三菱电机PCIM Asia Shanghai 2025圆满收官

时光见证创新，盛会圆满收官。2025年9月26日，为期3天的PCIM Asia Shanghai 2025在上海新国际博览中心落下帷幕，让我们一起回顾三菱电机展台不容错过的精彩内容！

亮点一

Compact DIPIPM，DIPIPM家族第8位成员闪亮登场

三菱电机为变频家电和工业设备开发的Compact DIPIPM系列产品包括PSS30SF1F6（30A/600V）和PSS50SF1F6（50A/600V），样品已于9月22日开始发售。通过采用RC-IGBT，该模块的封装尺寸已缩减至第7代Mini DIPIPM的53%，有助于客户在柜式变频空调等应用中实现更紧凑的逆变控制器。该产品新增用于桥臂短路保护的互锁功能，将有助于简化逆变器的基板设计。另外，通过将连续工作温度下限扩展至-40°C，拓展了变频空调和工业设备的工作温度范围，特别有助于推动在冬季寒冷地区更广泛地使用变频空调。

亮点二：SiC SLIMDIP，高能效变频家电的理想选择

此次在变频家电展区展出的产品，是三菱电机推出的空调及家电用SLIMDIP系列智能功率模块全SiC DIPIPM和混合SiC DIPIPM。与现有硅基逆导型绝缘栅双极晶体管（RC-IGBT）SLIMDIP模块相比，新产品性能大幅提升。作为三菱电机首款面向大容量家电的SiC SLIMDIP功率半导体模块，其内置了专为SLIMDIP封装优化的SiC-MOSFET芯片，显著提高输出功率。该模块适配全SiC SLIMDIP的芯片尺寸与特性，可有效降低功率损耗，助力提升家电能效。混合SiC SLIMDIP，内部封装了多个元件及连线，采用同一IC来驱动并联的SiC MOSFET（低电流下的低导通电压特性）和Si RC-IGBT（高电流导通特性），同样实现了功率损耗的显著降低。

亮点三

IGBT8，为新能源发电与储能系统量身定制

为了进一步提高IGBT模块功率密度，三菱电机开发了第8代IGBT模块，采用了分段式沟槽栅结构，在芯片背面采用可以控制载流子的等离子体层结构来减少芯片厚度，从而显著地降低了功率损耗。第8代IGBT同时扩大了芯片面积，从而降低了结壳热阻。第8代LV100封装IGBT从第7代的1200V/1200A提升至1200V/1800A。第8代NX封装计划开发5款，包含1000A/1200V半桥、800~1000A/1200V Split-NPC (半桥+钳位二极管)。

该产品在太阳能逆变器和储能系统中，能显著降低系统功耗（仿真显示约15%），并提升输出功率（约25%），这意味着同等体积的逆变器可以转换更多电能，有助于提高发电效率，降低系统成本，助推绿色能源转型，对减少碳排放和实现“双碳”目标有积极意义。

亮点四

J3系列T-PM & J3系列Relay，使电动汽车跑得更远更稳

三菱电机推出用于电动汽车主驱逆变器的J3系列SiC-MOSFET功率半导体模块，包括半桥结构的J3系列T-PM模块和全桥结构的J3系列HEXA模块。

J3系列T-PM采用紧凑的第3代T-PM封装技术，具有高可靠性和高散热能力，可降低热阻并助力逆变器小型化，帮助降低电感量。模块内置高可靠性SiC-MOSFET芯片，进一步实现模块高紧凑性及高能量密度，独特沟槽栅设计抑制Vth漂移和损耗退化，兼具优异的RonA性能和高VGS(th)。J3系列可扩展性强，J3系列T-PM可并联使用，扩大其应用功率范围，J3系列HEXA-S/L可适应不同容量等级逆变器设计。模块附加带SCM的DESAT短路保护，实现快速短路检测和系统的高功率密度。

近年来，关于用功率器件替代机械接触器的研究和需求逐渐增多，功率器件具有可重复开关次数高、反应速度快等优势，对此三菱电机开发了采用J3系列T-PM紧凑型封装的可用于EV用电池断路单元等切换/断开回路的J3系列继电器模块，包括双向开关，单向开关两种内部电路结构，且与J3系列T-PM配备相同的辅助功能。