onsemi FDV304P、FDV304P - F169 P沟道数字FET深度解析

在电子设备的设计中，FET（场效应晶体管）是至关重要的元件，特别是在电池供电的应用场景里。今天，我们就来深入探讨一下安森美（onsemi）的P沟道增强型场效应晶体管FDV304P和FDV304P - F169。

文件下载：FDV304P-D.PDF

产品概述

FDV304P和FDV304P - F169采用了安森美的专有高密度DMOS技术。这种技术的优势在于能够在低栅极驱动条件下有效降低导通电阻。该器件专为笔记本电脑、手机等电池供电应用而设计，即便在低至2.5V的栅极驱动电压下，也能展现出出色的导通电阻特性。

产品特性

电气性能

• 电压与电流参数：连续电流为 -0.46A，峰值电流达 -1.5A，漏源电压为 -25V。
• 导通电阻：在不同栅源电压下，导通电阻表现不同。当 (V{GS} = -4.5V) 时，(R{DS(on)} = 1.1Omega)；当 (V{GS} = -2.7V) 时，(R{DS(on)} = 1.5Omega)。这表明该器件在不同的工作条件下都能保持较低的导通电阻，有助于降低功耗。
• 栅极阈值电压：(V_{GS(th)} < 1.5V)，极低的栅极驱动要求使得它可以直接在3V电路中工作。

其他特性

• ESD防护：具备栅源齐纳二极管，人体模型静电放电额定值 > 6kV，增强了器件的静电防护能力，提高了产品的可靠性。
• 封装形式：采用紧凑的行业标准SOT - 23表面贴装封装，这种封装体积小，适合用于对空间要求较高的设计。
• 环保特性：该器件无铅且无卤，符合环保要求。

绝对最大额定值

在使用该器件时，必须严格遵守绝对最大额定值，否则可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。具体参数如下表所示：	参数	值	单位
(V_{DSS})（漏源电压）	-25	V
(V_{GS})（栅源电压）	未提及	V
(I_{D})（连续漏极电流）	未提及	A
脉冲漏极电流	-1.5	A
(P_{D})（最大功耗）	0.35	W
(T{J}, T{STG})（结温和存储温度范围）	-55 至 150	°C
静电放电额定值（MIL - STD - 883D人体模型）	未提及

电气特性

静态特性

• 漏源击穿电压：(B_{VDS}) 为 -25V，确保了器件在一定电压范围内能够稳定工作。
• 零栅压漏极电流：在 (V{DS} = -20V)，(V{GS} = 0V)，(T_{J} = 55^{circ}C) 时，电流为 -10μA。
• 栅极阈值电压：(V{GS(th)}) 在 (V{DS} = V{GS})，(I{D} = -250μA) 时，典型值为 -0.65V，最大值为 -0.86V。

动态特性

• 输入电容：(C{iss}) 在 (V{DS} = -10V)，(V_{GS} = 0V)，(f = 1.0MHz) 时为 63pF。
• 输出电容：(C_{oss}) 为 34pF。
• 反向传输电容：(C_{rss}) 为 10pF。

开关特性

• 导通延迟时间：(t_{D(on)}) 为 7ns。
• 关断延迟时间：(t_{D(off)}) 为 110ns。

热特性

热阻 (R_{θJA}) 为 357°C/W，这一参数对于评估器件在工作过程中的散热情况非常重要。在设计时，需要根据实际应用场景考虑散热措施，以确保器件在合适的温度范围内工作。

封装信息

器件采用SOT - 23 - 3封装，有特定的引脚定义和尺寸规格。具体的封装尺寸如下表所示：	尺寸	最小值	标称值	最大值
A	0.89	1.00	1.11
A1	0.01	0.06	0.10
b	0.37	0.44	0.50
C	0.08	0.14	0.20
D	2.80	2.90	3.04
E	1.20	1.30	1.40
e	1.78	1.90	2.04
L	0.30	0.43	0.55
L1	0.35	0.54	0.69
HE	2.10	2.40	2.64
T	0°		10°

订购信息

FDV304P和FDV304P - F169均采用SOT - 23 - 3封装，且无铅无卤，每盘3000个，采用卷带包装。

总结

安森美的FDV304P和FDV304P - F169 P沟道数字FET凭借其低导通电阻、低栅极驱动要求、良好的ESD防护等特性，非常适合电池供电的应用。在设计过程中，电子工程师需要根据具体的应用需求，合理考虑器件的电气特性、热特性和封装等因素，以确保产品的性能和可靠性。大家在实际应用中是否遇到过类似器件的使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。