深入解析FDMS7698 N-Channel PowerTrench® MOSFET

在电子设计领域，MOSFET作为关键器件，其性能直接影响整个电路的效率和稳定性。今天，我们就来详细解析一款颇有特色的N沟道MOSFET——FDMS7698。

文件下载：FDMS7698-D.pdf

一、公司背景与型号变更说明

Fairchild已成为ON Semiconductor的一部分。由于系统要求，部分Fairchild可订购的零件编号需要更改，特别是带有下划线（_）的编号将改为短横线（-）。大家可以访问ON Semiconductor的网站（www.onsemi.com ）来核实更新后的器件编号。

二、FDMS7698 MOSFET概述

（一）基本参数

FDMS7698是一款N沟道PowerTrench® MOSFET，具备30 V电压、22 A电流和10 mΩ电阻的特性。

（二）主要特性

1. 低导通电阻：在(V{GS}=10 V)、(I{D}=13.5 A)时，最大(r{DS(on)} =10 m Omega)；在(V{GS}=4.5 V)、(I{D}=11.0 A)时，最大(r{DS(on)} =15 m Omega)。这种低导通电阻有助于降低功耗，提高系统效率。
2. 先进封装与硅片组合：实现了低(r_{DS(on)})和高效率，为电路设计带来更好的性能表现。
3. 下一代增强型体二极管技术：经过精心设计，具有软恢复特性，能有效减少开关损耗和电磁干扰。
4. MSL1鲁棒封装设计：使得器件在不同环境下具有更高的可靠性。
5. 100% UIL测试：保证了器件在雪崩情况下的稳定性。
6. 符合RoHS标准：满足环保要求。

三、应用领域

FDMS7698主要用于提高DC/DC转换器的整体效率，并减少开关节点振铃。以下是其具体的应用场景：

1. 笔记本电脑IMVP Vcore开关：能为笔记本电脑的电源管理提供高效稳定的解决方案。
2. 台式机和服务器VRM Vcore开关：确保电脑主机在高负载运行时电源供应的稳定性。
3. OringFET / 负载开关：在负载切换过程中发挥重要作用。
4. DC - DC转换：实现不同电压之间的高效转换。

四、电气参数与特性曲线

（一）最大额定值

在(T_{A}=25^{circ} C)条件下，该器件的主要最大额定值如下：	参数	符号	数值	单位
漏源电压	(V_{DS})	30	V
栅源电压	(V_{GS})（注4）	±20	V
连续漏极电流（封装限制）	(I{D}) ((T{C} = 25 °C))	22	A
连续漏极电流（硅片限制）	(I{D}) ((T{C} = 25 °C))	44	A
连续漏极电流 ((T_{A} = 25 °C)，注1a)	(I_{D})	13.5	A
脉冲漏极电流	(I_{D})	50	A
单脉冲雪崩能量 ((E_{AS})，注3)	-	29	mJ
功率耗散 ((P{D})) ((T{C} = 25 °C))	-	29	W
功率耗散 ((P{D})) ((T{A} = 25 °C)，注1a)	-	2.5	W
工作和存储结温范围	(T{J})，(T{STG})	-55 至 +150	°C

（二）热特性

器件的热特性对于其可靠性至关重要，这里给出两个关键参数：	参数	符号	数值	单位
结到壳的热阻	(R_{θJC})	4.4	°C/W
结到环境的热阻	(R_{θJA})（注1a）	50	°C/W

（三）电气特性

文档中详细给出了多项电气特性参数，包括关断特性、导通特性、动态特性、开关特性以及漏源二极管特性等。例如：

• 关断特性：如漏源击穿电压(BV{DSS})在(I{D} = 250 μ A)、(V_{GS} = 0 V)时为30 V。
• 导通特性：栅源阈值电压(V{GS(th)})在(V{GS} = V{DS})、(I{D} = 250 μ A)时，范围为1.0 - 3.0 V。

（四）典型特性曲线

文档中提供了多幅典型特性曲线，直观地反映了器件在不同条件下的性能表现。比如，“On - Region Characteristics”曲线展示了不同栅源电压下的漏极电流与漏源电压的关系；“Normalized On - Resistance vs Drain Current and Gate Voltage”曲线则呈现了归一化导通电阻与漏极电流和栅源电压的关系。这些曲线有助于工程师更好地理解器件的工作特性，从而进行合理的电路设计。

五、封装标记与订购信息

器件标记	器件	封装	卷盘尺寸	带宽	数量
FDMS7698	FDMS7698	Power 56	13’’	12 mm	3000 units

通过以上对FDMS7698 N - Channel PowerTrench® MOSFET的详细解析，相信大家对这款器件有了更深入的了解。在实际应用中，大家可以根据具体的电路需求，结合这些特性和参数，充分发挥该器件的性能优势。你在使用类似MOSFET器件时，有没有遇到过什么独特的问题呢？欢迎在评论区分享。