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三菱电机2025年度功率半导体产品矩阵回顾

三菱电机半导体 来源:三菱电机半导体 2026-01-06 10:23 次阅读
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站在 2025 年的岁末回望,三菱电机以覆盖芯片、模块至系统级的密集创新成果,交出了一份亮眼的年度答卷。这不仅是一次产品矩阵的迭代升级,更是企业面向多行业应用场景,提供系统性高效解决方案的战略实力彰显。接下来,让我们一同解码这份驱动未来的技术蓝图。

01家电用DIPIPMTM :小巧身形,澎湃能效

2025 年 4 月 22 日,三菱电机正式发布两款空调及家电专用 SLIMDIP 系列功率半导体模块样品 —— 全 SiC SLIMDIP(PSF15SG1G6)与混合 SiC SLIMDIP(PSH15SG1G6)。该系列提供全 SiC 与混合 SiC 双技术路径选择,在从小型到大型各类电器应用中,均能实现卓越的输出性能与显著的功耗降低,为空调厂商带来兼具灵活性与高效能的解决方案。

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全SiC SLIMDIP(PSF15SG1G6)与相同封装的混合SiC SLIMDIP(PSH15SG1G6)

面对全球家电市场对小型化、高能效的迫切诉求,三菱电机于 2025 年 9 月 22 日推出新一代 Compact DIPIPM系列。该系列模块该模块的封装尺寸已缩减至公司现有Mini DIPIPM Ver.7系列产品的约53%,工作温度下限拓展至零下 40 摄氏度,确保搭载该模块的空调等设备在冬季寒冷地区稳定运行,这一核心特性对北美、北欧市场的热泵系统而言尤为关键。

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PSS30SF1F6模块,紧凑型DIPIPM系列

02新能源发电用IGBT模块:功率升级,绿色赋能

在新能源领域,三菱电机于 2025 年实现重要技术突破,尤以 2 月 15 日起正式供应的第 8 代 IGBT 模块最为瞩目。

以 LV100 标准封装产品(如 CM1800DW-24ME)为例,该模块专为太阳能及其他可再生能源发电系统打造。通过优化 IGBT 与二极管芯片布局,其额定电流从第 7 代的 1200A 大幅提升至 1800A,助力逆变器输出功率显著提高;同时,创新采用双段式分裂栅及深层缓冲层技术,有助于降低导通与开关损耗。加之传统封装设计便于并联连接,可灵活兼容多种功率等级的逆变器方案,为新能源发电效率提升注入强劲动力。

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工业用LV100封装 1.2kV IGBT模块(CM1800DW-24ME)

03牵引与输电用HV模块:高压重载,稳定护航

面向轨道交通车辆等大型工业设备,三菱电机于 2025 年 5 月 1 日率先推出 “XB 系列” 大容量功率半导体新品 ——3.3kV/1500A 型 XB 系列 HVIGBT 模块;同年 12 月 9 日,进一步拓展产品矩阵,推出两款 4.5kV/1200A XB 系列 HVIGBT 模块,涵盖标准绝缘(6.0kVrms)封装与高绝缘(10.0kVrms)封装两种规格。

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XB系列HVIGBT模块(3.3kV/1500A型)

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4.5kV/1200A XB 系列HVIGBT模块(左侧:标准绝缘封装;右侧:高绝缘封装)

该系列大容量功率模块通过采用专有的二极管与 IGBT 元件,搭配独特的芯片终端结构,能够显著增强抗湿性表现,有效提升多样化环境下大型工业设备变流器的运行效率与可靠性,为工业动脉的稳定运转筑牢核心保障。

2025 年,从赋能家电升级的紧凑型 DIPIPMTM模块,到助推新能源发电的高效 IGBT 模块,再到支撑工业高压场景的 HV 模块解决方案,三菱电机以深厚的技术积淀与清晰的产品路线图,稳步推进功率半导体创新进程,持续为全球绿色转型提供核心动力。展望 2026,这不仅是时间维度的自然延伸,更是以技术创新为引擎,迈向绿色未来的全新征程。下一段精彩,三菱电机邀您共同见证!

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原文标题:3分钟全景回顾:三菱电机 2025 功率半导体创新版图

文章出处:【微信号:三菱电机半导体,微信公众号:三菱电机半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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