Onsemi EFC2J013NUZ MOSFET:1 节锂离子电池保护的理想之选
在电子设备的设计中,MOSFET 作为关键的功率开关元件,对于设备的性能和稳定性起着至关重要的作用。今天,我们来详细了解一下 Onsemi 的 EFC2J013NUZ 这款专为 1 节锂离子电池保护设计的功率 MOSFET。
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产品概述
EFC2J013NUZ 是一款 12V、5.8mΩ、17A 的双 N 沟道功率 MOSFET,具有低导通电阻的特点,非常适合用于便携式机器的电源开关等应用,尤其在 1 节锂离子电池应用中表现出色。
产品特性
低电压驱动与 ESD 保护
- 2.5V 驱动:能够在较低的驱动电压下正常工作,降低了对驱动电路的要求,提高了系统的效率。
- 2kV ESD HBM:具备 2kV 的人体静电模型(HBM)静电放电保护能力,有效防止静电对器件的损坏,增强了产品的可靠性。
结构与环保特性
- 共漏极类型:这种结构设计使得器件在电路中能够更好地实现特定的功能,满足不同应用的需求。
- ESD 二极管保护栅极:进一步增强了栅极的静电保护能力,确保器件在复杂的电磁环境中稳定工作。
- 环保特性:该器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR)产品,符合 RoHS 标准,满足环保要求。
应用领域
EFC2J013NUZ 主要应用于 1 节锂离子电池的充电和放电开关。在锂离子电池的充放电过程中,需要精确控制电流和电压,以确保电池的安全和性能。这款 MOSFET 凭借其低导通电阻和良好的开关特性,能够有效地实现电池的充放电控制,提高电池的使用寿命和安全性。
规格参数
绝对最大额定值
| 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 源极到源极电压 | 12 | V | |
| 源极电流 | Is | 17 | A |
| 源极电流(脉冲),$PWleq10mu s$,占空比 $leq1%$ | lsp | ||
| 功率 | PT | ||
| 工作温度 | 150 | °C | |
| 存储温度 | °C |
需要注意的是,超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制,不能保证器件的功能正常,可能会发生损坏并影响可靠性。
热阻额定值
| 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到环境热阻(注 1) | RθJA | 69.4 | °C/W |
这里的热阻是在陶瓷基板($5000mm^2×0.8mm$)上表面贴装的情况下测量得到的。热阻的大小直接影响器件的散热性能,较低的热阻有助于器件在工作过程中更好地散热,从而提高其稳定性和可靠性。
电气特性
| 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)SSS | 源极到源极击穿电压 | IS = 1 mA,VGS = 0 V,VSSS 测试电路 | 12 | V | ||
| ISSS | 零栅极电压源极电流 | VSS = 10 V,VGS = 0 V | 1 | A | ||
| IGSS | 栅极到源极泄漏电流 | VGS = ±8 V,VSS = 0 V | ±1 | A | ||
| VGS(th) | 栅极阈值电压 | VSS = 6 V,IS = 1 mA | 0.4 | 1.3 | V | |
| RSS(on) | 静态源极到源极导通电阻 | IS = 5 A,VGS = 4.5 V | 3.0 | 4.35 | 5.8 | mΩ |
| IS = 5 A,VGS = 3.8 V | 3.2 | 4.6 | 6.2 | mΩ | ||
| IS = 5 A,VGS = 3.1 V | 3.4 | 5.0 | 7.5 | mΩ | ||
| IS = 5 A,VGS = 2.5 V | 3.8 | 5.6 | 9.0 | mΩ | ||
| td(on) | 导通延迟时间 | VSS = 5 V,VGS = 3.8 V,IS = 5 A,Rg = 10 k 开关测试电路 | 11 | s | ||
| tr | 上升时间 | 26 | s | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 130 | s | |||
| tf | 下降时间 | 73 | s | |||
| Qg | 总栅极电荷 | VSS = 5 V,VGS = 4.5 V,IS = 5 A | 37 | nC | ||
| VF(S−S) | 正向源极到源极电压 | IS = 3 A,VGS = 0 V | 0.76 | 1.2 | V |
这些电气特性参数是在特定的测试条件下测量得到的,实际应用中,如果工作条件不同,产品的性能可能会有所差异。
引脚分配与封装
引脚分配
EFC2J013NUZ 采用 WLCSP6 封装,引脚分配如下: 1: Source1 2: Gate1 3: Source1 4: Source2 5: Gate2 6: Source2
封装尺寸
封装尺寸为 2.00 x 1.49 x 0.10,这种小型封装适合用于对空间要求较高的便携式设备。
典型特性
文档中还给出了一系列典型特性曲线,包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压关系、导通电阻与温度关系、正向源极到源极电压与电流关系、开关时间与栅极电阻关系、栅源电压与总电荷关系、安全工作区、总功耗与温度关系以及热响应等。这些曲线能够帮助工程师更好地了解器件在不同工作条件下的性能表现,从而进行合理的电路设计。
使用注意事项
由于 EFC2J013NUZ 是 MOSFET 产品,在使用时应避免在高电荷物体附近使用。如果需要在指定应用之外使用该器件,请联系销售部门。
总的来说,Onsemi 的 EFC2J013NUZ MOSFET 以其低导通电阻、良好的静电保护能力和环保特性,为 1 节锂离子电池保护提供了一个可靠的解决方案。在实际设计中,工程师可以根据具体的应用需求,结合器件的规格参数和典型特性,进行合理的电路设计,以实现最佳的性能和可靠性。你在使用这款 MOSFET 时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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