探索 onsemi FDMA507PZ：适用于超便携应用的 P 沟道 MOSFET

在现代超便携设备的设计中，电池充电和负载切换电路的性能至关重要。onsemi 推出的 FDMA507PZ 单 P 沟道 MOSFET，凭借其出色的特性和性能，成为了这些应用的理想之选。本文将深入解读这款 MOSFET 的关键特性、技术规格及典型应用。

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器件概述

FDMA507PZ 专为手机及其他超便携应用中的电池充电或负载切换而设计。它采用了 onsemi 的 POWERTRENCH 技术，具备低导通电阻的 MOSFET 特性。同时，其 MicroFET 2x2 封装形式，在小尺寸下展现出卓越的热性能，非常适合线性模式应用。

关键特性

低导通电阻

FDMA507PZ 在不同的栅源电压（VGS）和漏极电流（ID）条件下，展现出低导通电阻（rDS(on)）的特性：

• 在 VGS = -5 V、ID = -7.8 A 时，最大 rDS(on) = 24 mΩ；
• 在 VGS = -4.5 V、ID = -7 A 时，最大 rDS(on) = 25 mΩ；
• 在 VGS = -2.5 V、ID = -5.5 A 时，最大 rDS(on) = 35 mΩ；
• 在 VGS = -1.8 V、ID = -4 A 时，最大 rDS(on) = 45 mΩ。

低导通电阻有助于降低功耗，提高电路效率，这在电池供电的超便携设备中尤为重要。大家可以思考一下，在实际应用中，低导通电阻能为设备带来哪些具体的优势呢？

低外形封装

该器件采用 MicroFET 2x2 mm 封装，最大高度仅为 0.8 mm。这种低外形封装不仅节省了电路板空间，还能满足超便携设备对轻薄设计的要求。

ESD 保护

具备典型大于 3.2 kV 的 HBM ESD 保护水平，有效增强了器件的可靠性，减少了因静电放电而损坏的风险。

环保特性

FDMA507PZ 无铅、无卤化物，符合 RoHS 标准，体现了环保理念，也满足了现代电子产品对绿色环保的要求。

技术规格

最大额定值

符号	参数	额定值	单位
VDS	漏源电压	-20	V
VGS	栅源电压	± 8	V
ID	漏极电流（连续，TA = 25°C）（脉冲）	-7.8 / -24	A
PD	功率耗散（TA = 25°C）	2.4 / 0.9	W
TJ, TSTG	工作和存储结温范围	-55 至 +150	°C

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压（BVDSS）：ID = -250 μA、VGS = 0 V 时，为 -20 V，且具有 -12 mV/°C 的温度系数。
• 零栅压漏极电流（IDSS）：VDS = -16 V、VGS = 0 V 时，为 -1 μA；VGS = ±8 V、VDS = 0 V 时，为 ±10 μA。
• 栅源泄漏电流（IGSS）：在规定条件下有相应的数值。

导通特性

• 栅源阈值电压（VGS(th)）：VGS = VDS、ID = -250 μA 时，范围为 -0.5 至 -1.5 V，且有对应的温度系数。
• 导通电阻（rDS(on)）：在不同的 VGS 和 ID 条件下有具体的数值。

动态特性

• 输入电容（Ciss）：VDS = -10 V、VGS = 0 V、f = 1 MHz 时，范围为 1515 至 2015 pF。
• 输出电容（Coss）：有相应的范围。
• 反向传输电容（Crss）：也有对应的范围。

开关特性

• 上升时间（tr）、下降时间（tf）等参数在规定条件下有具体数值。
• 总栅极电荷、栅源栅极电荷、栅漏“米勒”电荷等也有相应的规格。

漏源特性

• 源漏二极管正向电压：范围为 -0.6 至 -1.2 V。
• 反向恢复电荷：为 44 μC。

热特性

热阻（RθJA）的确定与器件的安装方式有关：

• 当安装在 1 in²、2 oz 铜焊盘的 FR - 4 材料电路板上时，RθJA 为 52°C/W（条件 a）；
• 当安装在最小 2 oz 铜焊盘时，RθJA 为 145°C/W（条件 b）。

典型特性曲线

文档中提供了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、归一化导通电阻与结温的关系、导通电阻与栅源电压的关系、传输特性、源漏二极管正向电压与源电流的关系、栅极电荷特性、电容与漏源电压的关系、栅极泄漏电流与栅源电压的关系、正向偏置安全工作区、单脉冲最大功率耗散以及结到环境的瞬态热响应曲线等。这些曲线有助于工程师更深入地了解器件在不同条件下的性能表现，从而更好地进行电路设计。大家在实际设计中，可以根据这些曲线来优化电路参数，提高设计的准确性和可靠性。

封装与订购信息

FDMA507PZ 采用 WDFN6 2x2, 0.65P（MicroFET 2x2）封装，器件标记为 507。其采用 7” 卷轴，胶带宽度为 12 mm，每卷 3000 个。关于胶带和卷轴的详细规格，可参考相关的包装规格手册。

总结

onsemi 的 FDMA507PZ 单 P 沟道 MOSFET 以其低导通电阻、低外形封装、ESD 保护和环保特性等优势，为超便携设备的电池充电和负载切换应用提供了可靠的解决方案。工程师在设计相关电路时，可以充分利用其特性和技术规格，优化电路性能，满足超便携设备对高效、可靠和轻薄的要求。大家在使用这款器件时，是否遇到过一些特殊的问题或者有独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享。