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此P沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。这种高密度工艺专为最大限度地降低低栅极驱动条件下的通态电阻而定制。该器件特别为电池供电应用设计，例如笔记本电脑和手机。该器件即使在栅极驱动电压低至2.5V时仍具有出色的通态电阻。

-25V、-0.46A（连续值）、-1.5A（峰值） RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS = -4.5 V，RDS(ON) = 1.5 Ω @ VGS= -2.7 V。
栅极驱动电平要求极低，从而可在3V电路中直接运行。 VGS(th) < 1.5V。
栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 >6kV人体模型。
紧凑的工业标准SOT-23表面贴装封装。

FDV304P P沟道数字FET