onsemi FDMS2D5N08C MOSFET：性能卓越的功率器件

在电子工程师的日常设计工作中，选择合适的功率器件至关重要。今天，我们就来深入了解一款由 onsemi 推出的高性能 MOSFET——FDMS2D5N08C。

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一、产品概述

FDMS2D5N08C 是一款采用 onsemi 先进 POWERTRENCH 工艺生产的 N 沟道 MV MOSFET，该工艺融入了屏蔽栅技术。其主要目标是在降低导通电阻的同时，保持出色的开关性能，并拥有一流的软体二极管特性。

二、产品特性

1. 低导通电阻

该 MOSFET 的导通电阻极低，在 (V{GS}=10V)，(I{D}=68A) 时，最大 (R{DS(on)}=2.7mOmega)；在 (V{GS}=6V)，(I{D}=34A) 时，最大 (R{DS(on)}=6.7mOmega)。低导通电阻能够有效降低功率损耗，提高系统效率。

2. 低反向恢复电荷

它的 (Q_{rr}) 比其他 MOSFET 供应商的产品低 50%，这意味着在开关过程中能够减少能量损耗，降低开关噪声和 EMI，有助于提高系统的稳定性和可靠性。

3. 坚固的封装设计

采用 MSL1 坚固封装设计，能够适应不同的工作环境，提高产品的耐用性。

4. 全面测试

经过 100% UIL 测试，确保产品的质量和可靠性。

5. 环保合规

该器件为无铅产品，符合 RoHS 标准，满足环保要求。

三、典型应用

1. 直流 - 直流转换

可作为初级 DC - DC MOSFET，用于高效的直流电压转换，为电子设备提供稳定的电源。

2. 整流应用

在 DC - DC 和 AC - DC 电路中作为同步整流器，提高整流效率，减少能量损耗。

3. 电机驱动

为电机提供精确的控制和驱动，确保电机的稳定运行。

4. 太阳能应用

在太阳能系统中，用于功率转换和控制，提高太阳能的利用效率。

四、绝对最大额定值

Symbol	Parameter	Value	Unit
(V_{DS})	Drain to Source Voltage	80	V
(V_{GS})	Gate to Source Voltage	± 20	V
(I_{D})	Drain Current		A
− Continuous (T_{C}=25^{circ}C) (Note 5)	166
− Continuous (T_{C}=100^{circ}C) (Note 5)	105
− Continuous (T_{A}=25^{circ}C) (Note 1a)	24
− Pulsed (Note 4)	823
(E_{AS})	Single Pulse Avalanche Energy (Note 3)	600	mJ
(P_{D})	Power Dissipation (T_{A}=25^{circ}C)	138	W
Power Dissipation (T_{A}=25^{circ}C) (Note 1a)	2.7
(T{J}, T{stg})	Operating and Storage Junction Temperature Range	−55 to +150	(^{circ}C)

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

五、电气特性

1. 关断特性

• 漏源击穿电压 (B{V(DSS)})：在 (I{D}=250mu A)，(V_{GS}=0V) 时为 80V。
• 零栅压漏电流：在 (V{DS}=64V)，(V{GS}=0V) 时，最大值为 1A。

2. 导通特性

• 栅源阈值电压 (V{GS(th)})：在 (V{GS}=V{DS})，(I{D}=380mu A) 时，范围为 2.0 - 4.0V。
• 静态漏源导通电阻 (R_{DS(on)})：最大值在不同条件下有所不同，如在某些条件下为 6.7mΩ。

3. 动态特性

包括开关特性和电容特性等，如开关时间（(t{d(on)})、(t{r})、(t{d(off)})、(t{f})）、栅极电荷（(Q{g})、(Q{gs})、(Q_{gd}) 等）。这些特性对于评估 MOSFET 的开关性能至关重要。

4. 漏源二极管特性

• 源漏二极管正向电压 (V{SD})：在不同电流条件下有不同的值，如 (V{GS}=0V)，(I_{S}=2.2A) 时为 0.7 - 1.2V。
• 反向恢复时间 (t{r}) 和反向恢复电荷 (Q{m}) 也有相应的参数。

六、典型特性曲线

文档中提供了多个典型特性曲线，包括导通电阻与漏极电流、栅极电压、结温的关系，转移特性曲线，电容特性曲线等。这些曲线能够帮助工程师更好地理解 MOSFET 在不同工作条件下的性能表现，从而进行更精确的设计。

七、机械封装

采用 PQFN8 5X6，1.27P 封装，文档中给出了详细的封装尺寸和引脚定义。在设计 PCB 时，需要根据这些信息合理布局，确保器件的正常安装和使用。

八、总结

onsemi 的 FDMS2D5N08C MOSFET 凭借其低导通电阻、低反向恢复电荷、坚固的封装设计等优点，在多个领域都有广泛的应用前景。电子工程师在进行功率电路设计时，可以充分考虑该器件的特性，以提高系统的性能和可靠性。同时，在使用过程中，一定要注意其绝对最大额定值和各项电气特性，避免因操作不当而损坏器件。大家在实际设计中是否遇到过类似 MOSFET 的选型问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。