ST推出新一代高频功率晶体管。新产品可有效延长如医用扫描仪和等离子发生器等大功率射频设备的运行时间，并可提高应用性能及降低设备成本。
2011-05-24 08:52:48
1285 在高频（3-30MHz）到250MHz频率范围内，性能强大的IDEV系列能够提供高达2.2kW的连续波（CW）输出功率，而且只采用一个陶瓷封装，因此减少了广播发射机等大功率应用所需的射频功率晶体管的总数量。
2021-08-13 11:24:033606 
深圳市三佛科技有限公司供应2SA1943 大功率功放管PNP型高压晶体管，原装现货
2SA1943是一款PNP型高压晶体管，专为低频或音频放大，直流转直流转换器，其他高功率电路，其电压-集电极
2025-06-05 10:18:15
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 06:13:27
。射频功率晶体管在许多性能上要优于传统的磁控管，包括在烹调过程中能对炉内的射频功率电平和射频能量投射方向进行更高的精度的控制。而今的微波炉对其功率电平或射频能量的投射方向缺乏必要的有效控制能力，这将导致
2017-04-05 10:56:33
当今射频能量的最大潜在市场之一是在烹饪和加热方面的应用。现在全球每年微波炉的制造产量远超7000 万台，从低成本的消费类产品到高端的专业和工业加热炉，它的产品类型跨度很广。射频功率晶体管在许多性能
2019-07-31 06:04:54
脉冲功率。 在没有外部调谐的情况下，所有设备都在宽带RF测试夹具中100％屏蔽了大信号RF参数。硅双极匹配50欧姆210W输出功率经过100％大功率射频测试C级操作IB0607S10功率晶体管
2021-04-01 10:07:29
匹配50欧姆600W输出功率经过100％大功率射频测试C级操作IB0810M100功率晶体管IB0810M12功率晶体管IB0810M210功率晶体管IB0810M50功率晶体管IB0912L200功率
2021-04-01 09:41:49
匹配50欧姆600W输出功率经过100％大功率射频测试C级操作IGN2731M180功率晶体管IGN2731M200功率晶体管IGN2731M250功率晶体管IGN2731M5功率晶体管
2021-04-01 10:29:42
`IB2729M170是专为S波段ATC雷达系统设计的大功率脉冲晶体管，该系统工作在2.7-2.9 GHz的瞬时带宽上。 在C类模式下工作时，该通用基础设备在100µs脉冲宽度和10％占空比的条件下
2021-04-01 09:48:36
650W输出功率经过100％大功率射频测试C级操作IGN3135L115功率晶体管IGN3135L12功率晶体管IGN3135M135功率晶体管IGN3135M250功率晶体管IGN5259M80R2功率
2021-04-01 10:03:31
，装在基于金属的封装中，并用陶瓷环氧树脂盖密封。GaN on SiC HEMT技术40W输出功率AB类操作预先匹配的内部阻抗经过100％大功率射频测试负栅极电压/偏置排序IGN2731M5功率晶体管
2021-04-01 09:57:55
`MACOM以分立器件、模块和单元的形式提供广泛的射频功率半导体产品，支持频率从DC到6GHz。高功率晶体管完美匹配民用航空、通讯、网络、雷达、广播、工业、科研和医疗领域。MACOM的产品线借助于
2017-08-14 14:41:32
，可帮助系统设计人员简化和加快产品开发，使其能够轻松微调射频能量输出水平，从而最大限度地提高效率和增强性能。MACOM的射频能量工具包将其硅基氮化镓功率晶体管的优势与直观、灵活的软件和信号控制能力相结合
2017-08-03 10:11:14
频率范围内的线性大信号输出级。产品型号：MRF154产品名称：射频晶体管MRF154产品特性N沟道增强型MOSFET指定的50伏特，30兆赫的特性-输出功率＝600瓦，功率增益＝17分贝（Typ），效率
2018-08-07 17:17:34
NPT2020射频晶体管产品介绍NPT2020报价NPT2020代理NPT2020咨询热线NPT2020现货,王先生*** 深圳市首质诚科技有限公司, MACOM公司的开关和衰减器专用PIN二极管
2018-09-26 09:04:23
`产品型号：NPTB00025B产品名称: 射频功率晶体管NPTB00025B 产品特性针对DC-4000MHz的宽带运行进行了优化散热增强的行业标准包装100％射频测试具有高达32V的工作电压
2019-11-01 10:46:19
NRT 大功率通过式射频功率计东莞市鹏庆电子仪器有限公司地址：广东省东莞市塘厦镇花园新街花园中心A座联系方式：彭女士：***（同微） 欧阳先生：18922916056（同微） 电话
2021-08-28 15:39:22
QPD1020射频功率晶体管产品介绍QPD1020报价QPD1020代理QPD1020咨询热线QPD1020现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1020是30 W（p3db），50欧姆输入
2018-07-27 11:20:12
T2G6003028-FS射频功率晶体管产品介绍T2G6003028-FS报价T2G6003028-FS代理T2G6003028-FS现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司T2G6003028-FS
2018-11-16 09:49:48
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 08:14:59
情况下，在HF~VHF频段设计的宽带射频功放，采用场效应管(FET)设计要比使用常规功率晶体管设计方便简单，正是基于场效应管输入阻抗比较高，且输入阻抗相对频率的变化不会有太大的偏差，易于阻抗匹配
2019-06-19 06:30:29
本文的大功率宽频带线性射频放大器是利用MOS场效应管（MOSFET）来设计的，采取AB类推挽式功率放大方式，其工作频段为O 6M～10MHz，输出的脉冲功率为1200W。经调试使用，放大器工作稳定
2021-04-20 06:24:04
(MicrosemiCorporation)扩展其基于碳化硅衬底氮化镓(GaNonSiC)技术的射频(RF)晶体管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄准大功率空中交通控制机场监视雷达(ASR
2012-12-06 17:09:16
针对可靠的高功率和高频率电子设备，制造商正在研究氮化镓(GaN)来制造具有高开关频率的场效应晶体管(FET)由于硅正在接近其理论极限，制造商现在正在研究使用宽带隙(WBG)材料来制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
导读：近日，英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率（700瓦），适用于工作频率范围为1200 MHz~1400 MHz的雷达系统。这种新型器件可通过减少
2018-11-29 11:38:26
高频中、大功率晶体管一般用于视频放大电路、前置放大电路、互补驱动电路、高压开关电路及行推动等电路。常用的国产高频中、大功率晶体管有3DG41A~3DG41G、3DG83A~3DG83E、3DA87A
2013-08-17 14:26:19
激光调制的可控大功率微波射频源:本文研究了用于激光调制的可控大功率微波射频源的设计技术及其实现技术。文中详细阐述了大功率微波源的硬件实现技术、微波信号源的控制技
2009-10-23 13:04:18
16 大功率开关晶体管的重要任务
现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率，使用功率晶体管作为开关有很多优点，主要是；
(1)容易关断，所需要的辅
2010-02-06 10:23:4943
大功率晶体管驱动电路的设计及其应用
摘要：介绍了大功率晶体管（GTR）基极驱动电路的设计，分析了基极驱动电路的要求
2009-07-09 10:36:404644 
大功率开关—晶体管的重要任务
(一)控制大功率
现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率，使用功率晶体管作为开关有很多优点，主要是；
(1)容易关断，
2009-07-29 16:09:522117 
大功率晶体管的修理
2009-08-22 16:08:06415 
TIP41C低频大功率平面晶体管芯片设计
0 引言
TIP41C是一种中压低频大功率线性开关晶体管。该器件设计的重点是它的极限参数。设计反压较高的大功率晶体管
2009-12-24 17:04:5612279 
恩智浦半导体NXP Semiconductors今天宣布推出广播发射机和工业用600W LDMOS超高频(UHF)射频功率晶体管BLF888A。恩智浦
2010-09-30 09:28:381186 2011年9月9日，德克萨斯州奥斯汀市 – 飞思卡尔半导体 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射频LDMOS晶体管，该产品结合了业界最高的输出功率、效率和其同类竞争器件中最强的耐用性，专门面向U
2011-09-13 18:25:061462 意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)推出新系列射频(RF)功率晶体管。
2011-10-12 11:35:112156 晶体管，大功率，晶体管参数NPN型、大功率开关管、音频功放开关、达林顿、音频功放开关。
2015-11-09 16:22:150 荷兰奈梅亨 – 2016年1月13日 -Ampleon宣布推出全面广泛的模压塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶体管产品组合，采用众所周知的非常稳固LDMOS技术
2016-01-13 11:14:372002 Ampleon宣布推出全面广泛的模压塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶体管产品组合，采用众所周知的非常稳固LDMOS技术。
2016-01-13 15:37:092387 恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）（Nasdaq： NXPI）日前宣布推出MRF1K50H射频晶体管，与采用任何技术或在任何频率下的产品相比，都具有最强大的性能
2016-05-09 11:53:051173 全球最大的射频功率晶体管供应商恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)今日宣布推出业内面向915MHz应用的最高功率晶体管。MRF13750H晶体管提供750W连续波(CW
2017-07-05 11:41:11652 本报告将介绍一些最新的耐用型大功率LDMOS晶体管以及它们的电气特性，并通过比较测试过程来判断它们的耐用水平。
2017-09-15 16:10:1517 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2017-11-23 18:58:37738 案例与到会的相关技术人员进行了深入的探讨和交流。 作为本次研讨会的主办方之一，英飞凌 IFX市场和商务拓展经理闫志国介绍了基于英飞凌全新的50V LDMOS工艺技术的PTVA系列高功率晶体管。该系列产品是目前全球同类产品中极具技术和市场优势的大功率晶体管器件，可用于商业
2017-12-06 15:38:02494 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造 商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS
2017-12-07 06:22:21884 情况下，在HF~VHF频段设计的宽带射频功放，采用场效应管(FET)设计要比使用常规功率晶体管设计方便简单，正是基于场效应管输入阻抗比较高，且输入阻抗相对频率的变化不会有太大的偏差，易于阻抗匹配
2017-12-10 13:28:566531 
安谱隆半导体（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶体管。这是第一款采用安谱隆最新Gen9HV 50V LDMOS工艺的射频能量晶体管——该节点已为大幅提高效率、功率和增益做了优化。
2018-04-26 09:42:001878 安谱隆半导体（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶体管。这是第一款采用安谱隆最新Gen9HV 50V LDMOS工艺的射频能量晶体管——该节点已为大幅提高效率、功率和增益做了优化。
2018-04-25 15:04:004912 恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）推出业内面向915MHz应用的最高功率晶体管。MRF13750H晶体管提供750W连续波（CW），比目前市场上同类产品高出百分之五十
2018-05-08 10:19:002066 埃赋隆半导体（Ampleon）今天宣布推出大功率坚固型BLF189XRA RF功率晶体管，用于88-108MHz频率范围内的广播FM无线电应用。
2018-09-30 16:41:003381 荷兰奈梅亨 – 埃赋隆半导体（Ampleon）今天宣布推出一款高效率750W射频功率晶体管BLF0910H9LS750P。它在915MHz时效率为72.5%，为同类最佳，其坚固耐用型设计也使其成为了工业和专业射频能源应用的理想选择。
2019-04-10 15:13:061280 埃赋隆半导体（Ampleon）近日宣布推出一款高效率750W射频功率晶体管BLF0910H9LS750P。它在915MHz时效率为72.5%，为同类最佳，其坚固耐用型设计也使其成为了工业和专业射频能源应用的理想选择。
2019-05-16 14:15:173333 带跳频、扩频技术对固态线性功率放大器设计提出了更高的要求，即射频功率放大器频率宽带化、输出功率更大化、整体设备模块化。 通常情况下，在HF~VHF频段设计的宽带射频功放，采用场效应管（FET）设计要比使用常规功率晶体管
2020-04-07 10:53:208167 
当今射频能量的最大潜在市场之一是在烹饪和加热方面的应用。现在全球每年微波炉的制造产量远超7000 万台，从低成本的消费类产品到高端的专业和工业加热炉，它的产品类型跨度很广。射频功率晶体管在许多性能
2020-09-29 10:44:000 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管
2020-08-20 18:50:000 硅NPN大功率晶体管2SC2246中文手册免费下载。
2022-03-21 17:21:5313 50 V、2 A NPN 大功率双极晶体管-MJD2873-Q
2023-02-16 20:21:310 45 V、4 A NPN 大功率双极晶体管-MJD148-Q
2023-02-16 20:21:420 100 V、6 A PNP 大功率双极晶体管-MJD42C
2023-02-16 20:29:070 100 V、6 A NPN 大功率双极晶体管-MJD41C
2023-02-16 20:29:210 50 V、2 A NPN 大功率双极晶体管-MJD2873
2023-02-16 20:44:110 45 V、4 A NPN 大功率双极晶体管-MJD148
2023-02-16 20:44:240 NPN/NPN大功率双双极晶体管-PHPT610035NK
2023-02-17 19:08:240 100 V、3 A PNP 大功率双极晶体管-MJD32CA
2023-02-17 19:10:300 100 V、3 A NPN 大功率双极晶体管-MJD31CA
2023-02-17 19:10:430 100 V、3 A NPN 大功率双极晶体管-MJD31C
2023-02-17 19:30:101 100 V、3 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT61003NY
2023-02-17 19:34:120 NPN/PNP大功率双双极晶体管-PHPT610030NPK
2023-02-17 19:35:000 NPN/NPN大功率双双极晶体管-PHPT610030NK
2023-02-17 19:35:190 100 V、3 A PNP 大功率双极晶体管-MJD32C
2023-02-20 19:35:381 60 V、10 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT60610PY
2023-02-21 18:19:050 60 V、10 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT60610NY
2023-02-21 18:19:170 40 V、15 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT60415NY
2023-02-21 18:19:270 40 V、15 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT60415PY
2023-02-21 18:19:410 100 V、2 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT61002PYCLH
2023-02-23 19:20:190 PNP/PNP匹配大功率双双极晶体管-PHPT610035PK
2023-02-27 18:50:020 PNP/PNP大功率双双极晶体管-PHPT610030PK
2023-02-27 18:50:150 100 V、2 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT61002PYC
2023-02-27 18:50:310 60 V、6 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT60606PY
2023-02-27 18:50:560 60 V、6 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT60606NY
2023-02-27 18:51:080 60 V、3 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT60603PY
2023-02-27 18:51:281 40 V、6 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT60406PY
2023-02-27 18:52:010 40 V、6 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT60406NY
2023-02-27 18:52:170 大功率晶体管是指在高电压、大电流的条件下工作的晶体管。一般被称为功率器件，属于电力电子技术（功率电子技术）领域研究范畴。其实质就是要有效地控制功率电子器件合理工作，通过功率电子器件为负载提供大功率的输出。
2023-03-01 09:39:242247 大功率晶体管的放大倍数取决于其特定的设计和工作条件，因此不能一概而论。晶体管的放大倍数（即电流增益）通常定义为晶体管输出电流与输入电流之比，用β表示。β的大小受到晶体管的结构、工作电流、温度等因素
2023-03-01 14:06:594138 100 V、10 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT61010PY
2023-03-02 23:13:570 100 V、10 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT61010NY
2023-03-02 23:14:120 100 V、6 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT61006PY
2023-03-02 23:14:270 100 V、6 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT61006NY
2023-03-02 23:14:390 40 V、10 A PNP 大功率双极晶体管-PHPT60410PY
2023-03-02 23:14:570 40 V、10 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT60410NY
2023-03-02 23:15:141 100 V、2 A NPN 大功率双极晶体管-PHPT61002NYCLH
2023-03-03 19:27:250 LFPAK56 中的 NXP 大功率双极晶体管替代继电器-AN11641
2023-03-03 19:59:430 MRF427 NPN硅射频功率晶体管规格书
2023-07-24 14:27:530 MRF422射频功率晶体管规格书
2023-07-24 14:24:070 产品类型。 随着市场技术的快速迭代，基于先进技术的应用创新极具挑战，客户需要长期供货支持。针对拥有长寿命系统的客户，罗彻斯特电子与Ampleon合作支持延长产品生命周期。 罗彻斯特电子的Ampleon库存包含已停产ICN8系列LDMOS功率射频晶体管，适用于移动宽带领域的基站应用
2024-08-12 10:03:501688
电子发烧友App
工商网监
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