贸泽电子即日起备货Maxim Integrated 的DS28E39和DS28E84 DeepCover®认证器。
2019-07-31 16:32:46
741 贸泽电子即日起开始备货Osram Opto Semiconductors的Osconiq® S 3030 QD LED。该中功率LED采用量子点 （QD） 可调谐光转换技术。
2019-10-15 16:08:161135 贸泽电子即日起开售NXP Semiconductors的Layerscape® LS1046A Freeway （FRWY-LS1046A） 评估板。
2019-10-30 17:19:511288 贸泽电子即日起开始供应Osram Opto Semiconductors的Oslon® Pure 1010 LED。
2019-10-31 14:44:411502 贸泽电子即日起备货NXP® Semiconductors i.MX 7ULP应用处理器。
2019-11-12 14:11:581110 电子元器件分销商贸泽电子 （Mouser Electronics） 即日起开始备货Samtec的5G汽车与交通运输连接解决方案，并可当天发货。
2019-12-13 14:28:35825 贸泽电子 （Mouser Electronics） 即日起开始备货GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1评估板。
2020-03-16 15:04:331201 贸泽电子 （Mouser Electronics） 即日起开始备货Microchip Technology的全新AgileSwitch®相臂SiC MOSFET模块。
2020-10-15 14:17:12948 贸泽电子即日起开始备货Laird Connectivity的FlexPIFA 6E天线。
2021-11-18 09:56:311679 
贸泽电子宣布即日起开售Fujitsu Semiconductor Memory Solution的铁电随机存取存储器 （FRAM） 和高密度电阻式随机存取存储器 （ReRAM） 产品。
2021-12-13 14:06:53960 
（Mouser Electronics） 即日起开始备货Vishay Intertechnology的VEMI256A-SD2双通道EMI滤波器。
2022-02-08 11:18:401629 
80S51的IO该如何利用晶体管驱动外围设备？ 80C51单片机的P1、P2、P3都是准双向IO，P0是开漏IO。对开漏IO来说，外接上拉电阻后，特性与准双向IO类似。准双向IO的特点是，高电平
2012-08-17 21:33:22
80W晶体管与电子管混合纯甲类功放电路[hide]80W晶体管电子管混合纯甲类功放的制作[/hide]
2009-12-15 10:48:06
GaN为5G sub-6GHz大规模MIMO基站应用提供的优势LDMOS的优势是什么如何选择正确的晶体管技术
2021-03-09 07:52:21
与双极型晶体管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以上，而双极型晶体管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右。这表明对于相同的输出功率需要更少的器件，从而增大功放的可靠性。
2020-04-07 09:00:33
LDMOS晶体管的应用，也使得LDMOS的技术不断成熟，成本不断降低，因此今后在多数情况下它将取代双极型晶体管技术。与双极型晶体管相比,LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以上，而双极型
2019-06-26 07:33:30
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 编辑
晶体管作为电流单方向通过的电子开关使用晶体管也可以作为电子开关使用。但这个开关的电流方向只能是单向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
一、晶体管如何表示0和1 从第一台计算机到EDVAC，这些计算机使用的都是电子管和二极管等元件，利用这些元件的开关特性实现二进制的计算。然而电子管元件有许多明显的缺点。例如，在运行时产生的热量
2021-01-13 16:23:43
1．反向击穿电流的检测 普通晶体管的反向击穿电流（也称反向漏电流或穿透电流），可通过测量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时，将万用表置于R×1k档， NPN型管的集电极C接黑表笔
2012-04-26 17:06:32
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
从事电子设计7年了，发觉这两本书挺好的，发上来给大家分享一下附件晶体管电路设计（上）放大电路技术的实验解析.pdf42.5 MB晶体管电路设计（下）FET_功率MOS_开关电路的实验解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
在合理设置静态工作点和输入为交流小信号的前提下，晶体管可等效为一个线性双端口电路。如图Z0212所示。 晶体管的端口电压和电流的关系可表示为如图Z0213所示。 h 参数
2021-05-13 07:56:25
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
晶体管的代表形状晶体管分类图：按照该分类，掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi（2个）、极是指Polar（极性）。双极晶体管，即流经构成
2019-04-10 06:20:24
本篇开始将为大家介绍“Si晶体管”。虽然统称为“Si晶体管”，不过根据制造工艺和结构，还可分为“双极”、“MOSFET”等种类。另外，还可根据处理的电流、电压和应用进行分类。下面以“功率元器件”为主
2018-11-28 14:29:28
晶体管概述的1. 1948年、在贝尔电话研究所诞生。1948年，晶体管的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首，电子技术取得急速
2019-07-23 00:07:18
晶体管概述的1. 1948年、在贝尔电话研究所诞生。1948年，晶体管的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首，电子技术取得急速
2019-05-05 00:52:40
1．晶体管的结构晶体管内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C或c表示），基极（用字母B或b表示）和发射极（用字母E或e表示）。如图5-4所示，晶体管的两个PN结分别称为集电结（C、B极
2013-08-17 14:24:32
晶体管的品种繁多，不同的电子设备与不同的电子电路，对晶体管各项性能指标的要求是不同的。所以，应根据应用电路的具体要求来选择不同用途，不同类型的晶体管。 1．一般高频晶体管的选用一般小信号处理（例如
2012-01-28 11:27:38
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
如果说起来，电子管也算得上是晶体管的“前辈”了。但是，如今电子管在电子电路设计领域中的地位已经渐渐地被晶体管所取代，只有在少数对于音频质量有着极高要求的产品中，才会出现电子管的身影。那么晶体管
2016-01-26 16:52:08
2023年2月27日 – 专注于推动行业创新的知名新品引入 (NPI) 分销商™贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货ams OSRAM的Mira220全局快门传感器。此
2023-02-28 09:31:06
、航空航天和国防应用提供产品和解决方案。高电压、高功率、坚固耐用的晶体管，具有无与伦比的效率和出色的热性能。正在寻找无可争议且可靠的无线电覆盖范围？从我们专为 0.4-1 GHz 操作而设计的完整移动
2021-06-28 18:02:51
于1997年，是一家通过ISO 9001：2008认证的射频功率晶体管，托盘和高功率放大器（HPA）认证的制造商。 这些产品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和双极技术。产品型号
2019-05-14 11:00:13
的高功率晶体管产品组合。我们目前的产品提供超过80％的效率，并利用GaN-on-SiC，Si-LDMOS和Si-VDMOS半导体技术。我们还致力于制造一些首批Si-bipolar器件，从而支持传统方案
2019-04-15 15:12:37
`IDM165L650是一种高功率脉冲晶体管，专为工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系统而设计。 该双MOSFET器件以1ms的脉冲宽度和20％的占空比工作，在瞬时工作带宽上以
2021-04-01 10:03:31
）认证的制造商。 这些产品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和双极技术。产品型号：IGT2731L120产品名称： S波段晶体管 产品特性GaN HEMT技术对SiCP out-pk
2018-11-12 10:26:20
用于开发稳健的物联网及可穿戴应用 2018年6月4日 – 专注于新产品引入 (NPI) 并提供极丰富产品类型的业界顶级半导体和电子元件分销商贸泽电子即日起备货 Semiconductor
2018-09-21 11:51:15
型掺杂半导体材料隔开。PNP晶体管中的大多数电流载流子是空穴s，而电子是少数电流载流子。施加到PNP晶体管的所有电源电压的极性都是反转的。电流在PNP中吸收到基极，由于PNP是电流控制器件，适度的基极
2023-02-03 09:44:48
众所周知，像硅双极晶体管等一些晶体管能够在其中一些半导体单元因短路或负载失配等原因损坏时继续工作。因此，将一个器件定义为“耐用晶体管”可能没有清晰的界限。对硅LDMOS晶体管的耐用性测试通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
SGFCF2002S-D氮化镓晶体管SGNH130M1H氮化镓晶体管SGNE010MK氮化镓晶体管SGCA100M1H氮化镓晶体管SGCA030M1H氮化镓晶体管深圳市立年电子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:14:59
SGFCF2002S-D氮化镓晶体管SGNH130M1H氮化镓晶体管SGNE010MK氮化镓晶体管SGCA100M1H氮化镓晶体管SGCA030M1H氮化镓晶体管深圳市立年电子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:24:16
化镓晶体管SGN36H120M1H砷化镓晶体管SGNH360M1H砷化镓晶体管SGN31E030MK砷化镓晶体管SGK5254-30A-R砷化镓晶体管深圳市立年电子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:32:19
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
设计芯片和智能设备产品时，却不得不考虑其影响。 芯片里程表 明尼苏达大学电气工程教授Chris H. Kim早在10多年前就开始对晶体管老化对芯片和电子系统的影响开始进行研究和试验。他最早提出
2017-06-15 11:41:33
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
200，000个电子，而单个电子晶体管仅包含一个或几个电子，因此将大大降低功耗并提高集成电路的集成度。1989年，J.H.F.Scott-Thomas等研究人员发现了库仑阻塞现象。当施加电压时，如果量子点中
2023-02-03 09:36:05
v-1 s-1，是硅基晶体管的四分之一。低电子迁移率阻滞了透明晶体管的电流承载能力。目前，薄膜晶体管受限于低电流、低速率、且需高压驱动。当务之急是找出能生产透明高性能器件的替代材料。 替代导电氧化物
2020-11-27 16:30:52
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 08:14:59
达林顿晶体管是一对双极晶体管，连接在一起，从低基极电流提供非常高的电流增益。输入晶体管的发射极始终连接到输出晶体管的基极;他们的收藏家被绑在一起。结果，输入晶体管放大的电流被输出晶体管进一步放大
2023-02-16 18:19:11
做了一个单结晶体管仿真（电力电子技术的初学者）。有个问题请教于各位高手。1：开关初始时刻是闭合的时候，点击仿真，发光二极管不亮 。:2：初始时刻，开关打开，点击仿真后，点击开关闭合，二极管开始闪烁。按照道理来说。情境1与情境2不应该是一样的吗，为什么会有差别啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
）需要几毫安才能上电，并且可以由逻辑门输出驱动。然而，螺线管、灯和电机等大功率电子设备比逻辑门电源需要更多的电力。输入晶体管开关。 晶体管开关操作和操作区域 图 1 中图表上的蓝色阴影区域表示饱和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
为了改善晶体管的开关特性，减小晶体管的损耗，在晶体管基极驱动电路的设计上会采取一些加速措施。如下： 加速电路一 在加速电路一中，并联在RB两端的电容CB称为加速电容，数值一般在1
2020-11-26 17:28:49
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 06:13:27
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
晶体管为保持ON状态的最低电压、定义VI(on)为min错误观点1：由0开始依次加入输入电压。2：达到1.8V时，数字晶体管启动。3：因在规格书规定的3V(min) 以下，故判断为不合格。正确观点A
2019-04-22 05:39:52
混淆VI(on): 数字晶体管为保持ON状态的最低电压、定义VI(on)为min错误观点1：由0开始依次加入输入电压。2：达到1.8V时，数字晶体管启动。3：因在规格书规定的3V(min) 以下，故
2019-04-09 21:49:36
有谁知道贸泽电子卖的运放里面有假货吗？
2020-06-06 15:40:23
晶体管的代表形状晶体管分类图：按照该分类，掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi（2个）、极是指Polar（极性）。双极晶体管，即流经构成
2019-05-05 01:31:57
和500KHz的半桥LLC谐振转换器的拓扑结构。在较高频率下，无源谐振电路（例如变压器、谐振电感器和谐振电容器）的尺寸明显减小，从而提高了功率密度。此外，还需要考虑功率晶体管（Q1和Q2）的选择，以权衡
2023-02-27 09:37:29
求大佬分享一款适用于激光及MRI的宽带LDMOS晶体管
2021-06-08 06:29:42
低热阻：0.2℃/W 运用GaNonSiC高电子迁移率晶体管(HEMT)完成的零碎劣势包括： 具有简化阻抗婚配的单端设计，替代需求额定分解的较低功率器件 最顶峰值功率和功率增益，可增加零碎
2012-12-06 17:09:16
所需的组件，降低系统成本，提高可靠性。 英飞凌新型功率晶体管PTVA127002EV非常适用于空中交通管制应用和气象观察应用的L波段雷达系统。雷达系统在特定频率范围内发射高能电子脉冲，然后检测脉冲
2018-11-29 11:38:26
ART1K6FHG功率LDMOS晶体管 这款 1600 W LDMOS RF 功率晶体管基于先进耐用技术 (ART)，旨在涵盖 ISM、广播和通信的广泛应用。不匹配的晶体管的频率范围为 1
2024-02-29 20:57:46
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)（由飞利浦创建的独立半导体公司）日前推出了全球首款真正的300W超高频（ UHF）晶体管，即第六代高压LDMOS晶体管BLF878。这一新的大功率晶体管是市场
2010-09-17 18:29:31
20 什么是RF LDMOS晶体管
DMOS主要有两种类型，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET（ vertical double-diffused MOSFET）和横向双扩
2010-03-05 16:22:596177 恩智浦半导体NXP Semiconductors今天宣布推出广播发射机和工业用600W LDMOS超高频(UHF)射频功率晶体管BLF888A。恩智浦
2010-09-30 09:28:38849 恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）（纳斯达克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管，作为特别关注TD-LTE的无线基站第八代LDMOS产品线的扩展产品。
2013-06-21 11:09:261535 2013年12月6日 – 贸泽电子 （Mouser Electronics） 即日起开始供应新一代具有 USB 3.0 和图形支持的 Intel® Atom™ 22nm 64 位多核处理器，该处理器旨在用于从智能手机到智能嵌入式系统的高性能低功耗应用。
2013-12-09 09:56:531083 2013年12月24日 – 贸泽电子 （Mouser Electronics） 即日起开始供应 Analog Devices Inc （ADI） 的新型 ADuM144x 4 通道数字隔离器，堪称现在所有数字隔离器中功耗最低的隔离器。
2013-12-24 17:47:27829 贸泽电子（Mouser Electronics） 即日起开始分销NXP Semiconductors的 QN902x超低功耗蓝牙片上系统 （SoCs） 和 QN9020蓝牙开发套件。QN902x
2016-05-05 15:43:581159 贸泽电子 （Mouser Electronics） 即日起开始供应OSRAM Opto Semiconductors的SFH 4715AS和SFH 4716AS红外LED （IRED），此为IR
2018-04-17 16:32:001055 贸泽电子(Mouser)即日起开始供应恩智浦(NXP)S32V234视觉与感测融合处理器。S32V234的设计可支援视觉与感测器融合应用中的安全运算应用，包括先进驾驶辅助系统(ADAS)、前方摄影机
2018-02-05 05:55:111219 最新半导体和电子元件的全球授权分销商贸泽电子 （Mouser Electronics） 即日起开始备货Hirose Electric Company的IX Industrial系列I/O 连接器
2018-04-25 14:32:00981 近日，半导体和电子元件的全球授权分销商贸泽电子 （Mouser Electronics） 即日起开始备货Hirose Electric Company的IX Industrial系列I/O 连接器
2018-04-17 17:48:001853 贸泽电子 （Mouser Electronics）即日起开始备货LTM8065 μModule降压稳压器，这是Analog Devices， Inc旗下Linear Technology公司的一款
2018-04-28 10:52:001056 最新半导体和电子元件的全球授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货NXP Semiconductors的S32R274雷达微控制器。S32R274结合了信号处理加速
2018-06-08 00:22:003246 贸泽电子 （Mouser Electronics） 即日起备货NXP Semiconductors的S32R274雷达微控制器。S32R274结合了信号处理加速与多核架构，其在工业和自动化应用中的性能最高可达前代产品的四倍，能满足现代波束成形以及快速线性调频雷达系统的高性能计算需求。
2018-05-04 15:27:001122 专注于新产品引入 （NPI） 并提供极丰富产品类型的业界顶级半导体和电子元件分销商贸泽电子 （Mouser Electronics） 即日起开始分销TDK Group旗下子公司InvenSense
2018-05-10 17:15:001207 贸泽电子 （Mouser Electronics） 即日起开始供货GaN Systems的GSP65RxxHB-EVB绝缘金属基板 （IMS） 评估平台。IMS评估平台价格亲民，对于汽车、消费电子、工业和服务器或数据中心应用中的功率系统而言，能够改善热传导性能、提高功率密度并降低系统成本。
2018-05-10 10:17:001473 贸泽电子（Mouser Electronics） 即日起开始备货Silicon Labs的两款全新zigbee互联家居参考设计。zigbee智能插座参考设计和zigbee占位传感器参考设计透过业界
2018-05-14 11:51:00864 最新半导体和电子元件的全球授权分销商贸泽电子 （Mouser Electronics） 即日起备货Renesas Electronics的RX130系列32位单片机。RX130单片机采用全新的电容式
2018-05-16 15:52:00716 最新半导体和电子元件的全球授权分销商贸泽电子 （Mouser Electronics） 即日起备货STMicroelectronics （ST） 的ACEPACK™ IGBT模块。Adaptable
2018-05-16 15:11:001090 贸泽电子（ Mouser Electronics） 即日起备货Maxim Integrated 的MAX77734 电源管理IC （PMIC）。此款超小尺寸、超低功耗的PMIC可帮助设计师延长可穿戴设备以及耳戴式智能设备的锂离子电池寿命。
2018-05-14 09:49:001262 贸泽电子 （Mouser Electronics） 即日起开售 Murata的DMH系列超级电容。此系列超级电容具有仅0.4mm的超薄身材，适用于可穿戴设备、医疗贴片、电子纸、智能卡和其他空间受限移动装置的峰值功率辅助。
2018-05-17 09:20:001147 专注于引入新品并提供海量库存的半导体与电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货TE Connectivity (TE) 的ELCON Micro电源连接器。
2019-03-09 09:21:52705 即日起备货NXP Semiconductors的i.MX RT117F跨界处理器。该处理器在NXP著名的EdgeReady产品组合基础上加以扩展，提供了安全的低成本嵌入式3D人脸识别解决方案。通过
2022-12-07 14:41:281533 2023 年9 月20 日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货NXP Semiconductors
2023-09-25 09:45:34112
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