基本半导体完成数亿元B轮融资，打造行业领先的碳化硅IDM企业

2020年12月31日，致力于碳化硅功率器件研发及产业化的国内第三代半导体行业领军企业基本半导体宣布完成数亿元人民币B轮融资，由闻泰科技领投，深圳市投控资本、民和资本、屹唐长厚、四海新材料等机构跟投，原股东力合资本追加投资。

据透露，本轮融资基于基本半导体发展战略规划，引入了对第三代半导体的研发、制造和市场环节具有重要价值的战略投资方。所融资金将主要用于加强碳化硅器件的核心技术研发、重点市场拓展和制造基地建设，特别是车规级碳化硅功率模块的研发和量产。

基本半导体成立于2016年，核心研发团队成员包括来自清华大学、剑桥大学、瑞典皇家理工学院、中国科学院等国内外知名高校和研究机构的十多位博士，覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、器件封测、驱动应用等产业链关键环节。公司当前核心产品包括碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块、功率器件驱动器等，产品性能达到国际先进水平。

以碳化硅为代表的第三代半导体材料具备耐高温、耐高压、高频率、大功率、抗辐射等优异特性，备受行业关注，市场前景十分广阔。据国家新材料产业发展专家咨询委员会委员介绍，国家2030计划和“十四五”国家研发计划均已明确第三代半导体为重要发展方向。而国家“新基建”战略覆盖的5G基建、特高压、城际高铁和城际轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心、工业互联网都是碳化硅的重要应用领域。

虽然碳化硅产业发展前景可观，但当前碳化硅产业仍处于发展初期，碳化硅技术还不够成熟，发展之路面临不少阻碍，比如碳化硅材料市场供不应求，晶圆的良率和成本、电气性能和产品性能等存在一些问题。同时，全球新冠疫情和国际贸易冲突也给第三代半导体产业供应链带来了巨大冲击。

从国内市场来看，进口品牌凭借先发优势，垄断了国内碳化硅功率器件大部分市场。近些年国产品牌逐步崛起，基本半导体凭借技术优势及产业布局，依靠持续的研发投入和产品迭代，不断提升产品性能，其碳化硅功率器件技术在国内处于领先地位。

基本半导体碳化硅MOSFET在国内率先通过工业级可靠性测试，量产时间已超两年。2020年推出的第二代高性能碳化硅肖特基二极管芯片、DFN8*8封装和内绝缘型碳化硅肖特基二极管产品，贴近市场应用需求，可帮助客户缩短产品开发周期、提升系统效率、增强产品核心竞争力。

新能源汽车是碳化硅功率器件未来最为重要的市场之一。针对该领域，基本半导体推出多种封装的1200V/3mΩ汽车级全碳化硅模块及相应的驱动器。多款碳化硅功率器件已顺利通过了国家新能源汽车技术创新中心“国产自主车规半导体测试认证”项目的吐鲁番极限高温测试及海拉尔极限低温测试。

“产品的质量及可靠性一直是基本半导体重点关注的问题。”基本半导总经理和巍巍博士介绍到，目前公司碳化硅肖特基二极管产品已通过AEC-Q101汽车电子可靠性认证。其

全系碳化硅分立器件、模块产品分别依据AEC-Q101、AQG-324标准进行可靠性测试，产品从设计到验证遵循汽车行业标准，打造车规级质量水平。

通过不断完善碳化硅芯片设计、晶圆制造、器件封测的产业链布局，基本半导体逐步形成国内、国外两条完整产业链的双循环模式，实现对关键环节的自主可控，有效降低生产成本、提高产品性能、保障供应链安全。公司主要面向B端用户，直销与经销相结合，已在新能源汽车、新能源发电、高效电源、轨道交通等领域与众多行业标杆客户展开合作，产品销量增长迅猛，市场份额持续提升。

2020年底，基本半导体位于深圳坪山的第三代半导体产业基地开工建设，预计2022年投产，是深圳市2020年重大项目之一；南京制造基地已于2020年3月开工建设，预计2021年投产，主要进行碳化硅外延片的工艺研发和制造；位于日本名古屋的车规级碳化硅功率模块研发中心也已开始运营。

对于未来发展，和巍巍表示：基本半导体将继续吸纳优秀人才，加大研发投入，完善产品体系，加速产业链布局，推动国产碳化硅功率器件在各行业的广泛应用。基本半导体将以更积极的发展战略迈向新征程，全力打造行业领先的碳化硅IDM企业。