宽SOA（安全工作区）MOSFET广泛应用于热插拔、电池保护、驱动管等应用场景，随着近年来电动汽车、....
在储能变流器向更高功率密度、更高效率演进的技术趋势下，功率半导体模块的封装性能已成为系统级优化的关键....
在通信、电机控制、工业电源等硬开关应用场景中，功率MOSFET的反向恢复特性对系统效率及可靠性有着重....
近日，无锡新洁能在阳光电源供应链生态大会中斩获三项重磅荣誉 —— 凭借卓越的合作价值与技术支撑荣获阳....
锂电池在使用过程中容易出现以下几个问题：过充、过放、过温、过流、短路及永久失效，所以在锂电池的应用中....
整机应用中，EMC测试是现在必不可少的一个测试环节，其中EMC产生的原因和功率器件的振荡、电源纹波率....
“十五五”规划明确提出，要构建现代能源体系，推动能源清洁低碳安全高效利用，大幅提升光伏、风电等新能源....
在碳中和的宏伟蓝图下，光伏产业如火如荼。对于追求更高效率、更低度电成本的行业客户而言，125KW+三....
随着电动汽车的发展，功率MOS管在汽车电子的应用也日益增多，本文就车载OBC中全桥变换器功率MOS管....
新洁能研发团队沟槽型工艺平台推出耐压30V 1mΩ级别增强型N沟道MOSFET 系列产品。
近日，在中国半导体行业协会分立器件年会上，新洁能凭借在半导体功率器件领域的卓越表现和行业贡献，再次成....
2153X系列是高压、高速功率自振荡半桥驱动产品线。 2153X浮动通道可用于驱动高低侧N沟道功率M....
本文推荐一款新洁能生产的逆导型IGBT：NCE15ER135LP。这是一款1350V、TO-3P封装....
作为国内MOSFET功率器件研发的先行者之一，新洁能始终致力于功率半导体核心技术的突破，其研发团队持....
NSG4427是低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高....
超结MOS采用垂直结构设计，在漂移区内交替排列垂直的P型柱区和N型柱区，形成“超级结”单元，通过电荷....
在“双碳”目标驱动下，光伏逆变、储能系统及工业变频领域对功率模块的高效率、高功率密度需求持续攀升。三....
在现代电子电路设计和应用中，寄生参数是指那些并非设计者最初所期望的，但在电路或元器件中由于物理结构、....
随着市场对高性能功率半导体器件宽SOA MOSFET需求的日益增长，新洁能（NCE）产品研发部门推出....
在汽车电子行业飞速发展的今天，提升可靠性、效率和散热性能成为了功率器件设计的重要方向。车规级 PDF....
JL3I200V65RE2PN为650V /200A INPC三电平逆变模块，采用沟槽栅场终止技术I....
NSG6000是650V电压功率MOSFET和IGBT半桥栅驱动器。自带死区保护、高低侧互锁功能，防....
近日，全球半导体市场峰会在上海成功召开。会上，世界集成电路协会发布了全球半导体企业综合竞争力百强报告....
150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品采用全新屏蔽栅沟槽技术，特征导通电阻Rsp（导通电....
新洁能650V Gen.7系列IGBT产品，基于微沟槽场截止技术，可大幅提高器件的元胞结构密度。采用....
雪崩耐量是功率器件性能评估的关键指标，那么什么是雪崩耐量呢？即向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压....
在变频器辅助电源或光伏逆变器中，辅助电源的主要作用是将DC高压降压后，为驱动IC、主控MCU、通讯模....
功率开关器件的规格书上有着多种多样的数据，如静态特性参数，动态特性参数，开关特性参数等等。其中静态特....
近日，无锡新洁能荣获重要客户宁波德业年度“战略供应商”称号。 在过去的一年中，新洁能凭借优秀的产品质....
