onsemi碳化硅JFET UJ3N120065K3S：高性能功率器件的卓越之选

在功率半导体器件领域，碳化硅（SiC）技术凭借其出色的性能表现逐渐崭露头角。今天，我们就来深入探讨一下安森美（onsemi）推出的一款高性能G3碳化硅常开JFET晶体管——UJ3N120065K3S。

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产品概述

UJ3N120065K3S采用TO247 - 3封装，额定电压为1200V，典型导通电阻 (R{DS(on),typ}) 为66mΩ。这款器件属于常开型JFET，具有超低的导通电阻和栅极电荷，能够有效降低导通和开关损耗。其常开特性在 (V{GS}=0V) 时低 (R_{DS (on) }) 的特点，使其非常适合用于无需主动控制的电流保护电路，同时也适用于共源共栅操作。

产品特性

低导通电阻与栅极电荷

超低的导通电阻和栅极电荷是这款器件的一大亮点。低导通电阻意味着在导通状态下，器件的功率损耗更小，能够提高系统的效率。而低栅极电荷则使得器件在开关过程中所需的驱动能量更少，从而降低了开关损耗，提高了开关速度。

宽温度范围

该器件的最高工作温度可达175°C，并且工作和存储温度范围为 - 55°C至175°C。这使得它能够在较为恶劣的环境条件下稳定工作，适用于各种工业和汽车应用场景。

快速开关特性

UJ3N120065K3S具有极快的开关速度，并且开关速度不受温度影响。这一特性使得它在高频应用中表现出色，能够有效减少开关损耗，提高系统的整体性能。

环保设计

该器件符合无铅、无卤素和ROHS标准，体现了安森美在环保方面的考虑，满足了现代电子设备对环保的要求。

主要参数

最大额定值

参数	符号	测试条件	值	单位
漏源电压	(V_{DS})		1200	V
栅源电压（DC）	(V_{GS})	DC	- 20至 + 3	V
栅源电压（AC）	(V_{GS})	AC (Note 1)	- 30至 + 20	V
连续漏极电流（(T_{C}=25°C)）	(I_{D})	(T_{C}=25°C)	34	A
连续漏极电流（(T_{C}=100°C)）	(I_{D})	(T_{C}=100°C)	25	A
脉冲漏极电流（(T_{C}=25°C)）	(I_{DM})	(T_{C}=25°C)	90	A
功率耗散（(T_{C}=25°C)）	(P_{tot})	(T_{C}=25°C)	254	W
最大结温	(T_{J,max})		175	°C
工作和存储温度	(T{J}, T{STG})		- 55至175	°C
焊接时最大引脚温度（距外壳1/8”，5秒）	(T_{L})		250	°C

热特性

参数	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
结到外壳的热阻	(R_{JC})			0.45	0.59	°C/W

电气特性

在 (T_{J}= + 25°C)（除非另有说明）的条件下，该器件的部分电气特性参数如下：

• 总漏极泄漏电流（(V{DS}=1200V, V{GS}=-20V)）：最大值为56μA
• 总栅极泄漏电流（(V{GS}=-20V, T{J}=25°C)）：最大值为1μA
• 导通电阻 (R{DS(on)})：在不同条件下有不同的值，如 (V{GS}=0V, I{D}=10A, T{J}=175°C) 时，最大值为142mΩ

典型应用

• 过流保护电路：由于其常开特性和低导通电阻，该器件非常适合用于过流保护电路，无需主动控制即可实现电流保护功能。
• DC - AC逆变器：在DC - AC逆变器中，快速的开关速度和低损耗特性能够提高逆变器的效率和性能。
• 开关模式电源：有助于降低开关损耗，提高电源的效率和稳定性。
• 功率因数校正模块：可改善功率因数，提高电能利用效率。
• 电机驱动：能够满足电机驱动对快速开关和高效性能的要求。
• 感应加热：在感应加热应用中，其快速开关特性和高温稳定性能够保证加热效果和系统的可靠性。

性能图表

文档中提供了一系列典型性能图表，包括不同温度下的输出特性、漏源泄漏电流、电容特性、导通电阻与结温的关系等。这些图表能够帮助工程师更直观地了解器件在不同条件下的性能表现，从而更好地进行电路设计和优化。

订购信息

该器件的型号为UJ3N120065K3S，标记与型号一致，采用TO247 - 3封装（尺寸为15.90x20.96x5.03，5.44P，无铅、无卤素），每管装600个。

总结

UJ3N120065K3S作为一款高性能的碳化硅JFET晶体管，具有低导通电阻、低栅极电荷、快速开关、宽温度范围等诸多优点，适用于多种功率应用场景。电子工程师在设计相关电路时，可以充分考虑该器件的特性，以提高系统的性能和效率。大家在实际应用中是否遇到过类似高性能器件的选型和使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。