CMP5585030 是一款基于氮化镓 (GaN) HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与 Si 和 GaAs 晶体管相比，GaN HEMT 还提供更高的功率密度和更宽的带宽。这个 MMIC 包含一个两级；无功匹配放大器设计方法能够实现非常宽的带宽。该 MMIC 可作为裸片和 10 引线金属/陶瓷法兰封装提供，以实现最佳电气和热性能。
特征
30 dB 小信号增益
高达 50 W 的典型 PSAT
工作电压高达 28 V
高击穿电压
高温操作
应用
点对点无线电
通讯
测试仪器
EMC 放大器驱动器
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