氮化镓器件和解决方案的进展与应用分析
观看Gary Lerude (Microwave Journal)和Bryan Goldstein（ADI航空航天与国防业务部门总经理）的访谈，了解氮化镓器件和解决方案的最新进展与新应用。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
ADI
+关注
关注
150文章
46086浏览量
270602 -
氮化镓
+关注
关注
66文章
1858浏览量
119211
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
氮化镓技术驱动的高效逆变器设计：硅与GaN器件的比较分析
通过重新设计基于氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)的IGBT和MOSFET解决方案，DRS优化的车辆逆变器性能使开关频率提高了四倍，减少了体积和重量，同时实现了98.5%的效率。在DRS，我们
镓创晶合：从GaN材料到器件研发，打造三大应用竞争力
。 苏州镓创晶合科技是一家专注于大功率氮化镓（GaN）器件制造、应用方案设计的高科技企业，致力于通过持续的技术创新，为全球客户提供高性能
CE65H110DNDI 能华330W 氮化镓方案,可过EMC
深圳市三佛科技有限公司供应CE65H110DNDI 能华330W 氮化镓方案,可过EMC,原装现货
CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化
发表于 03-31 14:26
氮化镓系统 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
氮化镓系统 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
氮化镓（GaN）充电头安规问题及解决方案
器件的性能，使充电头在体积、效率、功率密度等方面实现突破，成为快充技术的核心载体。氮化镓充电头的核心优势：1.体积更小，功率密度更高材料特性：GaN的电子迁移率比硅
垂直氮化镓器件的最新进展和可靠性挑战
过去两年中，氮化镓虽然发展迅速，但似乎已经遇到了瓶颈。与此同时，不少垂直氮化镓的初创企业倒闭或者卖盘，这引发大家对垂直氮化
不同的氮化镓衬底的吸附方案，对测量氮化镓衬底 BOW/WARP 的影响
在当今高速发展的半导体产业浪潮中，氮化镓（GaN）衬底宛如一颗耀眼的新星，凭借其卓越的电学与光学性能，在众多高端芯片制造领域，尤其是光电器件、功率器件等方向，开拓出广阔的应用天地。然而
氮化镓衬底的环吸方案相比其他吸附方案，对于测量氮化镓衬底 BOW/WARP 的影响
在半导体领域的璀璨星河中，氮化镓（GaN）衬底正凭借其优异的性能，如高电子迁移率、宽禁带等特性，在光电器件、功率器件等诸多应用场景中崭露头角，成为推动行业发展的关键力量。而对于
氮化镓充电器和普通充电器有啥区别？
的代替材料就更加迫切。
氮化镓（GaN）被称为第三代半导体材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更适合做大功率器件、体积更小、功率密度更大。氮化镓
发表于 01-15 16:41
罗姆与台积公司携手合作开发车载氮化镓功率器件
”)正式建立了战略合作伙伴关系，共同致力于车载氮化镓功率器件的开发与量产。 此次合作，双方将充分利用各自的技术优势。罗姆将贡献其卓越的氮化镓
工商网监
评论