商用的Si MOSFET耐压普遍不超过900V，而SiC拥有更高的击穿场强，在结构上可以减少芯片的厚....
SiC SBD具有高耐压、快恢复速度、低损耗和低漏电流等优点，可降低电力电子系统的损耗并显著提高效率....
SiC芯片可以高温工作，与之对应的连接材料和封装材料都需要相应的变更。三菱电机高压SiC模块支持17....
三菱电机开发了工业应用的NX封装全SiC功率模块，采用低损耗SiC芯片和优化的内部结构，与现有的Si....
三菱电机株式会社近日宣布，将于2月15日起开始提供新型工业用LV100封装1.2kV IGBT模块样....
在Si-IGBT的DIPIPM基础上，三菱电机开发了超小型全SiC DIPIPM，保持相同的封装及管....
三菱电机集团近日宣布，将于12月26日开始提供两款新的S1系列高压绝缘栅双极型晶体管（HVIGBT）....
三菱电机开发了高耐压SiC MOSFET，并将其产品化，率先将其应用于驱动铁路车辆的变流器中，是一家....
1200V级SiC MOSFET是一种能充分发挥SiC优势的器件，广泛应用于工业、汽车等领域。目前，....
三菱电机集团近日宣布，将投资约100亿日元，在日本福冈县的功率器件制作所建设一座新的功率半导体模块封....
栅极氧化层可靠性是SiC器件应用的一个关注点。本节介绍SiC栅极绝缘层加工工艺，重点介绍其与Si的不....
三菱电机集团近日宣布提供用于下一代光收发器的新型200Gbps PIN光电二极管（PD）芯片样品，以....
三菱电机集团近日宣布，其功率器件制作所（Power Device Works）福山工厂即日起开始大规....
本文介绍了为工业应用设计的第8代1800A/1200V IGBT功率模块，该功率模块采用了先进的第8....
SiC是由硅（Si）和碳（C）按1:1的化学计量比组成的晶体，因其内部结构堆积顺序的不同，形成不同的....
与Si材料相比，SiC半导体材料在物理特性上优势明显，比如击穿电场强度高、耐高温、热传导性好等，使其....
SiC晶体中存在各种缺陷，对SiC器件性能有直接的影响。研究清楚各类缺陷的构成和生长机制非常重要。本....
高质量低缺陷的SiC晶体是制备SiC功率半导体器件的关键，目前比较主流的生长方法有PVT法、液相法以....
SiC单晶是一种硬而脆的材料，切片加工难度大，磨削精度要求高，因此晶圆制造是一个长时间且难度较高的过....
SiC外延生长技术是SiC功率器件制备的核心技术之一，外延质量直接影响SiC器件的性能。目前应用较多....
近日，三菱电机集团宣布，将于11月14日开始提供用于电动汽车（EV）、插电式混合动力汽车（PHEV）....
离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入，可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简....
三菱电机新开发了3.3kV金属氧化物半导体场效应管碳化硅模块（SiC-MOSFET），采用了嵌入式肖....
三菱电机红外传感器采用三菱电机自主研发的热敏二极管红外传感器技术，实现了高像素和高温分辨率。即使在昏....
三菱电机集团近日宣布，开始为5G massive MIMO*1（mMIMO）基站提供新型16W平均功....
三菱电机集团近日宣布，将推出一项基于网络的服务，提供有关配备包含三个LV100绝缘栅双极型晶体管（I....
三菱电机从事SiC器件开发和应用研究已有近30年的历史，从基础研究、应用研究到批量商业化，从2英寸、....
三菱电机从事功率半导体开发和生产已有六十多年的历史，从早期的二极管、晶闸管，到MOSFET、IGBT....
三菱电机集团近日宣布，从6月10日起开始为包括铁路和电力系统在内的大型工业设备提供低电流版本3.3k....
功率模块从硅IGBT技术过渡到基于SiC MOSFET技术是不可避免的。然而，从硅IGBT时代留下来....
