长光辰芯发布GLR1202BSI-L：1000μm超长像素，为激光位移检测而生

近日，长光辰芯正式发布GLR系列全新产品——GLR1202BSI-L。这是一款专为高速点激光位移传感器应用量身打造的背照式线阵CMOS图像传感器，凭借12.5μm×1000μm的超长条形大像素、91%峰值量子效率以及最高350kHz行频，直击工业自动化、精密制造与新能源检测领域对高精度非接触位移检测的核心需求。

激光位移传感器的工作原理并不复杂——激光照射到被测物体表面后反射回来，传感器捕捉反射光斑的位置变化，从而计算出位移量。但在实际工业场景中，工件表面材质各异、反射特性不一，激光光斑往往不是一个理想的点，而是一段具有一定长度的亮带。

传统线阵传感器的像素高度通常在几十到几百微米，面对拉长的激光光斑时，容易出现捕捉不完整、线性度差的问题，直接影响测量精度和一致性。

GLR1202BSI-L将像素高度做到了1000μm，是常规方案的数倍。这意味着单个像素就能完整覆盖大范围的激光光斑，实现线性化精准捕捉。在工件对位校准、高速动态位移检测等场景中，这一设计可显著提升对准容错率与检测一致性，让精密工件定位不再"看运气"。

工业检测场景千差万别，有时需要极致灵敏度来捕捉微弱反射信号，有时则需要高信噪比来应对强反射或高动态范围场景。GLR1202BSI-L给出了一个务实的解决方案：支持高灵敏度与高信噪比两种模式自由切换。

高灵敏度模式下，芯片读出噪声仅为215e⁻，能够捕捉极其微弱的光信号；高信噪比模式下，满阱容量达到2Me⁻，最大信噪比63dB，动态范围69dB，在强信号环境下依然保持出色的线性度和测量精度。两种模式相互配合，一颗芯片即可覆盖多种应用场景，无需为不同工况更换传感器。

得益于背照式工艺，该芯片在440nm波长下峰值量子效率高达91%，在同规格产品中处于领先水平，即使在弱光或低反射率工况下也能稳定输出高质量数据。

在高速产线上，传感器的读取速度直接决定了检测节拍。GLR1202BSI-L集成12bit ADC，通过5对Sub-LVDS接口进行数字输出，全分辨率下行频可达240kHz。开启1×2 Binning功能后，行频进一步提升至350kHz，足以应对绝大多数高速位移检测需求。

此外，芯片还支持1224像素输出模式，可适配不同光学系统的尺寸需求，为光学设计留出更大的灵活度。

GLR1202BSI-L采用CLCC陶瓷封装，搭配双面抗反射镀膜玻璃密封，芯片整体尺寸为40mm×11mm。陶瓷封装具备优异的气密性和散热性能，玻璃密封则有效防止粉尘和湿气侵入，确保在高温、高湿、强振动等工业现场环境中长期稳定运行。

按照官方计划，GLR1202BSI-L工程样片将于2026年6月下旬开始发货，目前已正式开放订购。

从GLR1205BSI-S到GLR1002BSI-S，再到如今的GLR1202BSI-L，长光辰芯正以"一款产品解决一个场景"的精准策略，持续深耕高端线阵传感器市场。在国产替代加速推进的大背景下，这颗为激光位移检测而生的"中国芯"，值得工业检测厂商重点关注。