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三菱电机半导体

文章:67 被阅读:8.4w 粉丝数:11 关注数:0 点赞数:1

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三菱电机开始提供全SiC和混合SiC SLIMDIP样品

三菱电机集团今日宣布,将于4月22日开始供应两款新型空调及家电用SLIMDIP系列功率半导体模块样品....
的头像 三菱电机半导体 发表于 04-16 14:58 217次阅读
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三菱电机发布新型XB系列HVIGBT模块

三菱电机集团近日宣布,将于5月1日开始供应其新型XB系列高压绝缘栅双极型晶体管(HVIGBT)模块的....
的头像 三菱电机半导体 发表于 04-10 11:34 261次阅读

三菱电机再度荣获海尔智家“质量引领奖”

近日,在“智慧新生态,共赢新时代”2025海尔智家全球供应商合作伙伴大会上,三菱电机凭借为其变频空调....
的头像 三菱电机半导体 发表于 04-02 11:24 307次阅读

SiC MOSFET的动态特性

本文详细介绍了SiC MOSFET的动态特性。包括阈值电压特性、开通和关断特性以及体二极管的反向恢复....
的头像 三菱电机半导体 发表于 03-26 16:52 584次阅读
SiC MOSFET的动态特性

SiC MOSFET的静态特性

商用的Si MOSFET耐压普遍不超过900V,而SiC拥有更高的击穿场强,在结构上可以减少芯片的厚....
的头像 三菱电机半导体 发表于 03-12 15:53 555次阅读
SiC MOSFET的静态特性

SiC SBD的静态特性和动态特性

SiC SBD具有高耐压、快恢复速度、低损耗和低漏电流等优点,可降低电力电子系统的损耗并显著提高效率....
的头像 三菱电机半导体 发表于 02-26 15:07 481次阅读
SiC SBD的静态特性和动态特性

三菱电机高压SiC模块封装技术解析

SiC芯片可以高温工作,与之对应的连接材料和封装材料都需要相应的变更。三菱电机高压SiC模块支持17....
的头像 三菱电机半导体 发表于 02-12 11:26 379次阅读
三菱电机高压SiC模块封装技术解析

三菱电机工业用NX封装全SiC功率模块解析

三菱电机开发了工业应用的NX封装全SiC功率模块,采用低损耗SiC芯片和优化的内部结构,与现有的Si....
的头像 三菱电机半导体 发表于 01-22 10:58 2096次阅读
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三菱电机开始提供工业用第8代IGBT模块样品

三菱电机株式会社近日宣布,将于2月15日起开始提供新型工业用LV100封装1.2kV IGBT模块样....
的头像 三菱电机半导体 发表于 01-17 09:36 356次阅读

三菱电机超小型全SiC DIPIPM解析

在Si-IGBT的DIPIPM基础上,三菱电机开发了超小型全SiC DIPIPM,保持相同的封装及管....
的头像 三菱电机半导体 发表于 01-08 13:48 1286次阅读
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三菱电机开始提供S1系列HVIGBT模块样品

三菱电机集团近日宣布,将于12月26日开始提供两款新的S1系列高压绝缘栅双极型晶体管(HVIGBT)....
的头像 三菱电机半导体 发表于 12-25 15:59 523次阅读
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一文了解三菱电机高压SiC芯片技术

三菱电机开发了高耐压SiC MOSFET,并将其产品化,率先将其应用于驱动铁路车辆的变流器中,是一家....
的头像 三菱电机半导体 发表于 12-18 17:35 1086次阅读
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三菱电机1200V级SiC MOSFET技术解析

1200V级SiC MOSFET是一种能充分发挥SiC优势的器件,广泛应用于工业、汽车等领域。目前,....
的头像 三菱电机半导体 发表于 12-04 10:50 1335次阅读
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三菱电机将新建功率半导体模块封装与测试工厂

三菱电机集团近日宣布,将投资约100亿日元,在日本福冈县的功率器件制作所建设一座新的功率半导体模块封....
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一文详解SiC栅极绝缘层加工工艺

栅极氧化层可靠性是SiC器件应用的一个关注点。本节介绍SiC栅极绝缘层加工工艺,重点介绍其与Si的不....
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三菱电机提供200Gbps PIN-PD芯片样品

三菱电机集团近日宣布提供用于下一代光收发器的新型200Gbps PIN光电二极管(PD)芯片样品,以....
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三菱电机供应12英寸功率半导体芯片

三菱电机集团近日宣布,其功率器件制作所(Power Device Works)福山工厂即日起开始大规....
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深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模块

本文介绍了为工业应用设计的第8代1800A/1200V IGBT功率模块,该功率模块采用了先进的第8....
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深度了解SiC的晶体结构

SiC是由硅(Si)和碳(C)按1:1的化学计量比组成的晶体,因其内部结构堆积顺序的不同,形成不同的....
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深度了解SiC材料的物理特性

与Si材料相比,SiC半导体材料在物理特性上优势明显,比如击穿电场强度高、耐高温、热传导性好等,使其....
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一文详解SiC的晶体缺陷

SiC晶体中存在各种缺陷,对SiC器件性能有直接的影响。研究清楚各类缺陷的构成和生长机制非常重要。本....
的头像 三菱电机半导体 发表于 11-14 14:53 1640次阅读
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一文详解SiC单晶生长技术

高质量低缺陷的SiC晶体是制备SiC功率半导体器件的关键,目前比较主流的生长方法有PVT法、液相法以....
的头像 三菱电机半导体 发表于 11-14 14:51 1214次阅读
一文详解SiC单晶生长技术

SiC单晶衬底加工技术的工艺流程

SiC单晶是一种硬而脆的材料,切片加工难度大,磨削精度要求高,因此晶圆制造是一个长时间且难度较高的过....
的头像 三菱电机半导体 发表于 11-14 14:49 930次阅读
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SiC外延生长技术的生产过程及注意事项

SiC外延生长技术是SiC功率器件制备的核心技术之一,外延质量直接影响SiC器件的性能。目前应用较多....
的头像 三菱电机半导体 发表于 11-14 14:46 1020次阅读
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三菱电机提供SiC MOSFET裸片样品

近日,三菱电机集团宣布,将于11月14日开始提供用于电动汽车(EV)、插电式混合动力汽车(PHEV)....
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SiC的离子注入工艺及其注意事项

离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入,可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简....
的头像 三菱电机半导体 发表于 11-09 11:09 815次阅读

轨道牵引用3.3kV SBD嵌入式SiC-MOSFET模块

三菱电机新开发了3.3kV金属氧化物半导体场效应管碳化硅模块(SiC-MOSFET),采用了嵌入式肖....
的头像 三菱电机半导体 发表于 10-31 16:47 1103次阅读
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三菱电机红外传感器国内首次亮相

三菱电机红外传感器采用三菱电机自主研发的热敏二极管红外传感器技术,实现了高像素和高温分辨率。即使在昏....
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三菱电机发布用于5G massive MIMO基站的16W GaN PAM

三菱电机集团近日宣布,开始为5G massive MIMO*1(mMIMO)基站提供新型16W平均功....
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三菱电机助力大功率逆变器开发

三菱电机集团近日宣布,将推出一项基于网络的服务,提供有关配备包含三个LV100绝缘栅双极型晶体管(I....
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