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onsemi NXH240B120H3Q1PG系列Si/SiC混合模块技术解析

lhl545545 2026-04-27 14:05 次阅读
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onsemi NXH240B120H3Q1PG系列Si/SiC混合模块技术解析

电力电子领域,高效、可靠的功率模块一直是工程师们追求的目标。onsemi推出的NXH240B120H3Q1PG系列Si/SiC混合模块,凭借其独特的设计和优异的性能,为太阳能逆变器、ESS等应用提供了理想的解决方案。本文将深入解析该系列模块的特点、参数及典型应用。

文件下载:NXH240B120H3Q1PG-D.PDF

一、模块概述

NXH240B120H3Q1PG是一款采用Q1封装的功率模块,包含三通道BOOST级。它集成了场截止沟槽IGBT和SiC二极管,能够有效降低传导损耗和开关损耗,帮助设计师实现高效率和卓越的可靠性。

二、产品特性

(一)高性能半导体器件

  • 1200V超场截止IGBT:具备高耐压能力,能够在高电压环境下稳定工作,为系统提供可靠的功率输出。
  • 低反向恢复和快速开关SiC二极管:SiC二极管的低反向恢复特性,大大减少了开关过程中的能量损耗,提高了模块的开关速度和效率。

(二)优化设计

  • 低电感布局:有效降低了模块内部的电感,减少了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰,提高了系统的稳定性。
  • 压接引脚:方便安装和维护,提高了模块与电路板的连接可靠性。
  • 热敏电阻:可实时监测模块的温度,为系统的过热保护提供依据。

三、典型应用

该系列模块主要应用于太阳能逆变器和ESS(储能系统)领域。在太阳能逆变器中,模块的高效率和高可靠性能够提高太阳能转换效率,降低系统成本;在ESS中,模块能够快速响应储能需求,实现能量的高效存储和释放。

四、电气参数

(一)最大额定值

器件类型 参数名称 符号 单位
IGBT(T1, T2, T3) 集电极 - 发射极电压 (V_{CES}) 1200 V
栅极 - 发射极电压 (V_{GE}) ±20 V
连续集电极电流((T_h = 80^{circ}C),(T_J = 175^{circ}C)) (I_C) 68 A
脉冲集电极电流((T_J = 175^{circ}C)) (I_{Cpulse}) 204 A
最大功耗((T_J = 175^{circ}C)) (P_{tot}) 158 W
最小工作结温 (T_{JMIN}) -40 (^{circ}C)
最大工作结温 (T_{JMAX}) 150 (^{circ}C)
保护二极管(D11, D21, D31) 重复峰值反向电压 (V_{RRM}) 1200 V
连续正向电流((T_h = 80^{circ}C),(T_J = 150^{circ}C)) (I_F) 30 A
重复峰值正向电流((T_J = 150^{circ}C)) (I_{FRM}) 120 A
最大功耗((T_J = 150^{circ}C)) (P_{tot}) 44 W
最小工作结温 (T_{JMIN}) -40 (^{circ}C)
最大工作结温 (T_{JMAX}) 150 (^{circ}C)
碳化硅升压二极管(D12, D22, D32) 重复峰值反向电压 (V_{RRM}) 1200 V
连续正向电流((T_h = 80^{circ}C),(T_J = 175^{circ}C)) (I_F) 25 A
重复峰值正向电流((T_J = 175^{circ}C)) (I_{FRM}) 75 A
最大功耗((T_J = 175^{circ}C)) (P_{tot}) 73 W
最小工作结温 (T_{JMIN}) -40 (^{circ}C)
最大工作结温 (T_{JMAX}) 175 (^{circ}C)
旁路二极管(D13, D23, D33) 重复峰值反向电压 (V_{RRM}) 1200 V
连续正向电流((T_h = 80^{circ}C),(T_J = 150^{circ}C)) (I_F) 42 A
重复峰值正向电流((T_J = 150^{circ}C)) (I_{FRM}) 126 A
最大功耗((T_J = 150^{circ}C)) (P_{tot}) 50 W
最小工作结温 (T_{JMIN}) -40 (^{circ}C)
最大工作结温 (T_{JMAX}) 150 (^{circ}C)
热特性 存储温度范围 (T_{stg}) -40 to 150 (^{circ}C)
绝缘特性 隔离测试电压((t = 1s),(60Hz)) (V_{is}) 3000 (V_{RMS})
爬电距离 12.7 mm

(二)推荐工作范围

模块的推荐工作结温范围为 -40°C 至 150°C。超出推荐工作范围的应力可能会影响器件的可靠性。

(三)电气特性

在(T_J = 25^{circ}C)的条件下,碳化硅升压二极管(D12, D22, D32)的热阻 - 芯片到散热器为 1.30°C/W,热阻 - 芯片到外壳为 0.85°C/W;旁路二极管(D13, D23, D33)在(I_F = 50A),(T_J = 25^{circ}C)时,正向电压为 1.095 - 1.3V,在(I_F = 50A),(T_J = 150^{circ}C)时,正向电压为 1.004V。热敏电阻在(T = 25^{circ}C)时,标称电阻为 5kΩ,在(T = 100^{circ}C)时,标称电阻为 493.3Ω。

五、典型特性曲线

文档中给出了IGBT(T1, T2, T3)和碳化硅肖特基二极管(D12, D22, D32)的一系列典型特性曲线,包括输出特性、转移特性、二极管正向特性、开关损耗与电流和栅极电阻的关系、反向恢复时间与电流和栅极电阻的关系等。这些曲线有助于工程师深入了解模块的性能,优化电路设计

六、订购信息

可订购型号 标记 封装 包装
NXH240B120H3Q1PG, NXH240B120H3Q1PG - R NXH240B120H3Q1PG, NXH240B120H3Q1PG - R Q1 BOOST,Case 180AX 压接引脚(无铅) 21 个/泡罩托盘
NXH240B120H3Q1SG NXH240B120H3Q1SG Q1 BOOST,Case 180BQ 焊接引脚(无铅) 21 个/泡罩托盘

七、机械尺寸

文档还提供了模块的机械外壳轮廓和封装尺寸,包括 PIM30(71x37.4)和 PIM41(93x47)两种类型。这些尺寸信息对于模块的安装和布局设计至关重要。

八、总结

onsemi的NXH240B120H3Q1PG系列Si/SiC混合模块凭借其高性能的半导体器件、优化的设计和丰富的电气特性,为太阳能逆变器和ESS等应用提供了可靠的解决方案。工程师在设计过程中,应根据实际需求合理选择模块,并结合典型特性曲线进行电路优化,以充分发挥模块的性能优势。同时,注意模块的最大额定值和推荐工作范围,确保系统的可靠性和稳定性。大家在实际应用中是否遇到过类似模块的选型和设计问题呢?欢迎在评论区分享交流。

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