ON Semiconductor FDD86567 - F085 N - Channel PowerTrench® MOSFET深度解析

在电子工程师的日常设计工作中，MOSFET是一种常用的功率器件。今天我们就来深入了解一下ON Semiconductor（现更名为onsemi）推出的FDD86567 - F085 N - Channel PowerTrench® MOSFET。

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一、公司声明与注意事项

首先，我们要关注一下ON Semiconductor的相关声明。该公司拥有众多专利、商标等知识产权，产品信息可能随时变更且不另行通知。同时，公司对产品信息的准确性、适用性等不做保证，不承担产品应用中的相关责任。特别要注意的是，其产品不设计、不用于生命支持系统、FDA Class 3医疗设备等特定应用，如果买家将产品用于非授权应用，需承担相应责任。

二、产品概述

FDD86567 - F085是一款N - Channel PowerTrench® MOSFET，具有60V耐压、100A电流和3.2mΩ导通电阻的特性。它有以下显著特点：

1. 低导通电阻：在(V{GS}=10V)，(I{D}=80A)时，典型(R_{DS(on)} = 2.6mΩ)，这意味着在导通状态下，器件的功率损耗较低，能有效提高系统效率。
2. 低栅极电荷：在(V{GS}=10V)，(I{D}=80A)时，典型(Q_{g(tot)} = 63nC)，有助于降低开关损耗，提高开关速度。
3. UIS能力：具备单脉冲雪崩能量能力，能承受一定的能量冲击，增强了器件的可靠性。
4. RoHS合规：符合环保要求，满足当今电子产品的绿色设计需求。
5. AEC Q101认证：经过汽车级认证，适用于汽车相关应用。

三、应用领域

该MOSFET适用于多个领域，包括：

1. 汽车发动机控制：在汽车发动机控制系统中，需要精确控制功率输出，FDD86567 - F085的低导通电阻和高电流承载能力能够满足发动机控制对功率器件的要求。
2. 动力总成管理：在动力总成系统中，对功率器件的可靠性和性能要求较高，此MOSFET可以稳定地控制动力传输。
3. 电磁阀和电机驱动：能够为电磁阀和电机提供稳定的驱动电流，保证其正常工作。
4. 集成启动/发电机：在启动和发电过程中，需要快速、高效地进行功率转换，该MOSFET可以满足这一需求。
5. 12V系统主开关：作为12V系统的主开关，能够可靠地控制电路的通断。

四、产品参数

（一）最大额定值

符号	参数	额定值	单位
(V_{DSS})	漏源电压	60	V
(V_{GS})	栅源电压	±20	V
(I_{D})	连续漏极电流（(V{GS}=10V)，(T{C}=25°C)）	100	A
(E_{AS})	单脉冲雪崩能量	115	mJ
(P_{D})	功率耗散	227	W
高于(25°C)的降额		1.52	(W/°C)
(T{J}, T{STG})	工作和存储温度	-55 至 +175	(°C)
(R_{θJC})	结到壳热阻	0.66	(°C/W)
(R_{θJA})	最大结到环境热阻	52	(°C/W)

（二）电气特性

1. 关断特性：包括漏源击穿电压、漏源泄漏电流和栅源泄漏电流等参数。例如，在(I{D}=250μA)，(V{GS}=0V)时，漏源击穿电压为60V。
2. 导通特性：如栅源阈值电压和漏源导通电阻。在(I{D}=80A)，(V{GS}=10V)，(T_{J}=25°C)时，漏源导通电阻为2.6mΩ。
3. 动态特性：涵盖输入电容、输出电容、反向传输电容、栅极电阻和总栅极电荷等。例如，输入电容(C{iss})在(V{DS}=30V)，(V_{GS}=0V)，(f = 1MHz)时为4950pF。
4. 开关特性：包括开通时间、开通延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间和关断时间等。如开通时间为105ns。
5. 漏源二极管特性：有源漏二极管电压、反向恢复时间和反向恢复电荷等参数。例如，在(I{SD}=80A)，(V{GS}=0V)时，源漏二极管电压为1.25V。

五、典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线，这些曲线对于工程师理解器件在不同条件下的性能非常有帮助。

1. 功率耗散与壳温关系：从图1可以看出，随着壳温的升高，功率耗散会逐渐降低。
2. 最大连续漏极电流与壳温关系：图2显示，在不同壳温下，最大连续漏极电流会发生变化，工程师在设计时需要考虑温度对电流的影响。
3. 归一化最大瞬态热阻抗与脉冲持续时间关系：图3反映了在不同脉冲持续时间和占空比下，热阻抗的变化情况。
4. 峰值电流能力与脉冲持续时间关系：图4展示了器件在不同脉冲持续时间下的峰值电流能力。

六、封装与订购信息

该器件采用TO - 252 D - PAK封装，具体的封装标记和订购信息如下：	器件标记	器件	封装	卷盘尺寸	胶带宽度	数量
FDD86567	FDD86567 - F085	D - PAK(TO - 252)	13”	16mm	2500units

在实际设计中，电子工程师需要根据具体的应用需求，综合考虑上述各项参数和特性，合理选择和使用FDD86567 - F085 N - Channel PowerTrench® MOSFET。大家在使用过程中遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享交流。