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电子发烧友网>电源/新能源>功率器件>意法半导体推出新的射频LDMOS功率晶体管

意法半导体推出新的射频LDMOS功率晶体管

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2021-01-20 11:20:443769

半导体最新推出MasterGaN器件

半导体的MasterGaN4*功率封装集成了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化镓(GaN)功率晶体管,以及优化的栅极驱动器和电路保护功能,可以简化高达200W的高能效电源变换
2021-04-16 14:41:043668

半导体新系列超级结晶体管改进多个关键参数

,还是适用于电源适配器和平板显示器的电源。 半导体800V STPOWER MDmesh K6系列,为这种超级结晶体管技术树立了高性能和易用性兼备的标杆。MDmesh K6 的RDS(on) x
2021-10-28 10:41:252244

半导体推出第三代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET晶体管

半导体最新一代碳化硅(SiC)功率器件,提升了产品性能和可靠性,保持惯有领先地位,更加适合电动汽车和高能效工业应用
2022-01-17 14:13:294628

半导体推出氮化镓(GaN)功率半导体新系列

半导体(简称ST)推出了一个新系列——氮化镓(GaN)功率半导体。该系列产品属于半导体的STPOWER产品组合,能够显著降低各种电子产品的能耗和尺寸。该系列的目标应用包括消费类电子产品的内置
2022-01-17 14:22:543358

半导体推出全新MDmesh MOSFET 提高能效和开关性能

半导体的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极功率MOSFET晶体管非常适用于设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关式电源 (SMPS)。
2022-05-19 14:41:472191

半导体推出先进STripFET F8 技术

 半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻和开关损耗,同时优化体寄生二极特性,降低功率转换、电机控制和配电电路的能耗和噪声。
2022-06-24 16:40:431804

半导体推出具超强散热能力的车规级表贴功率器件封装ACEPACK SMIT

半导体推出了各种常用桥式拓扑的ACEPACK SMIT封装功率半导体器件。与传统 TO 型封装相比,半导体先进的ACEPACK SMIT 封装能够简化组装工序,提高模块的功率密度。
2023-01-16 15:01:251612

半导体在智能出行、电源&能源、物联网&互联方面的先进产品和解决方案

在电源与能源应用领域,半导体将展示一款采用MASTERGAN和ST-ONEHP的140W 智能电源适配器。其中MASTERGAN在一个单一封装内整合了半导体第三代氮化镓(GaN)功率晶体管和改进的栅极驱动器。
2023-06-30 16:33:451393

MRF300AN/MRF300BN射频功率LDMOS晶体管规格书

MRF300AN/MRF300BN射频功率LDMOS晶体管规格书,这些设备被设计用于HF和VHF通信,工业、科学和医疗(ISM)以及广播和航空航天应用程序。这些设备非常坚固,表现出高性能高达250MHz。
2023-07-28 17:45:471

基于ST 半导体ST-ONE和MASTERGAN4的超高功率密度65W USB Type-C PD 3.1解决方案

ST-ONEMP与半导体的MasterGaN功率技术配套使用。 MasterGaN技术包含意半导体的集成栅极驱动器的氮化镓(GaN)宽带隙功率晶体管半导体GaN技术的开关频率比传统硅 MOSFET更高,使适配器能够提供更高的功率密度和符合最新生态设计规范的高能效。
2023-03-16 10:29:162011

半导体推出首款具有电流隔离功能的氮化镓晶体管栅极驱动器

2023 年 9 月 6 日,中国 ——半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器,新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸,降低了物料清单成本,能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电气保护的更高要求。
2023-09-07 10:12:132054

半导体推出新系列IGBT晶体管

半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V,最高工作温度拓宽到175°C,更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-12 10:38:001184

半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效

2023 年 9 月 11 日,中国 – 半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V,最高工作温度拓宽到175°C,更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01691

半导体推出新功率MOSFET和IGBT栅极驱动器

半导体(ST)近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性,还致力于提供高度的系统集成性和灵活性,以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:431511

半导体推出40V STripFET F8 MOSFET晶体管

半导体近期推出了标准阈值电压(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶体管系列。该系列晶体管融合了强化版沟槽栅技术的优势,并具备出色的抗噪能力,专为非逻辑电平控制的应用场
2024-12-11 14:27:00971

半导体发布250W MasterGaN参考设计

参考设计,旨在加速紧凑、高效工业电源的实现。 MasterGaN-SiP是半导体的创新之作,它将GaN功率晶体管与经过优化的栅极驱动器完美整合于一个封装内。这一设计不仅显著提升了电源的性能和可靠性,还通过高度集成的方式,极大地加快了设计速度,并有效节省了PCB电路板空间。 与传统
2024-12-25 14:19:481143

半导体推出全新40V MOSFET晶体管

半导体推出了标准阈值电压(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶体管,新系列产品兼备强化版沟槽栅技术的优势和出色的抗噪能力,适用于非逻辑电平控制的应用场景。
2025-01-16 13:28:271025

半导体推出250W MasterGaN参考设计

为了加快能效和功率密度都很出色的氮化镓(GaN)电源(PSU)的设计,半导体推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系统级封装(SiP)的谐振转换器参考设计。
2025-02-06 11:31:151134

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