三菱电机发布新型XB系列HVIGBT模块
三菱电机集团近日宣布,将于5月1日开始供应其新型XB系列高压绝缘栅双极型晶体管(HVIGBT)模块的....
三菱电机再度荣获海尔智家“质量引领奖”
近日,在“智慧新生态,共赢新时代”2025海尔智家全球供应商合作伙伴大会上,三菱电机凭借为其变频空调....
三菱电机开始提供工业用第8代IGBT模块样品
三菱电机株式会社近日宣布,将于2月15日起开始提供新型工业用LV100封装1.2kV IGBT模块样....
三菱电机将新建功率半导体模块封装与测试工厂
三菱电机集团近日宣布,将投资约100亿日元,在日本福冈县的功率器件制作所建设一座新的功率半导体模块封....
三菱电机供应12英寸功率半导体芯片
三菱电机集团近日宣布,其功率器件制作所(Power Device Works)福山工厂即日起开始大规....
三菱电机提供SiC MOSFET裸片样品
近日,三菱电机集团宣布,将于11月14日开始提供用于电动汽车(EV)、插电式混合动力汽车(PHEV)....
SiC的离子注入工艺及其注意事项
离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入,可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简....
三菱电机红外传感器国内首次亮相
三菱电机红外传感器采用三菱电机自主研发的热敏二极管红外传感器技术,实现了高像素和高温分辨率。即使在昏....
三菱电机发布用于5G massive MIMO基站的16W GaN PAM
三菱电机集团近日宣布,开始为5G massive MIMO*1(mMIMO)基站提供新型16W平均功....