SK海力士抢先量产128层4D NAND Flash

SK海力士宣布，已经全球第一家研发成功并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片，此时距离去年量产96层4D闪存只过去了八个月。

该公司将开始量产采用128层4D NAND型闪存(NAND Flash)技术的1TB 3阶储存单元(TLC)，不仅储存密度达到业界最高，而SK海力士也是全球首家进行商业化规模生产的业者。

这款128层堆栈的4D NAND Flash预计将自下半年开始出货。据SK海力士表示，TLC规格芯片具有出色的性能和可靠性，目前占NAND Flash市场比重85%以上。

若采用128层的1TB NAND Flash，使用在1TB容量产品中的NAND芯片数量将减少一半。随着堆栈层数持续跃增，NAND Flash的容量也大幅成长，SK海力士表示，已着手研发下一代的176层4D NAND Flash。

韩联社4月3日报导，南韩芯片巨头三星电子和SK海力士2018年继续维持在全球半导体市场的领先地位。

根据TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)最新调查，三星去年的NAND Flash销售额为221.9亿美元，在全球市场的市占率达35%，高居第一；日本东芝(Toshiba )以19.2%的市占率排名第二；SK海力士市占率10.6%，排名第五。

Pulse News 6月21日报导，由于芯片产业持续低迷和中国需求放缓，南韩出口额已连续第7个月呈现骤降。|中国半导体论坛公众号|据南韩海关21日公布的最新数据，南韩6月1-20日的出口总额为272亿美元，比去年同期下降10%。其中，占该国出口总额17%的半导体出口额大跌24.3%。