安森美SiC MOSFET NVHL1000N170M1：性能与应用解析

在功率半导体领域，碳化硅（SiC）MOSFET凭借其卓越的性能逐渐成为众多应用的首选。今天我们就来深入了解安森美（onsemi）的一款SiC MOSFET——NVHL1000N170M1。

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产品特性亮点

低导通电阻

该MOSFET典型导通电阻 (R{DS(on)}) 为960 mΩ（(V{GS}=20 V)），低导通电阻意味着在导通状态下的功率损耗更低，能够有效提高系统效率。

超低栅极电荷

其总栅极电荷 (Q_{G(tot)}) 仅为14 nC，这使得器件在开关过程中所需的驱动能量更小，从而降低了驱动电路的功耗，同时也有助于提高开关速度。

高速开关与低电容

输出电容 (C_{oss}) 为11 pF，低电容特性使得器件在开关过程中能够快速充放电，减少开关时间和开关损耗，实现高速开关。

可靠性高

该器件经过100%雪崩测试，并且通过了AEC - Q101认证，具备PPAP能力，适用于对可靠性要求较高的汽车等领域。此外，它是无卤产品，符合RoHS标准（豁免7a），第二级互连为无铅2LI。

典型应用场景

NVHL1000N170M1适用于反激式转换器。反激式转换器在开关电源中应用广泛，该MOSFET的高性能特性能够满足反激式转换器对效率、开关速度和可靠性的要求。

关键参数分析

最大额定值

参数	符号	数值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	1700	V
栅源电压	(V_{GS})	- 15/+25	V
推荐栅源电压（(T_{C}<175 °C)）	(V_{GSop})	- 5/+20	V
稳态连续漏极电流（(T_{C}=25 °C)）	(I_{D})	4.2	A
功率耗散（(T_{C}=25 °C)）	(P_{D})	48	W
稳态连续漏极电流（(T_{C}=100 °C)）	(I_{D})	3	A
功率耗散（(T_{C}=100 °C)）	(P_{D})	24	W
脉冲漏极电流（(T_{C}=25 °C)）	(I_{DM})	14	A
工作结温和存储温度范围	(T{J},T{stg})	- 55 to +175	°C
源极电流（体二极管）	(I_{S})	9.5	A
单脉冲漏源雪崩能量	(E_{AS})	24	mJ
焊接时最大引脚温度（距外壳1/25″，10 s）	(T_{L})	270	°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，并且整个应用环境会影响热阻数值，热阻不是常数，仅在特定条件下有效。

电气特性

• 关断特性：漏源击穿电压 (V{(BR)DSS}) 为1700 V，在 (I{D}=1 mA) 时，温度系数 (V{(BR)DSS}/T{J}) 为0.5 V/°C。栅源漏电流 (I{Gss}) 在 (V{GS}= + 25/-15V)，(V_{DS}=0V) 时较小。
• 导通特性：推荐栅极电压 (V{GOP}) 有一定范围，漏源导通电阻 (R{DS(ON)}) 在 (V{GS}=20 V)，(I{D}=2 A)，(T{J}=25 °C) 时典型值为960 mΩ，在 (T{J}=175 °C) 时会增大到1800 mΩ。
• 电荷、电容与栅极电阻：输入电容 (C{iss})、输出电容 (C{oss})、反向传输电容 (C{RSS}) 等参数决定了器件的开关特性。总栅极电荷 (Q{G(TOT)}) 为14 nC，栅漏电荷 (Q_{GD}) 为7.5 nC。
• 开关特性：开通延迟时间 (t{d(ON)})、关断延迟时间 (t{d(OFF)}) 以及开通和关断开关损耗 (E{ON})、(E{OFF}) 等参数反映了器件的开关速度和损耗情况。

封装与订购信息

该器件采用TO - 247 - 3L封装，每管装30个。其封装尺寸有详细规定，在进行PCB设计时需要严格按照尺寸要求进行布局。

总结

安森美NVHL1000N170M1 SiC MOSFET以其低导通电阻、超低栅极电荷、高速开关等特性，在反激式转换器等应用中具有很大的优势。电子工程师在设计相关电路时，可以根据其各项参数和特性，合理选择和使用该器件，以提高系统的性能和可靠性。但在实际应用中，还需要注意最大额定值的限制以及环境因素对器件性能的影响。大家在使用这款器件时，有没有遇到过什么特别的问题呢？欢迎在评论区分享交流。