安森美1700V碳化硅MOSFET：NTBG028N170M1深度解析

在电力电子领域，碳化硅（SiC）MOSFET凭借其卓越的性能逐渐成为众多应用的首选。安森美（onsemi）推出的NTBG028N170M1碳化硅MOSFET，以其出色的参数和特性，为工程师们提供了一个强大的解决方案。今天，我们就来深入剖析这款产品。

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产品特性亮点

低导通电阻

典型的导通电阻 (R_{DS(on)}) 为28 mΩ，这意味着在导通状态下，器件的功率损耗较低，能够有效提高系统的效率，减少发热。这对于需要长时间稳定运行的设备来说至关重要，比如UPS和DC - DC转换器等。

超低栅极电荷

典型的总栅极电荷 (QG_{(tot)}) 为222 nC，低栅极电荷使得器件在开关过程中所需的驱动能量减少，从而降低了驱动电路的功耗，提高了开关速度，减少了开关损耗。

低有效输出电容

典型的输出电容 (C_{oss}) 为200 pF，低输出电容有助于减少开关过程中的能量损耗，提高开关频率，使系统能够在更高的频率下稳定运行。

雪崩测试认证

该器件经过100%雪崩测试，这意味着它在面对电压尖峰和浪涌时具有更高的可靠性和稳定性，能够有效保护系统免受损坏。

RoHS合规

符合RoHS标准，表明该产品在环保方面符合国际要求，有助于工程师设计出更环保的产品。

典型应用场景

UPS（不间断电源）

在UPS系统中，NTBG028N170M1的低导通电阻和低开关损耗能够提高UPS的效率，延长电池的使用寿命，同时其高可靠性和稳定性能够确保在市电中断时为负载提供稳定的电力。

DC - DC转换器

DC - DC转换器需要高效、快速的开关器件来实现电压转换。NTBG028N170M1的低导通电阻和低栅极电荷特性使其非常适合用于DC - DC转换器，能够提高转换效率，减少发热。

升压转换器

升压转换器需要能够承受高电压和大电流的器件。NTBG028N170M1的1700V耐压和大电流处理能力使其成为升压转换器的理想选择。

关键参数解读

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	1700	V
栅源电压	(V_{GS})	-15/+25	V
推荐栅源电压（(T_C < 175^{circ}C)）	(V_{GSop})	-5/+20	V
稳态连续漏极电流（(T_C = 25^{circ}C)）	(I_D)	71	A
稳态连续漏极电流（(T_C = 100^{circ}C)）	(I_D)	53	A
脉冲漏极电流（(T_A = 25^{circ}C)）	(I_{DM})	195	A
工作结温和存储温度范围	(TJ, T{stg})	-55 to +175	(^{circ}C)
源极电流（体二极管）	(I_S)	99	A
单脉冲漏源雪崩能量（(I_{L(pk)} = 30 A, L = 1 mH)）	(E_{AS})	450	mJ
焊接时最大引脚温度（距外壳1/8英寸，5秒）	(T_L)	300	(^{circ}C)

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

电气特性

• 关断特性：漏源击穿电压 (V{(BR)DSS}) 在 (V{GS}=0 V, ID = 1 mA) 时为1700V，零栅压漏极电流 (I{DSS}) 在 (T_J = 175^{circ}C) 时最大为100 μA。
• 导通特性：栅极阈值电压 (V{GS(TH)}) 在 (V{GS} = V_{DS}, ID = 20 mA) 时为1.8 - 4.3V，推荐栅极电压 (V{GOP}) 为 +20V，漏源导通电阻 (R{DS(on)}) 在 (V{GS}=20 V, I_D = 60 A, T_J = 25^{circ}C) 时最大为40 mΩ，在 (T_J = 175^{circ}C) 时为57 mΩ。
• 开关特性：开通延迟时间和上升时间在 (V{GS} = -5/20 V, V{DS} = 1200 V, RG = 2Ω) 条件下分别为18 ns和121 ns，开通损耗 (E{ON}) 为1311 μJ，关断开关损耗为683 μJ，总开关损耗 (E_{tot}) 为1994 μJ。

封装与订购信息

该器件采用D2PAK - 7L封装，每盘800个，采用带盘包装。对于带盘规格的详细信息，可参考安森美的Tape and Reel Packaging Specification Brochure，BRD8011/D。

总结

安森美NTBG028N170M1碳化硅MOSFET以其低导通电阻、超低栅极电荷、低有效输出电容等特性，在UPS、DC - DC转换器和升压转换器等应用中具有显著优势。其丰富的参数和可靠的性能为工程师们提供了一个强大而稳定的解决方案。在实际设计中，工程师们需要根据具体的应用需求，合理选择和使用该器件，以充分发挥其性能优势。大家在使用这款器件的过程中，有没有遇到什么有趣的问题或者独特的应用案例呢？欢迎在评论区分享交流。