深入解析 onsemi FAD6263 半桥栅极驱动器
在电子工程师的日常工作中,半桥栅极驱动器是一个关键的组件,它在许多应用中都发挥着重要作用。今天,我们将深入探讨 onsemi 的 FAD6263 半桥栅极驱动器,了解其特点、参数、应用以及相关注意事项。
文件下载:FAD6263-D.PDF
一、产品概述
FAD6263 是一款高压半桥栅极驱动器集成电路,适用于驱动半桥配置中的功率 MOSFET 或 IGBT。它采用自举技术来确保高端功率开关的正常驱动,并且仅需一个输入信号即可工作。这款驱动器具有多种特性,使其在众多应用中表现出色。
二、产品特性
2.1 输出特性
- 互补输出:提供互补的高低驱动输出,能够有效控制功率开关的导通和关断。
- 高电流能力:输出源/灌电流能力均为 3A,能够满足大多数功率开关的驱动需求。
2.2 保护特性
- 直通保护:具有可调节的死区时间,能够有效防止上下桥臂同时导通,避免直通故障。
- 欠压锁定(UVLO):对两个通道都有欠压锁定功能,当电源电压低于阈值时,输出会被拉低,保护电路安全。
- 静电放电(ESD)保护:具备 2kV 的人体模型(HBM)和带电器件模型(CDM)ESD 能力,增强了器件的可靠性。
2.3 电气特性
- 高电压范围:最高可承受 600V 的电压,适用于高电压应用。
- 高 dv/dt 抗扰度:±50V/ns 的 dv/dt 抗扰度,能够在高电压变化率的环境下稳定工作。
- 匹配的传播延迟:传播延迟仅为 100ns,确保信号的快速传输和同步。
2.4 其他特性
- 宽电源范围:栅极驱动电源范围从 10V 到 22V,提供了更大的设计灵活性。
- 多种输入逻辑电平:支持 3.3V 和 5V 输入逻辑引脚,方便与不同的控制系统连接。
- 汽车级认证:符合 AEC - Q100 标准,可用于汽车应用。
- 环保特性:无铅、无卤素,符合 RoHS 标准。
三、引脚功能
| FAD6263 采用 SOIC - 16 封装,其引脚功能如下表所示: | Pin Number | Pin Name | Description |
|---|---|---|---|
| 1 | IN | 互补输出的逻辑输入 | |
| 2 | SD | 逻辑输入关机(低电平有效) | |
| 3 | SR | 关机复位 | |
| 4 | DT | 通过外部电阻进行死区时间控制(参考 VSS) | |
| 5 | VSS | 逻辑地 | |
| 6 | COM | 电源地,低端驱动器返回 | |
| 7 | VDD | 低端和逻辑电源电压 | |
| 8 | LOP | 低端驱动器输出(上拉) | |
| 9 | LON | 低端驱动器输出(下拉) | |
| 10 | NC | 无电气连接 | |
| 11 | NC | 无电气连接 | |
| 12 | NC | 无电气连接 | |
| 13 | VS | 高端浮动电源返回 | |
| 14 | HON | 高端驱动器输出(下拉) | |
| 15 | HOP | 高端驱动器输出(上拉) | |
| 16 | VB | 高端浮动电源 |
四、参数指标
4.1 最大额定值
| FAD6263 的最大额定值决定了其在极端条件下的工作能力,具体参数如下: | Rating | Symbol | Value | Unit |
|---|---|---|---|---|
| 高端浮动电源电压 | VB | -0.3 至 625 | V | |
| 高端浮动偏移电压 | VS | (VB – 25) 至 (VB + 0.3) | V | |
| 高端浮动输出电压 | VHO | (VS – 0.3) 至 (VB + 0.3) | V | |
| 低端和逻辑固定电源电压 | VDD | -0.3 至 25 | V | |
| 逻辑输入电压(IN, SD, SR) | VIN | -0.3 至 (VDD + 0.3) | V | |
| 可编程死区时间引脚电压 | DT | -0.3 至 (VDD + 0.3) | V | |
| 低端输出电压 | VLO | (COM – 0.3) 至 (VDD + 0.3) | V | |
| 电源地 | COM | (VDD – 25) 至 (VDD + 0.3) | V | |
| 允许的偏移电压变化率 | dVS/dt | 50 | V/ns | |
| 功率耗散 | PD | 0.86 | W | |
| 结到环境的热阻 | θJA | 145 | °C/W | |
| 最大结温 | TJ(max) | 150 | °C | |
| 存储温度范围 | TSTG | -55 至 150 | °C | |
| ESD 能力(人体模型) | ESDHBM | 2 | kV | |
| ESD 能力(带电器件模型) | ESDCDM | 2 | kV | |
| 湿度敏感度等级 | MSL | 1 | - | |
| 焊接回流温度(仅 SMD 样式,无铅版本) | TSLD | 260 | °C |
4.2 推荐工作范围
| 为了确保 FAD6263 的正常工作和可靠性,推荐在以下范围内使用: | Rating | Symbol | Min | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|
| 高端 Vs 浮动电源偏移电压 | Vs | 5 - VBS | 600 | V | |
| 高端 VBS 自举电压 | VBS | VBSUV+ | 22 | V | |
| 高端输出电压 | VHO | Vs | VB | V | |
| 低端和逻辑电源电压 | VDD | VDDUV+ | 22 | V | |
| 低端输出电压 | VLO | COM | VDD | V | |
| 逻辑输入电压(IN, SD, SR) | VIN | Vss | VDD | V | |
| 可编程死区时间引脚电压 | DT | Vss | VDD | V | |
| 电源地 | COM | VDD - 22 | VDD | V | |
| 环境温度 | TA | -40 | 125 | °C | |
| 外部关机输入上拉电阻 | RSDext | 3.1 | 12.4 | kΩ |
4.3 电气特性
| 在特定测试条件下(VBIAS (VDD, VBS)=15 V,VSS = COM = 0 V,DT = VSS,TA = -40°C 至 125°C),FAD6263 的电气特性如下: | Parameter | Test Condition | Symbol | Min | Typ | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 电源部分 | |||||||
| VDD 和 VBS 电源欠压正向阈值 | VDDUV+ VBSUV+ | 7.3 | 8.3 | 9.3 | V | ||
| VDD 和 VBS 电源欠压负向阈值 | VDDUV- VBSUV- | 6.7 | 7.8 | 8.6 | V | ||
| VDD 和 VBS 电源欠压锁定滞回电压 | VDDUVH VBSUVH | 0.5 | V | ||||
| 偏移电源泄漏电流 | VB = VS = 600 V | LK | 50 | μA | |||
| 静态 VDD 电源电流 | VIN = 0V 或 5V | lopp | 355 | 550 | μA | ||
| 静态 VBS 电源电流 | VIN = 0V 或 5V | lQBS | 45 | 110 | μA | ||
| 工作 VDD 电源电流 | VIN = 0V 或 5V; fSW = 20 kHz; CL = 1 nF | IPDD | 1000 | 2000 | μA | ||
| 工作 VBS 电源电流 | VIN = 0 V 或 5 V; fSW = 20 kHz; CL = 1 nF | PBS | 700 | 1400 | μA | ||
| 逻辑输入部分 | |||||||
| IN, SD, SR 阈值的逻辑“1”输入电压 | VIH | 2.1 | 2.5 | V | |||
| IN, SD, SR 阈值的逻辑“0”输入电压 | VIL | 0.8 | 1.6 | V | |||
| 逻辑输入高偏置电流 | VIN = 5 V | IN+ | 20 | 40 | μA | ||
| 逻辑输入低偏置电流 | VIN = 0V | lIN- | 3 | μA | |||
| SD 高偏置电流 | SD = 5 V | 1SD+ | -11 | -6 | μA | ||
| SD 低输出电压 | 10 kΩ 外部上拉至 5 V | VSD- | 0.8 | V | |||
| 逻辑输入下拉/上拉电阻 | RIN | 125 | 250 | 400 | kΩ | ||
| 关机输入上拉电阻 | RSD | 125 | 250 | 400 | kΩ | ||
| 关机复位下拉电阻 | RSRES | 125 | 250 | 400 | kΩ | ||
| 栅极驱动器输出部分 | |||||||
| 高端的高电平输出电压(VB - VOH)和低端的(VDD - VOL) | VIN = 5 V 用于高端,VIN = 0V 用于低端,无负载(IO = 0 A) | VOH | 10 | mV | |||
| 高端的低电平输出电压(VOH - Vs)和低端的(VOL - COM) | VIN = 0 V 用于高端,VIN = 5 V 用于低端,无负载(IO = 0 A) | VOL | 10 | mV | |||
| 源极峰值脉冲电流 | VOH = 0V,脉冲宽度 ≤ 10 μs | lo+ | 2 | 3.3 | A | ||
| 漏极峰值脉冲电流 | VOH = 15 V,脉冲宽度 ≤ 10 μs | lo- | 2 | 3.3 | A | ||
| 允许的负 Vs 引脚电压,具有从 IN 到 HO 的信号传播能力 | VBS = 15V | Vs | -10 | V | |||
| 允许的瞬态负 Ve 引脚电压,无从 IN 到 HO 的信号传播能力 | VBS = 15 V | Vs | -15 | V | |||
| 允许的 COM - VSS 电源/信号地偏移 | VDD = 15V,VSS = 0V | COM - Vss | -8 | V | |||
| 动态部分 | |||||||
| 导通传播延迟 | VS = 0 V, RDT = 0 Ω, CL = 1000 pF | ton | 155 | 230 | ns | ||
| 关断传播延迟 | VS = 0 V, CL = 1000 pF | toFF | 55 | 90 | ns | ||
| HO 和 LO 导通延迟匹配 | MtON | 25 | ns | ||||
| HO 和 LO 关断延迟匹配 | MtOFF | 20 | ns | ||||
| 导通上升时间 | VS = 0V, CL = 1000 pF | tR | 10 | 23 | ns | ||
| 关断下降时间 | tF | 10 | 20 | ns | |||
| 死区时间:LO 关断到 HO 导通 | RDT = 0 Ω | DT | 85 | 120 | 160 | ns | |
| HO 关断到 LO 导通 | RDT = 200kΩ | 0.7 | 1 | 1.5 | μs | ||
| 死区时间匹配:DT_LO - HO - DT_HO - LO | RDT = 0.2 | MDT | 10 | ns | |||
| RDT = 200 kΩ | 75 | ns | |||||
| 关机最小脉冲宽度 | tSDMIN | 260 | 310 | 450 | ns | ||
| 关机复位最小脉冲宽度 | tsRMIN | 1 | 1.6 | 2.4 | μs | ||
| UVLO 响应时间 | 15 | μs | |||||
| Vdd 斜坡上升后的 POR 建立时间 | POR | 50 | μs |
五、典型性能特性
文档中提供了大量的典型性能特性曲线,包括导通传播延迟与温度、关断传播延迟与温度、上升时间与温度、下降时间与温度、死区时间与温度、死区时间匹配与温度、电源电流与温度等关系曲线。这些曲线能够帮助工程师更好地了解 FAD6263 在不同工作条件下的性能表现,从而优化设计。
六、应用说明
6.1 上电复位(POR)序列
为了确保在 Vdd 上升后逻辑电路达到稳定状态,再启动栅极驱动器,需要遵循以下 POR 序列:
- 将 VDD 上升到目标工作电压。
- 等待 tPOR 时间,让内部逻辑稳定。
- 提供一个持续时间为 tSRMIN 的 SR 脉冲,确保 LO 输出激活。
- 给自举电容足够的时间充电,建议在自举电容充电完成前保持 IN 为低电平。
- 按预期操作设备。
6.2 关机输入(SD)和关机复位(SR)引脚
SD 引脚用于启用或禁用驱动器输出。当 SD 引脚外部拉低持续 tSDMIN 时间后,驱动器输出被禁用,并且 SD 引脚被内部下拉晶体管保持低电平。SR 引脚用于从内部锁存状态复位 SD 引脚,需要给 SR 引脚提供一个持续时间为 tSRMIN 的脉冲。
6.3 可调节死区时间
通过外部电阻可以调节相反输出的关断和导通之间的死区时间,电阻值与死区时间的关系在文档中的图 14 中有定义。需要注意的是,DT 引脚必须通过合适的电阻连接到地,否则输出将无法导通。
6.4 欠压锁定(UVLO)
两个独立的欠压锁定电路分别监控 VBS 电压和 VDD 到 VSS 的电压。当 VBS 电压低于负向阈值电压时,高端输出被拉低;当 VDD 电压低于负向阈值电压时,低端和高端输出都被拉低。当 VBS / VDD 电压达到正向阈值电压后,输出将在输入的下一个正边沿重新激活。
6.5 上拉和下拉输出
HOP 和 LOP 是上拉输出级,控制功率开关的导通速度;HON 和 LON 是下拉输出级,控制功率开关的关断速度。通过调整 R1、R3、R2 和 R4 的值,可以分别定义导通和关断速度,而无需在栅极电阻路径中使用二极管。
七、机械封装和尺寸
FAD6263 采用 SOIC - 16 封装,文档中提供了详细的封装尺寸和公差信息,以及推荐的安装脚印。在进行 PCB 设计时,工程师需要根据这些信息确保器件的正确安装和连接。
八、总结
FAD6263 半桥栅极驱动器具有多种优秀的特性和功能,适用于汽车、电机控制等多种应用场景。在使用过程中,工程师需要根据其参数指标和应用说明进行合理设计,确保器件在安全、可靠的工作范围内运行。同时,要注意遵循上电复位序列、正确使用关机和复位引脚、合理调节死区时间等,以充分发挥 FAD6263 的性能优势。大家在实际应用中遇到过哪些关于栅极驱动器的问题呢?欢迎在评论区分享交流。
-
电子应用
+关注
关注
0文章
380浏览量
6823
发布评论请先 登录
探索 onsemi FAD3151MXA/71MXA:高性能单通道浮动栅极驱动器的卓越表现
深入解析 onsemi FAD6263 半桥栅极驱动器
评论