IC设计龙头带动作用日趋明显 集成电路产业链相对完整

集成电路是培育战略性新兴产业、发展信息经济的重要支撑，在信息技术领域的核心地位十分突出。改革开放后，我国加快集成电路产业建设，先后启动908工程、909工程等重大项目，集成电路业实现高速发展。特别是党的十八大以来，我国集成电路产业实力得到快速提升。中国集成电路产业销售额从2013年的2508.5亿元，增长到2017年的5411.3亿元，5年间增长了一倍。2018年1—9月中国集成电路产业销售额为4461.5亿元，同比增长22.4%。

IC设计龙头带动作用日趋明显

IC设计是集成电路产业链的龙头，设计企业的发展直接影响着制造和封装等产业链上下游众多环节。近几年来，我国IC设计业发展非常迅速。中国半导体行业协会集成电路设计分会的数据显示，至2018年年底，全国共有1698家设计企业，比去年的1380家多了318家，数量增长了23%。这是2016年设计企业数量大增600多家后，再次出现企业数量大增的情况。从统计数量上看，除了北京、上海、深圳等传统设计企业聚集地外，无锡、成都、苏州、合肥等城市的设计企业数量都超过100家，西安、南京、厦门等城市的设计企业数量接近100家，天津、杭州、武汉、长沙等地的设计企业数量也有较大幅度的增加。

IC设计企业数量增长的同时，规模以上企业也在增加。据中国半导体行业协会集成电路设计分会理事长魏少军介绍，2018年预计有208家IC设计企业的销售额超过1亿元，比2017年的191家增加17家，增长8.9%。同时，这208家销售过亿元的企业销售总和达到2057.64亿元，比上年的1771.49亿元增加了286.15亿元，占全行业销售总和的比例为79.85%。

从产品类型上看，我国企业在通信芯片上的实力已逐步进入国际一线阵营。紫光展锐已开发出5G原型pilot-v2平台，将在2019年推出5G芯片，实现5G芯片的商用。2018年从事通信芯片设计的企业从2017年的266家增加到307家，对应的销售总额提升了16.34%，达到1046.75亿元。此外，计算机芯片与消费类芯片也有较强增长。从事计算机芯片设计的企业数量从去年的85家增加到109家，销售大幅提升了180.18%，达到359.41亿元。消费类电子的企业数量从上年的610家增加到783家，销售增长36.46%，达617.24亿元，继续保持了2017年的快速增长势头。

建立了相对完整的产业链

设计的发展离不开晶圆制造、封测、装备、材料等产业链支撑，以往我国晶圆制造业技术距离国际先进水平约有二代左右的差距，装备、材料上的差距更大，但是经过这些年的追赶，已经有了较大幅度的提高。

封装业一直是国内实力较强的领域，近年来积极推进先进封装的发展，从中低端进入高端领域，竞争力大幅提升。根据中国半导体行业协会封装分会统计数据，2017年国内集成电路封测业销售收入由2016年的1523.2亿元增加至1816.6亿元，同比增长19.3%，国内IC封测业规模企业为96家，从业人数达15.6万。长电科技实现了高集成度和高精度SiP模组的大规模量产，通富微电率先实现7nm FC产品量产，华天科技开发了0.25mm超薄指纹封装工艺，实现了射频产品4G PA的量产。

关键装备和材料则实现了从无到有的转变，整体水平达到28纳米，部分产品进入14纳米~7纳米，被国内外生产线采用。目前，国内关键装备品种覆盖率达到31.1%，先进封装装备品种覆盖率80%。

在材料方面，200mm硅片产品品质显著提升，高品质抛光片、外延片开始进入市场。300mm硅片产业化技术取得突破，90纳米~65纳米产品通过用户评估，开始批量销售。测射耙材及超高纯金属材料取得整体性突破，形成相对完整的耙材产品体系。铜和阻挡层抛光液国内市场占有率超过50%，并进入国际市场。NF3、WF6等气体产业化技术达到世界领先，国内市占率超过70%，并进入国际市场。磷烷、砷烷和安全离子源产品形成自主供应能力。

积极追踪新材料技术步伐

新材料产业成为未来高新技术产业发展的先导和基石，其中，宽禁带半导体材料是新材料的代表之一。近年来，在国内企业、科研院所、高等院校等共同的努力下，建成或正在建设十余条4英寸～6英寸碳化硅芯片工艺线和6英寸～8英寸硅基氮化镓芯片工艺线，形成了技术积累，缩小了与国外先进水平的差距。

我国碳化硅外延材料的研发和产业化水平紧紧跟随国际水平，产品已打入国际市场。在产业化方面，我国20μm及以下的碳化硅外延材料产品水平接近国际先进水平；在碳化硅功率器件上，我国具备了1200V～3300V SiC MOSFET、1200V～4500V SiC JFET等芯片的研发能力，最大单芯片电流容量25A。目前国内有多家企业建成或正在建设多条碳化硅芯片工艺线，这些工艺线的投产，将会大大提升国内碳化硅功率器件的产业化水平。

我国在平面型氮化镓功率器件领域的发展紧跟国际步伐，晶圆尺寸以6英寸为主，并开发出了900V及以下电压等级的硅基氮化镓器件样品。近年来，国内也开始了垂直氮化镓功率器件的研发，开发了最高阻断电压1700V的氮化镓二极管样品。我国氮化镓射频器件近年来取得迅速发展，并已形成产业化公司，器件性能达到国际先进水平。