ST推出新一代高频功率晶体管。新产品可有效延长如医用扫描仪和等离子发生器等大功率射频设备的运行时间,并可提高应用性能及降低设备成本。
2011-05-24 08:52:48
1285 意法半导体(STMicroelectronics,简称ST) 推出首款完全符合卫星和运载火箭电子子系统质量要求的功率系列产品。全新抗辐射功率MOSFET系列产品的额定输出电流为6A至80A,由5款N沟道和P沟道产
2011-06-15 08:49:08
1736 英飞凌科技推出用于商业航空电子设备和雷达系统的脉冲应用和其他类型工业放大器的高功率晶体管。基于全新的50V LDMOS工艺技术,全新推出的器件具备高能效、适用于小型化系统设计
2012-07-15 01:23:46
1633 TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT),推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化镓(GaN)HEMT射频功率晶体管产品。
2012-12-18 09:13:26
1621 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体意法半导体推出了其最新的物联网(IoT)射频收发器芯片,让智能物联网硬件具有极高的能效,可连续工作长达10年而无需更换电池。
2016-11-23 11:22:33
1555 选型手册:MRFE6VP61K25 系列 RF 功率 LDMOS 晶体管
2025-08-27 17:51:24
6131 
与双极型晶体管相比,LDMOS管的增益更高,LDMOS管的增益可达14dB以上,而双极型晶体管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右。这表明对于相同的输出功率需要更少的器件,从而增大功放的可靠性。
2020-04-07 09:00:33
晶体管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右。这表明对于相同的输出功率需要更少的器件,从而增大功放的可靠性。
2019-06-26 07:33:30
功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET,常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC,常简写为PIC)为主。
2020-04-07 09:00:54
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 06:13:27
的硬件和(免费)注册中国,2018年2月9日 —— 横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)今天宣布,包括学生
2018-02-09 14:08:48
提升功能集成度和设计灵活性,新增STM32F413/423两个产品线意法半导体(ST)先进图像防抖陀螺仪让下一代智能手机拍照不抖动意法半导体传感器通过阿里IoT验证,助力设备厂商更快推出新产品
2018-05-22 11:20:41
有源米勒钳位选配,提升高速开关抗干扰能力中国,2018年8月3日——意法半导体的STGAP2S单路电气隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压,准许用户选择独立的导通/关断输出或内部有源米勒钳
2018-08-06 14:37:25
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 推出汽车级六轴惯性传感器ASM330LHH ,为先进的车载导航
2018-07-17 16:46:16
环境的嵌入式系统公司意法半导体推出新款STM8 Nucleo开发板,为8位项目提供开源硬件资源简单便捷、开箱即用的IoT连接方案——意法半导体STM32蜂窝-云端探索套件经销商到货
2018-10-11 13:53:03
功率放大器以及商用和工业系统的功率放大器。意法半导体与远创达的合作协议将扩大意法半导体LDMOS产品的应用范围。协议内容保密,不对外披露。 相关新闻MACOM和意法半导体将硅上氮化镓推入主流射频市场
2018-02-28 11:44:56
• 意法半导体嵌入式软件包集成Sigfox网络软件,适用于各种产品,按照物联网应用开发人员的需求专门设计 • 使用STM32微控制器、超低功耗射频收发器、安全单元、传感器和功率管理器件,加快
2018-03-12 17:17:45
新闻意法半导体推出直观的固件开发工具,加快物联网传感器设计进程意法半导体推出新图形用户界面配置器,让STM8微控制器设计变得更快捷意法半导体(ST)推出新款STM32微控制器,让日用品具有像智能手机一样的图形用户界面`
2018-07-13 15:52:39
和RAM)。例如,对于内存来说太大的单个层可以分为两个步骤。之前的MLPerf Tiny结果显示,与标准CMSIS-NN分数相比,意法半导体的推理引擎(Arm的CMSIS-NN的优化版本)具有性能优势。STM32CubeAI开发云还将支持意法半导体即将推出的微控制器,包括内部开发的NPU,即STM32N6。
2023-02-14 11:55:49
于1997年,是一家通过ISO 9001:2008认证的射频功率晶体管,托盘和高功率放大器(HPA)认证的制造商。 这些产品基于GaN HEMT和Si LDMOS,VDMOS和双极技术。产品型号
2019-05-14 11:00:13
的高功率晶体管产品组合。我们目前的产品提供超过80%的效率,并利用GaN-on-SiC,Si-LDMOS和Si-VDMOS半导体技术。我们还致力于制造一些首批Si-bipolar器件,从而支持传统方案
2019-04-15 15:12:37
半导体元器件晶体管领域。功率半导体元器件的特点除了IGBT外,功率半导体元器件(晶体管领域)的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等,它们主要被用作半导体开关。根据其分别可支持的开关速度
2019-05-06 05:00:17
半导体元器件晶体管领域。功率半导体元器件的特点除了IGBT外,功率半导体元器件(晶体管领域)的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等,它们主要被用作半导体开关。根据其分别可支持的开关速度
2019-03-27 06:20:04
电子、汽车和无线基站项目意法半导体获准使用MACOM的技术制造并提供硅上氮化镓射频率产品预计硅上氮化镓具有突破性的成本结构和功率密度将会实现4G/LTE和大规模MIMO 5G天线中国,2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
众所周知,像硅双极晶体管等一些晶体管能够在其中一些半导体单元因短路或负载失配等原因损坏时继续工作。因此,将一个器件定义为“耐用晶体管”可能没有清晰的界限。对硅LDMOS晶体管的耐用性测试通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
智能电表芯片单片集成开发智能电表所需的全部重要功能,能够满足多个智能电网市场的需求。这些电表连接消费者和供电公司,提供实时电能计量和用电数据分析功能。意法半导体亚太区功率分立器件和Sub Analog
2018-03-08 10:17:35
超高性能产品。新产品非常适合那些对高精度、重复性和耐用性要求极高的应用。”意法半导体副总裁,MEMS传感器产品部总经理Andrea Onetti表示,“我们将在未来几个月持续推出新型的工业级精密传感器
2018-05-28 10:23:37
ST意法半导体意法半导体拥有48,000名半导体技术的创造者和创新者,掌握半导体供应链和先进的制造设备。作为一家半导体垂直整合制造商(IDM),意法半导体与二十多万家客户、成千上万名合作伙伴一起研发
2022-12-12 10:02:34
用于高频电路。砷化镓组件在高频、高功率、高效率、低噪声指数的电气特性均远超过硅组件,空乏型砷化镓场效晶体管(MESFET)或高电子迁移率晶体管(HEMT/PHEMT),在3 V 电压操作下可以有80
2019-07-29 07:16:49
功率管;根据半导体材料,有硅和锗管等。放大器电路由共发射极、共基极和共集电极组成。》场效应晶体管“场效应”的含义是晶体管的原理是基于半导体的电场效应。场效应晶体管是根据场效应原理工作的晶体管。场效应管
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 08:14:59
: STM )的射频和微控制器技术。 光宝通讯模块( ICM )事业部总经理吴松泉表示:“在与意法半导体合作开发的项目过程中,光宝看到了 Sigfox 应用的强劲成长势头。 我们相信,光宝的Sigfox
2018-07-13 11:59:12
什么是微波功率晶体管?如何提高微波功率晶体管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
对于低噪声放大器、功率放大器与开关器等射频前端组件的制造仍力有未逮。氮化镓GaN氮化镓并非革命性的晶体管技术,这种新兴技术逐渐用于替代横向扩散金属氧化物硅半导体(Si LDMOS)和砷化镓(GaAs
2016-09-15 11:28:41
求大佬分享一款适用于激光及MRI的宽带LDMOS晶体管
2021-06-08 06:29:42
(MicrosemiCorporation)扩展其基于碳化硅衬底氮化镓(GaNonSiC)技术的射频(RF)晶体管系列,推出新型S波段500WRF器件2729GN-500,新器件瞄准大功率空中交通控制机场监视雷达(ASR
2012-12-06 17:09:16
和频率电子应用中实现更高的效率而制造的。ST’s vipergan50高电压转换器我们首先要宣布的是来自意法半导体的消息。最近,它推出了 VIPERGAN50,一种基于 GaN 晶体管的功率转换器,为
2022-06-15 11:43:25
导读:近日,英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率(700瓦),适用于工作频率范围为1200 MHz~1400 MHz的雷达系统。这种新型器件可通过减少
2018-11-29 11:38:26
意法半导体官方的库怎么搞?求解答
2021-12-15 07:31:43
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)(由飞利浦创建的独立半导体公司)日前推出了全球首款真正的300W超高频( UHF)晶体管,即第六代高压LDMOS晶体管BLF878。这一新的大功率晶体管是市场
2010-09-17 18:29:31
20 意法半导体推出全新车用电源管理芯片
全球领先的汽车电子和功率半导体厂商意法半导体发布一款新的车身电源管理芯片。当今汽车的电子产品数
2009-11-09 08:47:33
1025 什么是RF LDMOS晶体管
DMOS主要有两种类型,垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET( vertical double-diffused MOSFET)和横向双扩
2010-03-05 16:22:59
7373 意法推出新的高效能系列功率整流二极管STPS50U100C
意法半导体(STMicroelectronics;ST)推出新的高效能系列功率整流二极管STPS50U100C,可协助产品制造
2010-04-02 11:47:44
981 意法半导体发布超低功耗整流二极管
功率半导体供应商意法半导体(纽约证券交易所代码:STM)推出新的高能效功率整流二极管
2010-04-06 13:29:52
1162 意法推出新评估平台Cadence OrCAD PSpice
意法半导体宣布成功开发一个新的评估平台,客户可以仿真意法半导体先进的模拟和功率芯片。Cadence® OrCAD®, PSpice®是一项稳健
2010-04-13 10:53:50
1314 恩智浦半导体NXP Semiconductors今天宣布推出广播发射机和工业用600W LDMOS超高频(UHF)射频功率晶体管BLF888A。恩智浦
2010-09-30 09:28:38
1185 意法半导体推出新一代上桥臂电流检测芯片,引领电池监控、电源管理及电机控制等控制功能向低成本高精度迈进,
2011-06-09 09:14:36
5234 2011年9月9日,德克萨斯州奥斯汀市 – 飞思卡尔半导体 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射频LDMOS晶体管,该产品结合了业界最高的输出功率、效率和其同类竞争器件中最强的耐用性,专门面向U
2011-09-13 18:25:06
1462 横跨多重电子应用领域半导体供应商 意法半导体 (ST)近日推出新款高压萧特基二极体(Schottky diode),有助于提高电信基地台和熔接设备的效能和稳健性。 意法半导体的新款200V功率萧特基
2011-10-08 09:05:28
1566 意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出新系列射频(RF)功率晶体管。
2011-10-12 11:35:11
2156 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)扩大高能效移动设备解决方案阵容,推出新款白光LED驱动器芯片。新产
2011-10-14 09:16:11
1499 意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)推出新款高压肖特基整流二极管,有助于提高电信基站和电焊机等设备的效能和稳健性。
2011-10-17 08:53:48
3477 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商及数据安全技术供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出新款数据加密芯片,新产品将会大幅降低个
2011-10-27 09:13:06
1449 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体推出新系列热插拔电源管理芯片STEF05和STEF12。
2011-11-22 10:05:45
1801 意法半导体推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功率MOSFET晶体管,MDmesh V系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管,拥有最低的单位面积通态电阻
2011-12-27 17:29:10
2989 
意法半导体推出新款电池剩余电量指示芯片。STC3115采用多项可改善长期监控准确度的创新专利技术,适用于大量生产的手持电子产品。
2013-03-05 09:13:18
6786 日前,射频功率技术领先供应商飞思卡尔宣布为其Airfast RF功率解决方案推出最新成员:包括三个LDMOS功率晶体管与一个氮化镓(GaN)晶体管,所有产品均超越地面移动市场要求。
2013-06-09 10:18:37
2188 恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(纳斯达克:NXPI)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管,作为特别关注TD-LTE的无线基站第八代LDMOS产品线的扩展产品。
2013-06-21 11:09:26
1974 Ampleon宣布推出全面广泛的模压塑料(overmoulded plastic, OMP) RF功率晶体管产品组合,采用众所周知的非常稳固LDMOS技术。
2016-01-13 15:37:09
2386 恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(Nasdaq: NXPI)日前宣布推出MRF1K50H射频晶体管,与采用任何技术或在任何频率下的产品相比,都具有最强大的性能
2016-05-09 11:53:05
1173 本报告将介绍一些最新的耐用型大功率LDMOS晶体管以及它们的电气特性,并通过比较测试过程来判断它们的耐用水平。
2017-09-15 16:10:15
17 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2017-11-23 18:58:37
738 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造 商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS
2017-12-07 06:22:21
884 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2017-12-07 17:53:08
622 安谱隆半导体(Ampleon)宣布,推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶体管。这是第一款采用安谱隆最新Gen9HV 50V LDMOS工艺的射频能量晶体管——该节点已为
2018-05-02 14:44:00
4395 安谱隆半导体(Ampleon)今天宣布,推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶体管。这是第一款采用安谱隆最新Gen9HV 50V LDMOS工艺的射频能量晶体管——该节点已为大幅提高效率、功率和增益做了优化。
2018-04-26 09:42:00
1878 安谱隆半导体(Ampleon)今天宣布,推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶体管。这是第一款采用安谱隆最新Gen9HV 50V LDMOS工艺的射频能量晶体管——该节点已为大幅提高效率、功率和增益做了优化。
2018-04-25 15:04:00
4912 ) MOSFET晶体管,此系列器件采用了最新的LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术。MRFX1K80H运用LDMOS技术来提高宽频应用的输出功率,同时维持适当的输出阻抗。
2018-05-08 18:36:00
1523 。MRF13750H晶体管基于50V硅技术LDMOS,突破了半导体射频功率放大器的极限,使之成为在高功率工业系统中替代真空管的极具吸引力的产品。
2018-05-08 10:19:00
2066 安谱隆半导体(Ampleon)推出一款多功能20W单级射频功率放大器驱动器晶体管。BLP9G0722-20G是一款高性价比的28V LDMOS器件,适用于0.4至2.7GHz的广泛应用。
2018-05-14 15:03:00
6244 240 W LDMOS功率晶体管封装了用于基站应用的不对称多尔蒂功率晶体管,其频率为2300 MHz至2400 MHz。
2018-08-14 08:00:00
19 180 W LDMOS功率晶体管在2000 MHz至2200 MHz的频率下用于基站应用。
2018-08-14 08:00:00
12 关键词:射频功率 , LDMOS , BLC2425M10LS500P 埃赋隆半导体(Ampleon)面向工作在2400MHz至2500MHz频率范围内的脉冲和连续波(CW)应用,推出500W
2019-01-20 16:51:01
994 埃赋隆半导体(Ampleon)近日宣布推出一款高效率750W射频功率晶体管BLF0910H9LS750P。它在915MHz时效率为72.5%,为同类最佳,其坚固耐用型设计也使其成为了工业和专业射频能源应用的理想选择。
2019-05-16 14:15:17
3332 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2020-08-20 18:50:00
0 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS
2020-08-12 18:52:00
1 基于MasterGaN®平台的创新优势,意法半导体推出了MasterGaN2,作为新系列双非对称氮化镓(GaN)晶体管的首款产品,是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案。 2021
2021-01-20 11:20:44
3769 意法半导体的MasterGaN4*功率封装集成了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化镓(GaN)功率晶体管,以及优化的栅极驱动器和电路保护功能,可以简化高达200W的高能效电源变换
2021-04-16 14:41:04
3668 ,还是适用于电源适配器和平板显示器的电源。 意法半导体800V STPOWER MDmesh K6系列,为这种超级结晶体管技术树立了高性能和易用性兼备的标杆。MDmesh K6 的RDS(on) x
2021-10-28 10:41:25
2244 意法半导体最新一代碳化硅(SiC)功率器件,提升了产品性能和可靠性,保持惯有领先地位,更加适合电动汽车和高能效工业应用
2022-01-17 14:13:29
4628 意法半导体(简称ST)推出了一个新系列——氮化镓(GaN)功率半导体。该系列产品属于意法半导体的STPOWER产品组合,能够显著降低各种电子产品的能耗和尺寸。该系列的目标应用包括消费类电子产品的内置
2022-01-17 14:22:54
3358 意法半导体的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极功率MOSFET晶体管非常适用于设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关式电源 (SMPS)。
2022-05-19 14:41:47
2191 意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻和开关损耗,同时优化体寄生二极管特性,降低功率转换、电机控制和配电电路的能耗和噪声。
2022-06-24 16:40:43
1804 意法半导体推出了各种常用桥式拓扑的ACEPACK SMIT封装功率半导体器件。与传统 TO 型封装相比,意法半导体先进的ACEPACK SMIT 封装能够简化组装工序,提高模块的功率密度。
2023-01-16 15:01:25
1612 
在电源与能源应用领域,意法半导体将展示一款采用MASTERGAN和ST-ONEHP的140W 智能电源适配器。其中MASTERGAN在一个单一封装内整合了意法半导体第三代氮化镓(GaN)功率晶体管和改进的栅极驱动器。
2023-06-30 16:33:45
1393 MRF300AN/MRF300BN射频功率LDMOS晶体管规格书,这些设备被设计用于HF和VHF通信,工业、科学和医疗(ISM)以及广播和航空航天应用程序。这些设备非常坚固,表现出高性能高达250MHz。
2023-07-28 17:45:47
1 ST-ONEMP与意法半导体的MasterGaN功率技术配套使用。 MasterGaN技术包含意法半导体的集成栅极驱动器的氮化镓(GaN)宽带隙功率晶体管。意法半导体GaN技术的开关频率比传统硅 MOSFET更高,使适配器能够提供更高的功率密度和符合最新生态设计规范的高能效。
2023-03-16 10:29:16
2011 
2023 年 9 月 6 日,中国 ——意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器,新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸,降低了物料清单成本,能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电气保护的更高要求。
2023-09-07 10:12:13
2054 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V,最高工作温度拓宽到175°C,更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00
1184 2023 年 9 月 11 日,中国 – 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V,最高工作温度拓宽到175°C,更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01
691 意法半导体(ST)近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性,还致力于提供高度的系统集成性和灵活性,以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43
1511 意法半导体近期推出了标准阈值电压(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶体管系列。该系列晶体管融合了强化版沟槽栅技术的优势,并具备出色的抗噪能力,专为非逻辑电平控制的应用场
2024-12-11 14:27:00
971 参考设计,旨在加速紧凑、高效工业电源的实现。 MasterGaN-SiP是意法半导体的创新之作,它将GaN功率晶体管与经过优化的栅极驱动器完美整合于一个封装内。这一设计不仅显著提升了电源的性能和可靠性,还通过高度集成的方式,极大地加快了设计速度,并有效节省了PCB电路板空间。 与传统
2024-12-25 14:19:48
1143 意法半导体推出了标准阈值电压(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶体管,新系列产品兼备强化版沟槽栅技术的优势和出色的抗噪能力,适用于非逻辑电平控制的应用场景。
2025-01-16 13:28:27
1025 为了加快能效和功率密度都很出色的氮化镓(GaN)电源(PSU)的设计,意法半导体推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系统级封装(SiP)的谐振转换器参考设计。
2025-02-06 11:31:15
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