onsemi碳化硅肖特基二极管FFSH20120ADN-F085技术解析

在功率半导体领域，碳化硅（SiC）技术正逐渐崭露头角。今天我们就来深入了解一下安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二极管FFSH20120ADN - F085，看看它有哪些独特之处。

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产品概述

FFSH20120ADN - F085是一款20A、1200V的碳化硅肖特基二极管，采用TO - 247 - 3L封装。与传统的硅二极管相比，碳化硅肖特基二极管采用了全新的技术，具有卓越的开关性能和更高的可靠性。它没有反向恢复电流，开关特性不受温度影响，并且具有出色的热性能，这些特点使得碳化硅成为下一代功率半导体的理想选择。使用该二极管的系统能够获得更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度，同时还能降低电磁干扰（EMI），减小系统的尺寸和成本。

产品特性

温度与雪崩特性

• 高结温：最大结温可达175°C，这使得它能够在较为恶劣的高温环境下稳定工作。
• 雪崩额定：雪崩额定能量为100mJ，这意味着它在遇到瞬间的高能量冲击时，能够承受一定的能量而不损坏。

电流与并联特性

• 高浪涌电流能力：具有较高的浪涌电流承受能力，能够应对瞬间的大电流冲击。
• 正温度系数：正温度系数的特性使得它在并联使用时更加稳定，易于实现多个二极管的并联以满足更高的电流需求。
• 无反向恢复/无正向恢复：这一特性大大减少了开关损耗，提高了系统的效率。

认证与环保特性

• AEC - Q101认证：通过了AEC - Q101认证，适用于汽车电子等对可靠性要求较高的应用领域，并且具备生产件批准程序（PPAP）能力。
• 环保设计：该器件无铅、无卤化物/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准，符合环保要求。

应用领域

这款二极管主要应用于汽车混合动力电动汽车（HEV - EV）的车载充电器和直流 - 直流转换器中。在汽车电子领域，对功率器件的性能和可靠性要求极高，FFSH20120ADN - F085的特性正好满足了这些需求，能够提高汽车充电系统的效率和稳定性。

关键参数

绝对最大额定值

符号	参数	值
峰值重复反向电压		1200V
连续整流正向电流（$T_{C}<135^{circ}C$）		10A（每支路）/20A（每器件）
非重复峰值正向浪涌电流		630A
非重复正向浪涌电流（半正弦脉冲，$t_{p}=8.3ms$）		46A
功率（$T_{C}=25^{circ}C$）		150W
工作和存储温度范围		- 55°C至 + 175°C
TO247安装扭矩（M3螺丝）		60

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制，不能保证器件的功能正常，可能会发生损坏并影响可靠性。

热特性

热阻（结到壳，最大）为1.0°C/W（每支路）/0.44°C/W（每器件），良好的热特性有助于热量的散发，保证器件在工作时的稳定性。

电气特性

在$T{C}=25^{circ}C$的条件下，正向电压在1.7V - 2.0V之间，反向电流在$V{R}=1200V$、$T_{C}=25^{circ}C$时最大为200μA，总电容电荷为62nC等。产品的参数性能是在列出的测试条件下给出的，如果在不同条件下运行，产品性能可能会有所不同。

订购信息

零件编号	顶部标记	封装	包装
FFSH20120ADN - F085	FFSH20120ADN	TO - 247 - 3LD（无铅/无卤）	30个/管

总结

FFSH20120ADN - F085碳化硅肖特基二极管凭借其卓越的性能和特性，在汽车电子等领域具有广阔的应用前景。对于电子工程师来说，在设计汽车HEV - EV的车载充电器和直流 - 直流转换器等电路时，这款二极管是一个不错的选择。不过在实际应用中，还需要根据具体的电路要求和工作条件，对其各项参数进行进一步的评估和验证。你在使用类似的碳化硅二极管时，有没有遇到过什么问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。