深入解析FDMS7650 N - Channel PowerTrench® MOSFET

一、引言

在电子工程领域，MOSFET作为重要的功率器件，广泛应用于各类电路中。今天我们来详细探讨Fairchild（现属于ON Semiconductor）的FDMS7650 N - Channel PowerTrench® MOSFET，看看它有哪些独特的性能和应用场景。

文件下载：FDMS7650-D.pdf

二、产品背景与系统整合

Fairchild已成为ON Semiconductor的一部分。由于系统要求，部分Fairchild可订购的零件编号需要更改，原编号中的下划线（_）将改为破折号（ - ）。大家可通过ON Semiconductor网站（www.onsemi.com）核实更新后的设备编号。若对系统集成有疑问，可发邮件至[e-mail]。

三、FDMS7650 MOSFET特性

（一）基本参数

FDMS7650是一款30 V、267 A、0.99 mΩ的N - Channel MOSFET。在不同的栅源电压和漏极电流条件下，其导通电阻表现出色：

• 在$V{GS}=10 V$，$I{D}=36 A$时，最大$r_{DS(on)} = 0.99 mΩ$。
• 在$V{GS}=4.5 V$，$I{D}=32 A$时，最大$r_{DS(on)} = 1.55 mΩ$。

（二）设计特点

1. 先进的封装与硅片组合：实现了低$r_{DS(on)}$和高效率，有助于提高电路整体性能。
2. MSL1稳健封装设计：增强了器件的可靠性和稳定性。
3. 100% UIL测试：确保了器件在雪崩状态下的可靠性。
4. RoHS合规：符合环保要求。

四、应用场景

FDMS7650适用于多种应用场景，如OringFET和同步整流器等。在DC/DC转换器中，它能有效改善整体效率，减少开关节点振铃，尤其适用于使用同步或传统开关PWM控制器的电路。

五、产品规格

（一）最大额定值

符号	参数	额定值	单位
$V_{DS}$	漏源电压	30	V
$V_{GS}$	栅源电压	±20	V
$I_{D}$	漏极连续电流（$T_{C}=25^{circ}C$）	267	A
	漏极连续电流（$T_{C}=100^{circ}C$）	169	A
	漏极连续电流（$T_{A}=25^{circ}C$）	36	A
	脉冲漏极电流	1210	A
$E_{AS}$	单脉冲雪崩能量	544	mJ
$P_{D}$	功率耗散（$T_{C}=25^{circ}C$）	104	W
	功率耗散（$T_{A}=25^{circ}C$）	2.5	W
$T{J}$，$T{STG}$	工作和存储结温范围	-55 to +150	$^{circ}C$

（二）热特性

符号	参数	数值	单位
$R_{θJC}$	结到外壳的热阻	1.2	$^{circ}C$/W
$R_{θJA}$	结到环境的热阻（$1 in^2$ 2 oz铜焊盘）	50	$^{circ}C$/W

（三）电气特性

1. 关断特性：包括漏源击穿电压、击穿电压温度系数、零栅压漏极电流和栅源泄漏电流等参数。
2. 导通特性：如栅源阈值电压、阈值电压温度系数、静态漏源导通电阻和正向跨导等。
3. 动态特性：涵盖输入电容、输出电容、反向传输电容和栅极电阻等。
4. 开关特性：有导通延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间、总栅极电荷等。
5. 漏源二极管特性：包含源漏二极管正向电压、反向恢复时间和反向恢复电荷等。

六、典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线，如导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、归一化导通电阻与结温的关系等。这些曲线能帮助工程师更好地了解器件在不同条件下的性能表现，在实际设计中合理选择工作点。

七、封装标记与订购信息

器件标记	器件	封装	卷盘尺寸	胶带宽度	数量
FDMS7650	FDMS7650	Power 56	13’’	12 mm	3000 units

八、注意事项

ON Semiconductor提醒用户，产品参数可能会因应用场景不同而有所变化，所有工作参数都需由客户的技术专家针对每个应用进行验证。此外，该产品不适合用于生命支持系统、FDA Class 3医疗设备等关键应用。

大家在使用FDMS7650进行设计时，是否遇到过一些特殊的问题呢？欢迎在评论区分享交流。

以上就是关于FDMS7650 N - Channel PowerTrench® MOSFET的详细解析，希望对电子工程师们在设计电路时有所帮助。