24W PSR 方案 BOM 仅 38 颗：LP3798ESM 省掉的 8 颗料分别是什么角色？

开发现阶段做 12V/2A 适配器选型，如果还在一条条对光耦、TL431、外部 MOSFET、肖特基的型号和价格，这篇值得花 3 分钟看完。

芯茂微 LP3798ESM 把原边主控、高压启动、750V SiC MOSFET 集成到一颗 ASOP-6 里，副边搭配 LP15R060S 取代肖特基。结果就是：同样 24W 输出，BOM 从 44~46 颗砍到 38 颗，单台成本比 SSR Si MOS 方案省 1.0 元。

下面逐颗拆解被省掉的 8 颗料，以及它们各自被什么替代。

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一、方案基础参数

参数	指标
输入电压	90-264Vac
输出	12V / 2A（24W）
架构	PSR 原边反馈，恒压恒流
工作模式	CCM / DCM
开关频率	100kHz
主控	LP3798ESM（ASOP-6，内置 SiC MOSFET）
同步整流	LP15R060S（SOP-7，60V SiC）
变压器磁芯	EE1310（AE=53.9mm²，幅宽 8.2mm）
高压电容	22μF × 2 / 400V
输出滤波	1000μF × 2 电解
线端平均效率	87.93%
待机功耗	＜75mW（七级能效）
输出纹波	＜200mV
保护	OCP 1.2-1.5 倍、OVP 1.2 倍、输入欠压、VCC 过欠压
PCB	45×39mm 单面板

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二、省掉的 8 颗料，逐个拆解

1. PC817 光耦

传统方案的角色 ：副边通过光耦将输出电压反馈到原边控制器，实现稳压。

本方案的替代逻辑 ：
LP3798ESM 采用原边反馈（PSR）技术，通过辅助绕组检测输出电压波形，在芯片内部完成恒压/恒流环路计算。光耦及其外围偏置电阻、电容全部省掉。

额外收益：光耦存在 CTR 衰减老化问题，PSR 方案无此失效路径，返修率实测降低 60%。

2. TL431 + 补偿网络（2~3 颗）

传统方案的角色 ：TL431 作为精密电压基准配合阻容网络，为光耦提供参考电压。

本方案的替代逻辑 ：
恒压恒流基准和环路补偿全部集成在 LP3798ESM 内部，FB 引脚只需外接两个分压电阻（24kΩ / 4.3kΩ）设定输出电压，无需外部补偿。

3. 外部高压 MOSFET

传统方案的角色 ：独立的 650V/700V CoolMOS，需搭配驱动电阻、栅极保护。

本方案的替代逻辑 ：
LP3798ESM 内部集成 750V SiC MOSFET（1.2Ω），SiC 材料相比硅 CoolMOS 开关损耗更低，且无需外部驱动回路元件。

4. 副边肖特基二极管 + 散热片（2 颗）

传统方案的角色 ：输出整流，SS34 或 SR5200 之类，满载发热大，必须配散热片。

本方案的替代逻辑 ：
LP15R060S（60V SiC 同步整流管），导通电阻极低，整流损耗比肖特基降 40-50%，无需散热片即可满载运行。

5. 额外 VCC 供电二极管 + 限流电阻（2 颗）

传统方案的角色 ：辅助绕组输出需经过二极管整流、电阻限流后给芯片供电。

本方案的替代逻辑 ：
LP3798ESM 内部集成高压启动和自供电电路，启动后由辅助绕组直接供电，无需外置 VCC 整流二极管。

省料汇总 ：PC817 × 1 + TL431 × 1 + 补偿阻容 × 2 + 高压 MOSFET × 1 + 肖特基 × 1 + 散热片 × 1 + VCC 二极管 × 1 = 减少 6~8 颗

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三、成本对比结果

对比对象	节省环节	具体明细	每台节省
vs PSR CoolMOS 方案	变压器 + 同步管 + 线材	EE1705→EE1310 省 0.3 元SR 60V 省 0.25 元线材 24# 省 0.15 元	0.7 元
vs SSR Si MOS 方案（光耦+TL431）	变压器 + 同步管 + 线材 + 光耦 TL431	变压器更小省 0.3 元SR 60V 省 0.2 元线材 24# 省 0.25 元光耦+TL431 省 0.25 元	1.0 元

按年产 50 万台计算， 仅更换方案一项即可节省 35~50 万元 。

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四、效率实测数据

负载	线端 115Vac	线端 230Vac
2A（满载）	86.63%	87.26%
1.5A	88.39%	88.71%
1A	89.30%	89.03%
0.5A	89.96%	89.08%

线端平均效率 87.93%，待机 < 75mW，满足 VI 级 / 七级能效要求。

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五、方案核心优势（选型关注点）

1. PSR 极简架构 — 无光耦、无 TL431，消除光耦老化失效，返修率降 60%
2. 100kHz 高频 — 变压器用 EE1310，适配 45×39mm 单面板
3. SiC 双管 — 主控 + 同步整流均用 SiC，无需散热片
4. 保护齐全 — OCP 1.2-1.5 倍、OVP 1.2 倍、输入欠压、VCC 过欠压
5. 成本优势明确 — 单台省 0.7~1.0 元，与现有方案可直接对比

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六、适用场景

类别	典型产品
消费电子适配器	路由器、光猫、机顶盒、摄像头、蓝牙音箱、扫地机器人
工业/商用电源	PLC 辅助电源、门禁系统、楼宇对讲、LED 灯带驱动
智能家居	智能插座、网关、传感器集中供电

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七、变压器关键参数（可直接打样）

参数	规格
磁芯	EE1310（AE=53.9mm²，幅宽 8.2mm）
匝比 Np:Ns:Na	64 : 7 : 13
原边电感 Lp	1.5mH ±10%
气隙	0.2mm（中柱）
绕法	三明治 Np-Ns-Np，减小漏感

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选型小结 ：LP3798ESM + LP15R060S 方案在 12V/2A(24W) 这个档位，BOM 从 44~46 颗压到 38 颗，去掉的 8 颗料分别对应光耦、TL431、独立 MOSFET、肖特基、散热片和 VCC 供电链路。每颗料的角色明确，替代逻辑清晰，与传统方案可直接做成本对账。适合对 BOM 成本和长期可靠性有明确要求的批量化产品选型。

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资料获取

如需以下资料，私信发送 「LP3798ESM-24W」 领取：

• 完整 BOM 清单（含物料编码与供应商）
• 变压器绕制规格书（含引脚定义）
• PCB Layout 源文件（Altium 格式）
• 典型应用电路原理图（PDF）

审核编辑 黄宇