onsemi FDMC7672S MOSFET：高效电源管理的理想之选

在电子设备的电源管理和负载切换应用中，MOSFET扮演着至关重要的角色。今天，我们就来深入了解一下安森美（onsemi）的FDMC7672S N沟道MOSFET，看看它有哪些独特的优势和应用场景。

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产品概述

FDMC7672S采用了安森美的先进POWERTRENCH工艺，这种工艺经过特别优化，能够有效降低导通电阻。该器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组等常见的电源管理和负载切换应用。

产品特性

低导通电阻

在 $V{GS}=10 V$、$I{D}=14.8 A$ 的条件下，最大导通电阻 $R_{DS(on)}$ 仅为 6.0 mΩ，这意味着在导通状态下，器件的功率损耗更低，能够提高电源效率。

高性能技术

采用高性能技术实现极低的 $R_{DS(on)}$，有助于降低系统功耗，提高整体性能。

环保合规

该器件符合无铅、无卤和RoHS标准，满足环保要求。

应用领域

DC - DC降压转换器

在DC - DC降压转换器中，FDMC7672S能够高效地将高电压转换为低电压，为电子设备提供稳定的电源。

笔记本电池电源管理

在笔记本电脑中，它可以有效地管理电池的充电和放电过程，延长电池的使用寿命。

笔记本负载开关

作为负载开关，FDMC7672S可以快速、可靠地控制负载的通断，提高系统的稳定性。

主要参数

最大额定值

符号	参数	值	单位
$V_{DS}$	漏源电压	30	V
$V_{GS}$	栅源电压	± 20	V
$I_{D}$	漏极电流（连续，$T{C}=25^{circ} C$；连续，$T{A}=25^{circ} C$；脉冲）	18、14.8、45	A
$E_{AS}$	单脉冲雪崩能量	60	mJ
$P_{D}$	功率耗散（$T{C}=25^{circ} C$；$T{A}=25^{circ} C$）	36、2.3	W
$T{J}$、$T{STG}$	工作和存储结温范围	-55 至 +150	°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

热特性

符号	参数	值	单位
$R_{theta JC}$	结到壳热阻	3.5	°C/W
$R_{theta JA}$	结到环境热阻	53	°C/W

电气特性

关断特性

符号	参数	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
$BVDSS$	漏源击穿电压	$I{D}=1 mA$，$V{GS}=0 V$	30	-	-	V
$Delta BVDSS / Delta T_{J}$	击穿电压温度系数	$I_{D}=10 mA$，参考 $25^{circ} C$	-	12	-	mV/°C
$I_{DSS}$	零栅压漏极电流	$V{DS}=24V$，$V{GS}=0V$	-	-	1	mA
$I_{GS}$	栅源泄漏电流	$V{GS}=20 V$，$V{DS}=0 V$	-	-	100	nA

导通特性

符号	参数	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
$V_{GS(th)}$	栅源阈值电压	$V{GS}=V{DS}$，$I_{D}=1 mA$	1.2	1.6	3.0	V
$Delta V{GS(th)} / Delta T{J}$	栅源阈值电压温度系数	$I_{D}=10 mA$，参考 $25^{circ} C$	-	-6	-	mV/°C
$R_{DS(on)}$	静态漏源导通电阻	$V{GS}=10 V$，$I{D}=14.8 A$	-	5.0	6.0	mΩ
		$V{GS}=4.5 V$，$I{D}=12.4 A$	6.1	7.1	-	mΩ
		$V{GS}=10 V$，$I{D}=14.8 A$，$T_{J}=125^{circ} C$	5.9	-	9.0	mΩ
$g_{fs}$	正向跨导	$V{DS}=5 V$，$I{D}=14.8 A$	-	78	-	S

动态特性

符号	参数	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
$C_{iss}$	输入电容	$V{DS}=15 V$，$V{GS}=0 V$，$f = 1 MHz$	1895	2520	pF
$C_{oss}$	输出电容	-	770	1025	pF
$C_{rss}$	反向传输电容	-	85	130	pF
$R_{g}$	栅极电阻	1 MHz	1.2	3.2	Ω

开关特性

符号	参数	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
$t_{d(on)}$	导通延迟时间	$V{DD}=15 V$，$I{D}=14.8 A$，$V_{GS}=10 V$	11	21	ns
$t_{r}$	上升时间	$R_{GEN}=6 Ω$	4	10	ns
$t_{d(off)}$	关断延迟时间	-	26	42	ns
$t_{f}$	下降时间	-	3	10	ns
$Q_{g}$	总栅极电荷	$V{GS}=0 V$ 至 $10 V$，$V{DD}=15 V$，$I_{D}=14.8A$	30	42	nC
		$V{GS}=0 V$ 至 $4.5 V$，$V{DD}=15 V$，$I_{D}=14.8A$	14	20	nC
$Q_{gs}$	栅源栅极电荷	$V{DD}=15 V$，$I{D}=14.8 A$	5.3	-	nC
$Q_{gd}$	栅漏“米勒”电荷	$V{DD}=15 V$，$I{D}=14.8 A$	4.0	-	nC

漏源二极管特性

符号	参数	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
$V_{SD}$	源漏二极管正向电压	-	-	0.8	1.3	V
		$V{GS}=0 V$，$I{S}=1.9 A$	0.5	1.2	-	V
$t_{rr}$	反向恢复时间	$I_{F}=14.8 A$，$dI / dt = 300 A / mu s$	-	29	45	ns
$Q_{rr}$	反向恢复电荷	-	-	28	44	nC

典型特性

文档中还给出了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、归一化导通电阻与结温的关系等。这些曲线可以帮助工程师更好地了解器件在不同条件下的性能表现，从而进行更合理的设计。

SyncFET肖特基体二极管特性

安森美的SyncFET工艺在POWERTRENCH MOSFET中嵌入了一个肖特基二极管，该二极管与外部离散肖特基二极管并联时具有相似的特性。不过，肖特基势垒二极管在高温和高反向电压下会出现明显的泄漏，这会增加器件的功率损耗。

封装信息

FDMC7672S采用WDFN8（3.3x3.3，0.65P）封装，每盘3000个，采用卷带包装。关于卷带规格的详细信息，可以参考安森美的Tape and Reel Packaging Specification Brochure，BRD8011/D。

总结

FDMC7672S MOSFET凭借其低导通电阻、高性能技术和环保合规等优势，在电源管理和负载切换应用中具有很大的竞争力。工程师在设计相关电路时，可以根据其各项参数和特性，合理选择和使用该器件，以实现高效、稳定的电源管理。你在实际应用中是否使用过类似的MOSFET呢？遇到过哪些问题？欢迎在评论区分享你的经验和见解。