ON Semiconductor FDD3670：100V N-Channel PowerTrench MOSFET深度解析

在电子工程领域，MOSFET作为一种关键的半导体器件，广泛应用于各类电路设计中。今天我们就来详细探讨一下ON Semiconductor（现更名为onsemi）的FDD3670——一款专为提升DC/DC转换器整体效率而设计的100V N-Channel PowerTrench MOSFET。

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产品概述

FDD3670是一款N沟道MOSFET，它的设计初衷是改善采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率。与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比，它具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。这使得它在驱动时更加容易和安全，即使在非常高的频率下也能表现出色，从而提高DC/DC电源供应设计的整体效率。

产品特性

电气性能

• 高电流与耐压能力：能够承受34A的连续漏极电流和100A的脉冲电流，漏源电压（VDSS）可达100V，这使得它适用于需要高功率和大电流处理能力的应用场景。
• 低导通电阻：在VGS = 10V时，RDS(ON)为32mΩ；在VGS = 6V时，RDS(ON)为35mΩ。低导通电阻意味着在导通状态下的功率损耗更小，有助于提高电路效率。
• 低栅极电荷：典型栅极电荷仅为57nC，这使得MOSFET的开关速度更快，同时也降低了驱动电路的功耗。

技术优势

• 高性能沟槽技术：采用了先进的沟槽技术，实现了极低的RDS(ON)，进一步提高了器件的性能和效率。
• 快速开关速度：能够快速地在导通和截止状态之间切换，减少开关损耗，提高电路的工作效率。

绝对最大额定值

参数	额定值	单位
漏源电压（VDSS）	100	V
栅源电压（VGSS）	±20	V
连续漏极电流（ID）	34	A
脉冲漏极电流	100	A
最大功耗（PD）@TC = 25°C	83	W
最大功耗（PD）@TA = 25°C（Note 1a）	3.8	W
最大功耗（PD）@TA = 25°C（Note 1b）	1.6	W
工作和存储结温范围（TJ, TSTG）	-55 至 +175	°C

热特性

• 结到壳热阻（RθJC）：为1.8°C/W，这表示热量从芯片结到外壳的传导效率较高，有助于散热。
• 结到环境热阻（RθJA）：为96°C/W，该值受用户电路板设计的影响，在实际应用中需要合理设计散热方案。

封装标记和订购信息

器件标记	器件	卷盘尺寸	胶带宽度	数量
FDD3670	FDD3670	13’’	16mm	2500 单位

典型特性

文档中还给出了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、导通电阻随温度的变化、导通电阻随栅源电压的变化、传输特性、体二极管正向电压随源极电流和温度的变化、栅极电荷特性、电容特性、正向偏置安全工作区、单脉冲最大功耗以及结到壳瞬态热响应曲线等。这些曲线为工程师在设计电路时提供了重要的参考依据。

注意事项

在使用FDD3670时，需要注意以下几点：

• 该器件不适合用于生命支持系统、FDA Class 3医疗设备或类似分类的医疗设备，以及用于人体植入的设备。
• 所有的“典型”参数在不同的应用中可能会有所变化，实际性能也可能随时间而变化。因此，客户的技术专家需要针对每个应用对所有工作参数进行验证。
• ON Semiconductor保留对产品进行更改的权利，且不承担因产品应用或使用而产生的任何责任。

总的来说，FDD3670是一款性能出色的N沟道MOSFET，在DC/DC转换器设计中具有很大的优势。但在实际应用中，工程师需要根据具体的设计要求和条件，合理选择和使用该器件，以确保电路的性能和可靠性。大家在实际设计中是否也遇到过类似MOSFET选型的问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。