18A工艺大单！英特尔将代工微软AI芯片Maia 2

电子发烧友网综合报道 据科技媒体SemiAccurate报道，微软已正式向英特尔晶圆代工（Intel Foundry）下达订单，委托其使用先进的18A工艺节点生产下一代AI加速器Maia 2。

英特尔18A工艺堪称芯片制造领域的一项重大突破，处于业界2纳米级节点水平。它采用了两项极具创新性的基础技术——RibbonFET全环绕栅极晶体管架构和PowerVia背面供电技术。

RibbonFET全环绕栅极晶体管架构，改变了传统晶体管的结构。旧的FinFET晶体管像“竖起鳍片”，而RibbonFET则如同“包裹导线的电缆”，电流被四面栅极牢牢控制。这一改变带来了诸多优势，电流泄漏更少，开关响应更快，晶体管密度更高，使得同面积可塞进更多逻辑单元，在相同性能下功耗更低、温度更稳。

PowerVia背面供电技术同样意义非凡。传统芯片的供电金属线在最上层，信号线在下方，电流需“翻山越岭”才能到达底部晶体管，导致功率损耗和电压不稳。而PowerVia将电源线移到芯片背面，实现了供电网络解耦与独立优化。这样一来，电压更稳定，频率能更高，噪声和干扰更小，多核协同效率更好，芯片顶部空间释放后还更容易堆叠模块。

基于这两项技术，英特尔18A工艺实现了性能的显著提升。每瓦性能提升约15%，功耗降低可达25%，晶体管密度提升1.3倍以上。这些数据表明，18A工艺不仅能让设备性能更强，还能更省电，为下一代电子产品的发展提供了强大的技术支撑。

Maia芯片系列是驱动微软AI基础设施，尤其是Azure数据中心的核心硬件，其性能直接与英伟达和AMD的高性能加速器展开竞争。Maia 2作为下一代产品，采用英特尔18A或其增强版本18A - P工艺打造，具备诸多先进特性。

18A - P工艺在18A的基础上进一步优化，引入第二代RibbonFET晶体管和PowerVia背面供电技术，通过采用新设计的低阈值电压组件、优化元件以减少漏电，并精细化调整晶体管结构，显著提升了单位功耗下的运算效率。此外，该工艺还采用低阈值电压单元设计，结合元件级漏电抑制措施及晶体管结构微调，进一步增强了性能输出与能效平衡。

从产品层面来看，Maia 2将为微软的AI应用和服务提供更强大的支持。随着大模型技术的快速发展，对算力的需求呈现指数级增长。Maia 2在性能和功耗方面的优化，能够更好地满足微软日益增长的AI计算需求，助力其在AI基础设施领域进一步布局。而且，若此次合作进展顺利，双方可能就未来几代Maia芯片开启长期合作，形成更稳固的联盟，共同推动AI硬件生态的演进。

此次英特尔18A工艺代工微软AI芯片Maia 2，不仅是双方的一次重要合作，更可能成为芯片代工格局变化的转折点。英特尔凭借18A工艺的技术优势，获得了微软这一重量级客户的认可，为其代工业务的发展注入了强大动力。而微软通过与英特尔合作，实现了芯片供应链的多元化，降低了对单一供应商的依赖，增强了供应链的韧性。