0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

贸泽电子备货Qorvo的QPD1025L碳化硅基氮化镓晶体管

西西 作者:厂商供稿 2018-05-31 13:17 次阅读

为航空电子设备提供理想选择。

2018年5月31日 – 专注于新产品引入 (NPI)并提供极丰富产品类型的业界顶级半导体和电子元件分销商贸泽电子(Mouser Electronics)即日起备货Qorvo的QPD1025L碳化硅(SiC) 基氮化镓(GaN) 晶体管。QPD1025在65 V 电压下的功率为1.8 kW,是业界功率最高的碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC)射频晶体管,提供高信号完整性和长覆盖距离,非常适合L波段航空电子设备和敌我识别 (IFF) 应用。

GaN技术卓越的性能和可靠性使其非常适合基础设施、国防和航空航天应用,如雷达、通信、导航以及类似的应用。其性能的增强让设计师可以在提升系统性能的同时,灵活地节省电路板空间和系统成本。

贸泽供应的Qorvo QPD1025L是高电子迁移率晶体管 (HEMT),同时支持脉冲波和连续波 (CW)操作,以更高效地提供可与硅基LDMOS设备媲美的性能。该器件使用65 V电源供电,提供22.5 dB线性增益和 77.2%的典型功率附加效率 (PAE3dB)。QPD1025L晶体管提供内部输入预匹配,简化了外部板匹配,节省了电路板空间。

此款符合RoHS标准的无铅晶体管具有配套的QPD1025L评估板。

贸泽电子拥有丰富的产品线与卓越的客服,通过提供采用先进技术的最新产品来满足设计工程师与采购人员的创新需求。我们库存有全球最广泛的最新半导体及电子元件,为客户的最新设计项目提供支持。Mouser网站Mouser.cn不仅有多种高级搜索工具可帮助用户快速了解产品库存情况,而且网站还在持续更新以不断优化用户体验。此外,Mouser网站还提供数据手册、供应商特定参考设计、应用笔记、技术设计信息和工程用工具等丰富的资料供用户参考。

关于贸泽电子 (Mouser Electronics)

贸泽电子隶属于伯克希尔哈撒韦集团 (Berkshire Hathaway)公司旗下,是一家屡获殊荣的一流授权半导体和电子元器件分销商,专门致力于以最快的方式,向设计工程师和采购人员提供业界顶尖制造商的最新产品。作为一家全球分销商,我们的网站mouser.cn能够提供多语言和多货币交易支持,分销来自超过700家生产商的500多万种产品。我们通过遍布全球的22个客户支持中心为客户提供一流的服务,并通过位于美国德州达拉斯南部,拥有最先进技术的7万平方米仓库向全球170个国家/地区,超过60万家客户出货。更多信息,敬请访问:http://www.mouser.cn。

关于Qorvo

Qorvo提供创新射频解决方案,让世界更加美好,更加互联。该公司在产品和技术方面均有领先优势,系统级专业技术和全球化制造规模可以快速解决客户最复杂的技术难题。Qorvo的业务范围涵盖全球多个增长强劲的大规模细分市场,包括先进无线设备、有线和无线网络以及国防用雷达与通信设备等市场。另外Qorvo还利用其独有的竞争优势来推动5G网络、云计算物联网和其他新兴应用的发展,进一步扩大万物互联的全球化规模。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    24

    文章

    2428

    浏览量

    47504
  • 航空电子
    +关注

    关注

    15

    文章

    478

    浏览量

    44859
  • 贸泽电子
    +关注

    关注

    16

    文章

    1059

    浏览量

    95755
  • Qorvo
    +关注

    关注

    17

    文章

    581

    浏览量

    76979
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV

    碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和压敏电阻 | MOV / 氧化锌 (ZnO) 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK
    发表于 03-08 08:37

    Qorvo发布碳化硅场效应晶体管产品

    Qorvo最近发布了一款新的碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)产品,这款产品专为电动汽车(EV)而设计,符合车规标准。
    的头像 发表于 02-01 10:22 205次阅读

    CGHV96050F1卫星通信氮化电子迁移率晶体管CREE

    CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比,这些GaN内部搭配CG
    发表于 01-19 09:27

    碳化硅功率器件简介、优势和应用

    碳化硅二极管和碳化硅晶体管。由于其出色的性能,碳化硅功率器件在电动汽车、可再生能源系统、智能电网、轨道交通等领域具有广泛的应用前景。
    的头像 发表于 01-09 09:26 715次阅读

    CGHV96130F X波段功率放大器CREE

    CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化(GaN)高迁移率晶体管(HEMT)与其他技术相比,CGHV96130F内部适应(IM)FET具有出色的功率附加效率。与砷
    发表于 12-13 10:10

    碳化硅和igbt的区别

    碳化硅和igbt的区别  碳化硅(SiC)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)都是在电子领域中常见的器件。虽然它们都用于功率电子应用,但在结构、
    的头像 发表于 12-08 11:35 3519次阅读

    碳化硅氮化镓哪个好

    碳化硅氮化镓的区别  碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是两种常见的宽禁带半导体材料,在电子、光电和功率
    的头像 发表于 12-08 11:28 1047次阅读

    功率器件在工业应用中的解决方案

    功率器件在工业应用中的解决方案,议程分为:功率分立器件概览 、 IGBT产品3、高压MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二极和整流器、氮化
    发表于 09-05 06:13

    氮化芯片未来会取代硅芯片吗?

    2000 年代初就已开始,但 GaN 晶体管仍处于起步阶段。 毫无疑问,它们将在未来十年内取代功率应用中的硅晶体管,但距离用于数据处理应用还很远。 Keep Tops氮化有什么好处
    发表于 08-21 17:06

    碳化硅 SiC 可持续发展的未来 #碳化硅 #SiC #MCU #电子爱好者

    工业控制碳化硅
    Asd666
    发布于 :2023年08月10日 22:08:03

    为什么氮化比硅更好?

    度为1.1 eV,而氮化的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度,耗尽区窄短,从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如,一个典型的650V横向氮化
    发表于 06-15 15:53

    氮化: 历史与未来

    的是用于蓝光播放器的光盘激光头)。 在光子学之外,虽然氮化晶体管在1993年就发布了相关技术,但直到2004年左右,第一个氮化
    发表于 06-15 15:50

    什么是氮化(GaN)?

    具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势,氮化充电器的充电器件运行速度,比传统硅器件要快 100倍。 更重要的是,氮化
    发表于 06-15 15:41

    谁发明了氮化功率芯片?

    ,是氮化功率芯片发展的关键人物。 首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中,长期担任副总裁及更高级别的管理职位,并领导研发工作。他在硅、碳化硅(SiC)和氮化
    发表于 06-15 15:28

    碳化硅MOSFET什么意思

    碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件,其中"MOSFET"表示金属氧化物半导体场效应晶体管,"碳化硅"指的是其材料。
    的头像 发表于 06-02 15:33 1258次阅读