具备低导通电阻、低栅极电荷、低Qrr值以及卓越热性能的碳化硅功率MOSFET

SiC MOSFET，即碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管，是一种基于第三代宽禁带半导体材料碳化硅（SiC）的功率器件。相较于传统硅基器件，SiC MOSFET凭借碳化硅材料的高击穿电场、高热导率等特性，具有耐高压、耐高温、开关频率高、导通损耗与开关损耗低等显著优势。

在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。由于SiC MOSFET器件特性与传统的Si MOSFET有较大差别，SiC MOSFET驱动电路也是一项研究的重点。相比于Si MOSFET，SiC MOSFET的寄生电容更小。

碳化硅MOSFET的核心优势是基于高硬度、高导热性的碳化硅衬底，使其在高温、高频、高功率场景下性能优异：

基本定义：碳化硅MOSFET是一种以碳化硅为衬底材料的金属氧化物半导体场效应晶体管。

材料特性：碳化硅具有高硬度、高导热性、高化学稳定性等特点。

性能优势：这些特性使得碳化硅MOSFET在高温、高频、高功率等恶劣环境下表现优异。

应用领域：该器件广泛应用于电力电子、新能源汽车、轨道交通等领域。

碳化硅MOSFET - SCx80R300Y

碳化硅MOSFET - SCx80R300Y是一款基于XLW先进的设计理念及宽带隙材料的独特特性，具备低导通电阻、低栅极电荷、低Qrr值以及卓越的热性能。该器件专为将导通损耗降至较低而设计，同时确保开关性能优异且几乎不受温度变化影响。用于高效率开关电源应用。‌

此外，我们的碳化硅功率MOSFET具有高可靠性和极高的效率，其开发旨在提升终端应用的性能表现，特别是在工作频率、能效、可靠性以及系统尺寸和重量的缩减方面。

关键优势：

‌更低导通损耗‌：RDS(on)大幅降低，提升效率‌。

‌更快开关速度‌：栅极电荷（Qg）和寄生电容更小，适合高频应用（如LLC、PFC拓扑）‌。

‌更高功率密度‌：芯片面积更小，散热更优，适用于紧凑型设计（如快充、适配器）。

‌更强高温稳定性‌：内阻温度系数更平缓，重载高温下性能更稳定‌。

电特性：

电特性

功率MOS管 - SCx80R300Y的特性：

低导通电阻（Rds(on)）

高速开关

低开关与传导损耗

内置快速本征二极管（低 Qrr/TRR）

100% 雪崩测试

无卤素且符合 RoHS

典型应用场景：

EV充电

电动汽车充电桩

车载充电器（OBC）

UPS

储能系统

太阳能逆变器

审核编辑 黄宇