探索onsemi的NPN功率晶体管BU406和BU407

在电子设计领域，功率晶体管是至关重要的组件，它们在众多应用中发挥着关键作用。今天，我们将深入了解onsemi的两款NPN功率晶体管——BU406和BU407，探讨它们的特性、参数以及应用场景。

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产品概述

BU406和BU407是专为电视和阴极射线管（CRT）的水平偏转输出级设计的高压、高速晶体管。它们具有高电压、快速开关速度和低饱和电压的特点，并且符合RoHS标准，是无铅产品。

主要特性

高电压能力

这两款晶体管能够承受较高的电压，BU406的集电极 - 发射极电压（VCEO）可达400V，BU407为330V。这种高电压能力使得它们在需要处理高电压的应用中表现出色。

快速开关速度

快速的开关速度是这两款晶体管的一大优势，能够满足高速电路的需求，提高电路的工作效率。

低饱和电压

低饱和电压意味着在导通状态下，晶体管的功率损耗较小，从而提高了能源利用效率，降低了发热。

最大额定值

参数	BU406	BU407	单位
集电极 - 发射极电压（VCEO）	400	330	Vdc
集电极 - 基极电压（VcBO）	400	330	Vdc
发射极 - 基极电压（VEBO）	6	6	Vdc
峰值重复集电极电流（IC）	7	10	Adc
最大集电极电流（ICM）	15	15	Adc
基极电流（Ig）	4	4	Adc
结温（TJ）和储存温度（Tstg）	-65 至 150	-65 至 150	°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

电气特性

截止特性

• 集电极 - 发射极维持电压（VCEO(sus)）：BU406为200V，BU407为150V（IC = 100 mAdc，IB = 0）。
• 集电极截止电流（ICES）：在不同条件下有不同的值，如VCE = 额定VCEO + 50 Vdc，VBE = 0时，最大值为5 mAdc。
• 发射极截止电流（IEBO）：BU406和BU407均为1 mAdc（VEB = 6 Vdc，IC = 0）。

导通特性

• 集电极 - 发射极饱和电压（VCE(sat)）：在IC = 5 Adc，IB = 0.5 Adc时为1 Vdc。
• 基极 - 发射极饱和电压（VBE(sat)）：在IC = 5 Adc，IB = 0.5 Adc时为1.2 Vdc。
• 正向二极管电压（VEC）：在IEC = 5 Adc时为2 V（仅“D”型）。

动态特性

• 电流增益 - 带宽乘积（fT）：在IC = 0.5 Adc，VCE = 10 Vdc，ftest = 20 MHz时为10 MHz。
• 输出电容（Cob）：在VCB = 10 Vdc，IE = 0，f = 1 MHz时最大为80 pF。

开关特性

• 电感负载交叉时间（tc）：在VCC = 40 Vdc，IC = 5 Adc，IB1 = IB2 = 0.5 Adc，L = 150 H时为0.75 s。

热特性

热阻（Junction-to-Ambient）相关信息可参考文档，在特定条件下（如距离外壳1/8"，持续5秒）的温度（TL）也有相应规定。

封装与订购信息

BU406G采用TO - 220AB（无铅）封装，每轨50个单位。需要注意的是，BU407G已停产，如需相关信息可联系onsemi代表。

机械尺寸

TO - 220 - 3封装的尺寸有详细规定，包括各个维度的最小值、标称值和最大值，如A尺寸范围为4.07 - 4.83mm，D尺寸范围为9.66 - 10.53mm等。同时，文档还给出了不同引脚排列的样式。

应用与思考

BU406和BU407在电视和CRT的水平偏转输出级有着广泛的应用，其高电压、快速开关速度和低饱和电压的特性使得它们能够满足这些应用的需求。然而，在实际设计中，我们还需要考虑其他因素，如散热问题、电路的稳定性等。你在使用类似功率晶体管时，遇到过哪些挑战呢？又是如何解决的呢？欢迎在评论区分享你的经验。

总之，onsemi的BU406和BU407是两款性能出色的NPN功率晶体管，对于电子工程师来说，了解它们的特性和参数，能够更好地应用于实际设计中，提高电路的性能和可靠性。