

--- 产品参数 ---

增益 18 dB 小信号增益
电压 4.8 W 典型 PSAT 工作电压高达 28 V
耐压性高击穿电压
操作环境高温操作
尺寸规格 0.5" x 0.5" 产品总尺寸

--- 产品详情 ---

Cree 的 CMPA0060002F1-AMP 是一种氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 基于单片微波集成电路 (MMIC)。 GaN具有优越的与硅或砷化镓相比的特性，包括更高的击穿率电压，更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与 Si 相比，GaN HEMT 还提供更高的功率密度和更宽的带宽和砷化镓晶体管。该 MMIC 采用分布式（行波）放大器设计方法，使极宽的带宽，以实现在一个小的占位面积旋入式封装，具有铜钨散热器。

特征
18 dB 小信号增益
4.8 W 典型 PSAT 工作电压高达 28 V
高击穿电压
高温操作
0.5" x 0.5" 产品总尺寸

应用
超宽带放大器
光纤驱动器
测试仪器
EMC 放大器驱动器

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