FDMS86104 N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET：优秀性能与广泛应用

一、引言

在电子工程领域，MOSFET作为一种重要的功率器件，其性能直接影响着各类电子设备的运行效率和稳定性。今天我们要介绍的FDMS86104 N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET，是一款具有出色性能和广泛应用前景的产品。

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二、产品背景与变更说明

Fairchild已成为ON Semiconductor的一部分。由于系统要求，部分Fairchild可订购的零件编号需要更改，Fairchild零件编号中的下划线（_）将改为破折号（-），大家可通过ON Semiconductor网站核实更新后的设备编号。

三、产品概述

（一）关键参数

FDMS86104是一款N沟道屏蔽栅功率沟槽MOSFET，具有100V、16A、24mΩ的特性。

（二）产品特性

1. 屏蔽栅MOSFET技术：在(V{GS}=10V)，(I{D}=7A)时，最大(r{DS(on)} = 24mΩ)；在(V{GS}=6V)，(I{D}=5.5A)时，最大(r{DS(on)} = 39mΩ)。
2. 先进的封装与硅片组合：实现低(r_{DS(on)})和高效率。
3. MSL1坚固封装设计：具有良好的可靠性。
4. 100% UIL测试：确保产品质量。
5. RoHS合规：符合环保要求。

（三）工作原理

该MOSFET采用Fairchild Semiconductor先进的PowerTrench®工艺，融入屏蔽栅技术，优化了导通电阻，同时保持了卓越的开关性能。

四、产品参数

（一）最大额定值

符号	参数	条件	额定值	单位
(V_{DS})	漏源电压		100	V
(V_{GS})	栅源电压		±20	V
(I_{D})	漏极连续电流	(T_{C}=25^{circ}C)	16	A
		(T_{A}=25^{circ}C)（注1a）	7	A
	脉冲电流		30	A
(E_{AS})	单脉冲雪崩能量（注3）		96	mJ
(P_{D})	功率耗散	(T_{C}=25^{circ}C)	73	W
		(T_{A}=25^{circ}C)（注1a）	2.5	W
(T{J},T{STG})	工作和存储结温范围		-55至 +150	°C

（二）热特性

符号	参数	条件	数值	单位
(R_{θJC})	结到壳热阻		1.7	°C/W
(R_{θJA})	结到环境热阻	（注1a）	50	°C/W

（三）电气特性

1. 关断特性：如(BV{DSS})（漏源击穿电压）、(Delta BV{DSS}/Delta T_{J})（击穿电压温度系数）等。
2. 导通特性：包括(V{GS(th)})（栅源阈值电压）、(r{DS(on)})（静态漏源导通电阻）等。
3. 动态特性：如(C{iss})（输入电容）、(C{oss})（输出电容）等。
4. 开关特性：包含(t{d(on)})（导通延迟时间）、(t{r})（上升时间）等。
5. 漏源二极管特性：如(V{SD})（源漏二极管正向电压）、(t{rr})（反向恢复时间）等。

五、典型特性曲线分析

（一）导通区域特性

不同(V{GS})下，漏极电流(I{D})随漏源电压(V_{DS})的变化曲线，反映了MOSFET在导通区域的性能。

（二）归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压关系

展示了不同(V_{GS})下，归一化导通电阻随漏极电流的变化情况，有助于工程师选择合适的工作点。

（三）归一化导通电阻与结温关系

体现了结温对导通电阻的影响，在实际应用中需要考虑结温变化对性能的影响。

（四）导通电阻与栅源电压关系

明确了导通电阻随栅源电压的变化规律，为设计提供参考。

（五）转移特性

不同结温下，漏极电流(I{D})随栅源电压(V{GS})的变化曲线，反映了MOSFET的放大特性。

（六）源漏二极管正向电压与源电流关系

展示了源漏二极管正向电压随源电流的变化情况，对于二极管的使用有指导意义。

（七）栅极电荷特性

不同(V{DD})下，栅极电荷(Q{g})与栅源电压(V_{GS})的关系，影响开关速度。

（八）电容与漏源电压关系

电容随漏源电压的变化曲线，对电路的高频性能有影响。

（九）非钳位电感开关能力

不同结温下，雪崩电流(I{AS})随雪崩时间(t{AV})的变化曲线，体现了MOSFET的抗雪崩能力。

（十）最大连续漏极电流与环境温度关系

明确了在不同环境温度下，MOSFET能够承受的最大连续漏极电流，有助于散热设计。

（十一）正向偏置安全工作区

展示了MOSFET在不同脉冲宽度和漏源电压下的安全工作范围，避免器件损坏。

（十二）单脉冲最大功率耗散

体现了MOSFET在单脉冲情况下的功率耗散能力。

（十三）结到环境瞬态热响应曲线

反映了MOSFET在不同占空比和脉冲持续时间下的热响应情况。

（十四）功率与壳温关系

明确了功率耗散与壳温的关系，对于散热设计至关重要。

六、封装与订购信息

器件标记	器件	封装	卷盘尺寸	胶带宽度	数量
FDMS86104	FDMS86104	Power 56	13’’	12mm	3000单位

七、应用领域

FDMS86104适用于DC - DC转换等领域。在实际应用中，工程师需要根据具体的电路要求和性能指标，合理选择和使用该MOSFET。

八、注意事项

1. ON Semiconductor保留对产品进行更改的权利，且不做进一步通知。
2. 产品不适合用于生命支持系统、FDA Class 3医疗设备等关键应用。
3. 买家需负责其使用ON Semiconductor产品的产品和应用，包括遵守所有法律法规和安全要求。

大家在使用FDMS86104 MOSFET时，是否遇到过一些特殊的问题或者有独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享交流。