探索 onsemi MJE15032（NPN）与 MJE15033（PNP）互补硅功率晶体管

在电子设计领域，选择合适的晶体管对于实现高性能电路至关重要。今天，我们将深入探讨 onsemi 公司的 MJE15032（NPN）和 MJE15033（PNP）互补硅功率晶体管，看看它们在音频放大器等应用中能带来怎样的表现。

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产品概述

MJE15032（NPN）和 MJE15033（PNP）这对互补硅功率晶体管专为音频放大器中的高频驱动而设计。它们采用 TO - 220 紧凑型封装，具有高直流电流增益和高电流增益 - 带宽积的特点。此外，其环氧树脂符合 UL 94 V - 0 标准（厚度为 0.125 英寸），并且是无铅产品，符合 RoHS 标准。

关键参数与特性

最大额定值

额定参数	符号	值	单位
集电极 - 发射极电压	VCEO	250	Vdc
集电极 - 基极电压	VCB	250	Vdc
发射极 - 基极电压	VEB	5.0	Vdc
集电极连续电流	Ic	8.0	Adc
集电极峰值电流	ICM	16	Adc
基极电流	-	2.0	Adc
总功率耗散（$T_{C}=25^{circ} C$），25°C 以上降额	PD	50（0.40 W/°C）	W
总功率耗散（$T_{A}=25^{circ} C$），25°C 以上降额	PD	2.0（0.016 W/°C）	W
工作和存储结温范围	TJ, Tstg	-65 至 + 150	°C
ESD - 人体模型	HBM	3B	V
ESD - 机器模型	MM	C	V

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。若超出这些限制，不能保证器件的功能，可能会发生损坏并影响可靠性。

热特性

特性	符号	最大值	单位
结到外壳的热阻	Reuc	2.5	°C/W
结到环境的热阻	RUA	62.5	°C/W

热特性对于晶体管的稳定工作至关重要。较低的热阻意味着能够更有效地散热，从而保证晶体管在不同环境下的性能。

电气特性

截止特性

• 集电极 - 发射极维持电压（$I{C}= 10 mAdc, I{B}=0$）：VCEO(sus) 最小值为 250 Vdc。
• 集电极截止电流（$V{CB}=250 Vdc, I{E}=0$）：ICBO 最大值为 10 uAdc。
• 发射极截止电流（$V{BE}=5.0Vdc,I{C}=0$）：IEBO 最大值为 10 uAdc。

导通特性

• 直流电流增益（不同集电极电流和集电极 - 发射极电压条件下）：在$I{C}=0.5 Adc, V{CE}=5.0 Vdc$时，hFE 最小值为 70；$I{C}=1.0 Adc, V{CE}=5.0 Vdc$时，hFE 最小值为 50；$I{C}=2.0 Adc, V{CE}=5.0 Vdc$时，hFE 最小值为 10。
• 集电极 - 发射极饱和电压（$I{C}= 1.0 Adc, I{B} = 0.1 Adc$）：VCE(sat) 最大值为 0.5 Vdc。
• 基极 - 发射极导通电压（$I{C}=1.0 Adc, V{CE}=5.0 Vdc$）：VBE(on) 最大值为 1.0 Vdc。

动态特性

电流增益 - 带宽积（$I{C}=500 mAdc, V{CE}=10 Vdc, f_{test }=1.0 MHz$）：fT 最小值为 30 MHz。

这里需要提醒大家，产品的参数性能是在列出的测试条件下给出的。如果在不同条件下运行，产品性能可能与电气特性有所不同。例如，脉冲测试要求脉冲宽度 ≤300 μs，占空比 ≤2.0% 。

安全工作区

晶体管的功率处理能力受到平均结温和二次击穿两个因素的限制。安全工作区曲线表明了晶体管的$I{C}-V{CE}$限制，为了可靠运行，必须遵守这些限制，即晶体管的耗散不能超过曲线所示的值。

数据基于$T{J(pk)}=150^{circ} C$，$T{C}$会根据条件变化。二次击穿脉冲限制在占空比达 10% 且$T{J(pk)} <150^{circ} C$时有效，$T{J(pk)}$可根据图 1 的数据计算得出。在高外壳温度下，热限制会使可处理的功率低于二次击穿所施加的限制。

封装与订购信息

封装尺寸

采用 TO - 220 - 3 封装，尺寸为 10.10x15.12x4.45，引脚间距 2.54P。具体尺寸如下表：	尺寸	最小值	标称值	最大值
A	4.07	4.45	4.83
A1	1.15	1.28	1.41
A2	2.04	2.42	2.79
b	1.15	1.34	1.52
b1	0.64	0.80	0.96
C	0.36	0.49	0.61
D	9.66	10.10	10.53
D1	8.43	8.63	8.83
E	14.48	15.12	15.75
E1	12.58	12.78	12.98
E2	1.27 REF	-	-
e	2.42	2.54	2.66
e1	4.83	5.08	5.33
H1	5.97	6.22	6.47
L	12.70	13.49	14.27
L1	2.80	3.45	4.10
Q	2.54	2.79	3.04
OP	3.60	3.85	4.09
Z	-	-	3.48

订购信息

器件	封装	包装数量
MJE15032G	TO - 220（无铅）	50 个/导轨
MJE15033G	TO - 220（无铅）	50 个/导轨

总结

MJE15032（NPN）和 MJE15033（PNP）互补硅功率晶体管凭借其高电流增益、良好的热特性和合适的封装，在音频放大器等高频驱动应用中具有很大的优势。作为电子工程师，在设计相关电路时，我们需要充分考虑这些参数和特性，以确保电路的性能和可靠性。大家在实际应用中是否遇到过类似晶体管的使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。