Onsemi FDT86113LZ N沟道MOSFET：技术特性与应用价值

MOSFET作为电子电路中的关键元件，在各类电源管理和开关电路中发挥着重要作用。今天，我们来深入探讨Onsemi公司的FDT86113LZ N沟道MOSFET，看看它有哪些独特的技术特性和应用优势。

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一、产品概述

FDT86113LZ是一款采用Onsemi先进的POWERTRENCH工艺生产的N沟道逻辑电平MOSFET。该工艺经过特殊优化，在降低导通电阻的同时，还能保持出色的开关性能。此外，它还添加了G - S齐纳二极管，增强了ESD电压保护能力。

二、关键特性

低导通电阻

• 在(V{GS}=10V)、(I{D}=3.3A)的条件下，最大(r{DS(on)})为(100 mΩ)；在(V{GS}=4.5V)、(I{D}=2.7A)时，最大(r{DS(on)})为(145 mΩ)。低导通电阻有助于减少功率损耗，提高电路效率，这对于追求高效节能的设计来说至关重要。

  高性能沟槽技术

  采用高性能沟槽技术，可实现极低的(r_{DS(on)})，同时具备高功率和大电流处理能力。它采用了广泛应用的表面贴装封装，方便在电路板上进行安装和布局。

  高ESD保护能力

  HBM ESD保护等级典型值大于3kV，这使得该MOSFET在复杂的电磁环境中能够更好地抵御静电干扰，提高了产品的可靠性和稳定性。

  全面测试与环保特性

  经过100% UIL测试，确保了产品的质量和一致性。而且，该器件无铅、无卤，符合环保要求，顺应了电子行业绿色发展的趋势。

三、应用领域

FDT86113LZ适用于DC - DC开关电路。在DC - DC转换中，其低导通电阻和良好的开关性能能够有效降低功耗，提高转换效率，为电源系统的稳定运行提供保障。

四、规格参数

最大额定值

参数	符号	额定值	单位
漏源电压	(V_{DS})	100	V
栅源电压	(V_{GS})	(pm20)	V
连续漏极电流	(I_{D})（连续）	3.3	A
脉冲漏极电流	(I_{D})（脉冲）	12	A
单脉冲雪崩能量	(E_{AS})	9	mJ
功率耗散	(P{D})（(T{A}=25^{circ}C)）	2.2（注1a）；1.0（注1b）	W
工作和存储结温范围	(T{J})，(T{STG})	(-55)至(+150)	(^{circ}C)

热特性

• 结到壳的热阻(R_{JC})为(12^{circ}C/W)；
• 结到环境的热阻(R_{JA})在不同安装条件下有所不同，安装在(1 in^{2})的2oz铜焊盘上时为(55^{circ}C/W)，安装在最小的2oz铜焊盘上时为(118^{circ}C/W)。

电气特性

电气特性涵盖了关断、导通、动态和开关等多个方面。例如，关断特性中的漏源击穿电压(B{VSS})在(I{D}=250μA)、(V{GS}=0V)时最小为(100V)；导通特性中的栅源阈值电压(V{GS(th)})在(I_{D}=250μA)时，典型值为(1.7V)，最大值为(2.5V)。这些参数为电路设计提供了精确的参考依据。

五、封装与标识

FDT86113LZ采用SOT - 223封装，这种封装具有良好的散热性能和机械稳定性。产品的标识信息包括组装位置（A）、年份（Y）、工作周（W）和特定设备代码（113LZ），方便生产和管理过程中的追溯。

六、总结与思考

Onsemi的FDT86113LZ N沟道MOSFET凭借其低导通电阻、高ESD保护、高性能沟槽技术等特性，在DC - DC开关电路等应用中具有显著优势。对于电子工程师来说，在设计电源管理和开关电路时，它是一个值得考虑的选择。大家在实际应用中，有没有遇到过类似MOSFET的使用问题呢？在选择MOSFET时，又会重点关注哪些参数和特性呢？欢迎在评论区交流分享。