单9 - A高速低侧栅极驱动器FAN3121和FAN3122:特性、应用与设计要点
在电子设计领域,栅极驱动器是驱动功率MOSFET等开关器件的关键组件。今天我们来详细探讨安森美(onsemi)的单9 - A高速低侧栅极驱动器FAN3121和FAN3122,了解它们的特性、应用场景以及设计过程中需要注意的要点。
产品概述
FAN3121和FAN3122 MOSFET驱动器专为驱动低侧开关应用中的N沟道增强型MOSFET而设计,通过提供高峰值电流脉冲来实现快速开关。它们具有多种特性,适用于多种应用场景。
特性亮点
- 输入阈值选择:可匹配TTL输入阈值电平(FAN312xT)或与VDD成比例的CMOS输入阈值电平(FAN312xC),满足不同的逻辑电平需求。
- 欠压锁定(UVLO)功能:内部电路使输出保持低电平,直到电源电压进入工作范围,确保系统在合适的电压下启动。
- MillerDrive架构:内置的MillerDrive架构在MOSFET开/关过程的米勒平台区域提供高峰值电流,加快开关速度。
- 使能功能:在引脚3(EN)上实施使能功能,内部上拉至VDD以获得高电平有效逻辑,标准运行时为开路。
- 多种封装形式:商用型采用3x3 mm 8 - 引线散热增强型MLP封装或8 - 引线SOIC封装,AEC - Q100符合汽车行业标准的版本提供8 - 引脚SOIC封装。
电气参数
- 工作电压范围:4.5 - V到18 - V,能适应不同的电源环境。
- 峰值电流:11.4A峰值灌电流(VDD = 12 V),9.7 - A灌电流/7.1 - A源电流(VOUT = 6 V),提供强大的驱动能力。
- 开关速度:10nF负载时具有23 - ns/19 - ns(典型值)的上升/下降时间,18ns至23ns典型传播延迟时间,实现快速开关。
引脚定义与输出逻辑
引脚定义
| FAN3121 | FAN3122 | 名称 | 说明 |
|---|---|---|---|
| 3 | 3 | EN | 使能输入,拉低该引脚禁用驱动器,兼容TTL和CMOS逻辑阈值电平。 |
| 4,5 | 4,5 | GND | 接地,输入与输出电路的公共参考地。 |
| 2 | 2 | IN | 输入。 |
| 6,7 | 6,7 | OUT | 栅极驱动输出,保持低电平,除非出现所需输入且VDD高于UVLO阈值。 |
| 1,8 | 1,8 | VDD | 电源电压,向IC提供电源。 |
| P1 | 散热焊盘(仅限于MLP封装),封装底部外露金属,可悬浮或与GND连接,不适合承载电流。 |
输出逻辑
| FAN3121为反相配置,FAN3122为同相配置,具体输出逻辑如下: | FAN3121 | ||
|---|---|---|---|
| EN | IN | OUT | |
| 0 | 0 | 0 | |
| 0 | 1 | 0 | |
| 1 | 0 | 1 | |
| 1 | 1 | 0 |
| FAN3122 | ||
|---|---|---|
| EN | IN | OUT |
| 0 | 0 | 0 |
| 0 | 1 | 0 |
| 1 | 0 | 0 |
| 1 | 1 | 1 |
应用场景
FAN3121和FAN3122适用于多种应用场景,包括但不限于:
- 同步整流电路:提高电源效率,减少能量损耗。
- 高效MOSFET开关:实现快速开关,降低开关损耗。
- 开关电源:为电源电路提供稳定的驱动信号。
- DC - DC转换器:确保转换器的高效运行。
- 电机控制:精确控制电机的转速和方向。
- 符合汽车行业标准的系统:AEC - Q100符合汽车行业标准的版本可用于汽车电子系统。
设计要点
输入配置
FAN3121和FAN3122系列提供TTL或CMOS输入配置版本。TTL输入阈值不依赖于VDD电压,有约0.7V的滞回电压,驱动信号应有快速上升和下降沿;CMOS输入阈值依赖于VDD电平,提供约17%VDD大小的滞回电压,可使用较慢的边沿。
静态电源电流
在Idd(静态)典型性能特性中,波形曲线是在所有输入端/使能端浮置(输出为低电平)的条件下产生的。对于其它状态,静态Idd电流的实际值为曲线值与流过输入端和输出端100k电阻的附加电流之和。
MillerDrive栅极驱动技术
FAN312x栅极驱动器引入的MillerDrive结构,通过双极性器件和MOS器件的结合,在较宽的电源电压与温度变化范围内提供大电流,加快开关速度。
欠压锁定(UVLO)
采用欠压锁定功能,确保IC正常启动,优化启动逻辑以驱动以地为参考的N - 沟道MOSFET。当VDD低于4.0V时,输出保持低电平,电源电压必须超过欠压保护点0.25V才能关断此功能,防止抖动。
VDD旁路和布局注意事项
在典型应用中,需要高电流脉冲对功率MOSFET的栅极进行充电和放电。应在VDD和GND引脚间直接连接具有低ESR和ESL的旁路电容,以提供大电流脉冲而不会在VDD电源产生无法接受的波纹。同时,要最小化通路上的电阻和电感。
热指南
栅极驱动器驱动高频率开关MOSFET和IGBT时会产生显著的功耗。总功耗为栅极驱动损耗(PGATE)和动态预驱动/直通电流(PDYNAMIC)之和: [P{TOTAL }=P{GATE }+P{DYNAMIC }] 其中, [P{GATE }=Q{G} cdot V{GS} cdot f{SW}] [P{DYMANIC }=I{DYNAMIC } cdot V{DD}] 确定驱动器的功耗后,可采用以下热公式估算相对电路板的驱动器结的温升: [T{J}=P{TOTAL } cdot Psi{JB}+T{B}] 其中,TJ为驱动器结温
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