探索 onsemi NTR1P02L 和 NVTR01P02L P 沟道 MOSFET：高效与紧凑的完美结合

在当今对电子产品小型化和高效化需求日益增长的时代，功率管理电路的设计面临着诸多挑战。而 onsemi 推出的 NTR1P02L 和 NVTR01P02L 这两款 P 沟道 MOSFET，为空间敏感型功率管理电路提供了出色的解决方案。接下来，让我们一同深入了解这两款器件的特性、参数以及应用场景。

文件下载：NTR1P02LT1-D.PDF

一、产品概述

NTR1P02L 和 NVTR01P02L 是采用 SOT - 23 封装的微型表面贴装 MOSFET。它们具有极低的导通电阻 (R_{DS(on)})，这一特性能够确保最小的功率损耗，实现能源的高效利用。这使得它们非常适合应用于对空间要求较高的功率管理电路中，比如常见的 DC - DC 转换器，以及计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话等便携式和电池供电产品的功率管理模块。

二、产品特性亮点

（一）低 (R_{DS(on)}) 提升效率与续航

低导通电阻 (R{DS(on)}) 是这两款 MOSFET 的核心优势之一。较低的 (R{DS(on)}) 意味着在导通状态下，器件的功率损耗更小。这不仅提高了整个电路的效率，还能有效延长电池的使用寿命，对于依靠电池供电的便携式设备来说，这无疑是至关重要的特性。你是否在设计电池供电设备时，也会特别关注器件的功耗问题呢？

（二）微型 SOT - 23 封装节省空间

SOT - 23 封装是一种微型表面贴装封装，它占用的电路板空间极小。在如今电子产品不断追求小型化的趋势下，这种封装形式能够帮助工程师在有限的电路板空间内实现更多的功能集成。想象一下，在一块小小的电路板上，合理利用这种节省空间的封装器件，是不是能让设计更加紧凑和高效呢？

（三）NVTR 前缀适用特殊需求

带有 NVTR 前缀的产品适用于汽车和其他对生产场地和控制变更有特殊要求的应用。并且，它们通过了 AEC - Q101 认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力，这充分证明了其在质量和可靠性方面的高标准。在汽车电子等对安全性和可靠性要求极高的领域，你是否会优先选择这种经过严格认证的器件呢？

（四）环保封装可选

该系列产品提供无铅和无卤化物的封装选项，符合环保要求。在环保意识日益增强的今天，选择这样的器件有助于企业满足相关环保法规的要求，同时也体现了对环境的责任。你在设计产品时，是否会将环保因素纳入考虑范围呢？

三、最大额定值与应力考量

在使用这两款 MOSFET 时，必须严格遵循其最大额定值。以下是一些关键的最大额定值参数：	额定参数	符号	值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	- 20	V
栅源连续电压	(V_{GS})	±12	V
连续漏极电流（(T{A}=25^{circ}C)）、脉冲漏极电流（(t{p} leq 10 mu s)）	(I{D})、(I{DM})	- 1.3、 - 4.0	A
总功率耗散（(T_{A}=25^{circ}C)）	(P_{D})	400	mW
工作和存储温度范围	(T{J})、(T{stg})	- 55 至 150	°C
热阻（结到环境）	(R_{JA})	300	°C/W
焊接时最大引脚温度（距外壳 1/8"，10 s）	(T_{L})	260	°C

需要特别注意的是，当施加的应力超过最大额定值表中所列的限制时，可能会对器件造成损坏。一旦超过这些限制，器件的功能将无法保证，可能会出现损坏，并且可靠性也会受到影响。那么，在实际设计中，你是如何确保器件工作在安全的应力范围内的呢？

四、电气特性详解

（一）关断特性

• 漏源击穿电压：在 (V{GS}=0V)，(I{D}=-10 mu A) 的条件下，漏源击穿电压 (V_{(BR)DSS}) 最小值为 - 20V。这一参数决定了器件在关断状态下能够承受的最大电压，对于确保电路的安全性至关重要。
• 零栅压漏极电流：在 (V{DS}=-16V)，(V{GS}=0V) 以及 (T{J}=125^{circ}C) 的条件下，零栅压漏极电流 (I{DSS}) 最大值分别为 - 1.0(mu A) 和 - 10(mu A)。较小的漏极电流能够减少器件在关断状态下的功耗。
• 栅体泄漏电流：在 (V{GS}= pm 12V)，(V{DS}=0V) 的条件下，栅体泄漏电流 (I_{GSS}) 最大值为 ±100nA。这一参数反映了栅极与体之间的泄漏情况，较小的泄漏电流有助于提高器件的性能稳定性。

（二）导通特性

• 栅阈值电压：在 (V{DS}=V{GS})，(I{D}=-250 mu A) 的条件下，栅阈值电压 (V{GS(th)}) 范围为 - 0.7V 至 - 1.25V。这一参数决定了器件开始导通的栅极电压，对于正确控制器件的导通状态至关重要。
• 静态漏源导通电阻：在不同的 (V{GS}) 和 (I{D}) 条件下，(R{DS(on)}) 有不同的值。例如，在 (V{GS}=-4.5V)，(I{D}=-0.75A) 时，典型值为 0.140(Omega)，最大值为 0.22(Omega)；在 (V{GS}=-2.5V)，(I_{D}=-0.5A) 时，典型值为 0.200(Omega)，最大值为 0.35(Omega)。较低的导通电阻能够减少导通状态下的功率损耗。

（三）动态特性

• 输入电容：在 (V{DS}=-5.0V) 时，输入电容 (C{iss}) 典型值为 225pF。输入电容会影响器件的开关速度和驱动电路的设计。
• 输出电容：在 (V{DS}=-5.0V) 时，输出电容 (C{oss}) 典型值为 130pF。输出电容会影响器件在开关过程中的能量损耗。
• 传输电容：在 (V{DS}=-5.0V) 时，传输电容 (C{rss}) 典型值为 55pF。传输电容与器件的反向恢复特性有关。

（四）开关特性

• 导通延迟时间：在 (V{GS}=-4.5V)，(V{DD}=-5.0V)，(I{D}=-1.0A)，(R{L}=5.0Omega)，(R{G}=6.0Omega) 的条件下，导通延迟时间 (t{d(on)}) 典型值为 7.0ns。
• 上升时间：典型值为 15ns。
• 关断延迟时间：典型值为 18ns。
• 下降时间：典型值为 9ns。
• 总栅极电荷：在 (V{DS}=-16V)，(I{D}=-1.5A)，(V{GS}=-4.5V) 的条件下，总栅极电荷 (Q{T}) 典型值为 3.1nC。这些开关特性参数对于评估器件在高速开关应用中的性能非常重要。

（五）源漏二极管特性

• 连续电流：源漏二极管的连续电流 (I_{S}) 最大值为 - 0.6A。
• 脉冲电流：脉冲电流 (I_{SM}) 最大值为 - 0.75A。
• 正向电压：在 (V{GS}=0V)，(I{S}=-0.6A) 的条件下，正向电压 (V_{SD}) 最大值为 - 1.0V。
• 反向恢复时间：在 (I{S}=-1.0A)，(V{GS}=0V)，(dI{S}/dt = 100A/mu s) 的条件下，反向恢复时间 (t{rr}) 典型值为 16ns。这些参数对于理解源漏二极管的性能和应用非常关键。

五、订购信息与封装尺寸

（一）订购信息

器件型号	封装	包装形式
NTR1P02LT1G	SOT - 23（无铅）	3000 盘带包装
NTR1P02LT3G	SOT - 23（无铅）	10000 盘带包装
NVTR01P02LT1G	SOT - 23（无铅）	3000 盘带包装

（二）封装尺寸

SOT - 23（TO - 236）封装的尺寸如下：	尺寸	最小值	标称值	最大值
A	0.89	1.00	1.11
A1	0.01	0.06	0.10
b	0.37	0.44	0.50
C	0.08	0.14	0.20
D	2.80	2.90	3.04
E	1.20	1.30	1.40
e	1.78	1.90	2.04
L	0.30	0.43	0.55
L1	0.35	0.54	0.69
HE	2.10	2.40	2.64
T	0°		10°

在进行电路板设计时，准确了解封装尺寸对于合理布局和布线至关重要。你在设计过程中，是否会仔细核对器件的封装尺寸呢？

六、总结

onsemi 的 NTR1P02L 和 NVTR01P02L P 沟道 MOSFET 凭借其低导通电阻、微型封装、环保特性以及出色的电气性能，为功率管理电路的设计提供了优秀的解决方案。无论是在便携式设备还是汽车电子等领域，它们都能发挥重要作用。作为电子工程师，在选择器件时，我们需要综合考虑器件的各项特性和参数，以确保设计出高效、可靠的电路。那么，在你的设计项目中，是否会考虑使用这两款 MOSFET 呢？