Onsemi FDMC86160 MOSFET：高效小空间解决方案

作为电子工程师，在设计中，我们经常会遇到需要在小空间内实现超低导通电阻的需求。Onsemi的FDMC86160 N 沟道MOSFET就能很好地解决这类问题，下面就来详细了解它。

文件下载：FDMC86160-D.pdf

一、器件概述

FDMC86160采用了Onsemi先进的PowerTrench工艺，并结合了屏蔽栅技术。这种工艺在导通电阻方面进行了优化，使得该器件非常适合在小空间内对超低(R_{DS (on) })有要求的应用，如高性能VRM（电压调节模块）、POL（负载点电源）和或门功能等。

二、产品特性

（一）屏蔽栅MOSFET技术

这一技术带来了出色的性能。在(V{GS}=10 V)，(I{D}=9 A)的条件下，最大(r{DS(on)})为(14 mOmega)；在(V{GS}=6 V)，(I{D}=7 A)时，最大(r{DS(on)})为(23 mOmega)，能有效降低导通损耗。

（二）高性能低导通电阻

它采用的高性能技术实现了极低的(r_{DS}(on))，有助于提高电路效率。同时，该器件符合无铅和RoHS标准，符合环保要求。

三、电气参数

（一）绝对最大额定值

在(T{A}=25^{circ} C)的条件下，其漏源电压(V{DSS})最大为(100 V)，连续漏极电流(I{D})在(T{A}=25^{circ} C)时为(43 A) ，还有其他如栅源电压、单脉冲雪崩能量等参数也都有明确的限制。需要注意的是，超过这些额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

（二）热特性

热阻参数对于器件的散热设计很关键。(T{A}=25^{circ} C)时，结到环境的热阻(R{θJC})为(2.3 °C/W)，结到外壳的热阻(R_{θJA})为(53 °C/W)。不同的安装条件下，热阻可能会有所不同，例如安装在不同规格的铜垫上，热阻会发生变化，这些在实际设计中都要考虑进去。

（三）电气特性

包括击穿电压、栅极泄漏电流、导通电阻、跨导等。例如，在(I{D}=250 mu A)，(V{GS}=0 V)的条件下，可以得到击穿电压相关参数；在不同的测试条件下，导通电阻等参数也会有相应的取值。大家在实际应用时，一定要关注测试条件，不同条件下产品性能可能会有差异。

（四）动态和开关特性

动态特性如输入电容(Ciss)，开关特性包括开通延迟时间(td(on))、总栅极电荷(Qg(TOT))、栅漏电荷(Qgd)等，这些参数对于电路的开关速度和性能有着直接影响。

（五）漏源二极管特性

源到漏二极管的正向电压等参数也在文档中有给出，这些参数对于分析二极管在电路中的工作情况很重要。

四、典型特性曲线

文档中给出了一系列典型特性曲线，这对于我们理解器件的性能非常有帮助。

• 导通区域特性曲线：展示了不同栅源电压下，漏极电流随漏源电压的变化情况。
• 归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系曲线：可以让我们直观地看到导通电阻在不同条件下的变化趋势。
• 归一化导通电阻与结温的关系曲线：有助于我们了解温度对导通电阻的影响，从而在散热设计时做出合理的决策。

还有其他如转移特性曲线、栅极电荷特性曲线、电容与漏源电压的关系曲线等，这些曲线都是我们在实际设计中进行参数选择和性能评估的重要依据。大家在使用时，要仔细分析这些曲线，结合具体的应用场景做出合理的设计。

五、封装信息

FDMC86160采用WDFN8 3.3X3.3, 0.65P封装（CASE 483AW），并且文档中给出了详细的封装尺寸图和引脚分配图。引脚分配图明确标注了每个引脚的功能，方便我们在PCB设计时进行布局。同时，对于封装尺寸的标注和公差要求等都有说明，在进行PCB焊盘设计时要严格按照这些要求来，确保器件能够正确安装和焊接。此外，对于编带和卷带的规格信息，可以参考相关的手册BRD8011/D。

Onsemi的FDMC86160 MOSFET是一款在小空间应用中具有出色性能的器件，它的各项特性和参数为我们的设计提供了很大的便利。但在实际应用中，我们还是要根据具体的需求和设计要求，仔细分析和选择合适的工作条件和电路参数，以确保整个系统的性能和可靠性。大家在使用过程中遇到过哪些关于MOSFET的设计问题呢？欢迎一起讨论。