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电子发烧友网>RF/无线> 如何验证RF功率晶体管的耐用性

如何验证RF功率晶体管的耐用性

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采用TO-72封装的硅NPN RF晶体管BFX89和BFY90

硅NPN RF晶体管BFX89、BFY90,专为VHF/UHF放大器、振荡器、转换器应用BFX89和BFY90硅NPN RF晶体管采用TO-72封装方式封装。它们的实物如图1所示,专为VHF/UHF
2019-04-08 01:46:37

飞思卡尔推出面向OEM的工业RF LDMOS功率晶体管

  飞思卡尔半导体公司以合理的性价比点,面向OEM(原始设备制造商)推出三款先进的工业RF功率晶体管。 增强的耐用性与领先的RF性能结合,使OEM厂商能够大幅缩减在工业和商用
2010-11-23 09:31:271045

飞思卡尔推出射频高功率LDMOS晶体管

2011年9月9日,德克萨斯州奥斯汀市 – 飞思卡尔半导体 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射频LDMOS晶体管,该产品结合了业界最高的输出功率、效率和其同类竞争器件中最强的耐用性,专门面向U
2011-09-13 18:25:061179

最新耐用型大功率LDMOS晶体管耐用测试及应用类型

众所周知,像硅双极晶体管等一些晶体管能够在其中一些半导体单元因短路或负载失配等原因损坏时继续工作。因此,将一个器件定义为“耐用晶体管”可能没有清晰的界限。对硅LDMO
2012-05-28 11:18:541774

RF功率晶体管耐用性验证方案

本报告将介绍一些最新的耐用型大功率LDMOS晶体管以及它们的电气特性,并通过比较测试过程来判断它们的耐用水平。
2012-05-28 11:42:271301

耐用型大功率LDMOS晶体管介绍

  本报告将介绍一些最新的耐用型大功率LDMOS晶体管以及它们的电气特性,并通过比较测试过程来判断它们的耐用水平。
2017-09-15 16:10:1515

射频功率晶体管耐用性验证

目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2017-11-23 18:58:37377

射频功率晶体管耐用性验证

目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造 商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS
2017-12-07 06:22:21461

检验RF功率晶体管耐用性测试方案

目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-03-18 15:53:16947

如何验证射频功率晶体管耐用性

目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2020-08-20 18:50:000

如何提高RF功率晶体管耐用性验证方案详细说明

能够在高输出功率电平下承受严苛的负载失配状况而不降低性能或造成器件故障。当晶体管工作在负载失配状态下时,它的输出功率有很大一部分会被反射进器件,此时功率必须在晶体管中耗散掉。但在比较不同耐用性晶体管时,重要的是
2020-08-14 18:51:000

如何才能提高RF功率晶体管耐用性

 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS
2020-08-12 18:52:000

功率 MOSFET 单次和重复雪崩耐用性等级-AN10273

功率 MOSFET 单次和重复雪崩耐用性等级-AN10273
2023-02-09 19:23:422

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