FDMS86350ET80 N沟道PowerTrench MOSFET：性能卓越的电子器件

一、引言

在电子工程师的日常设计工作中，选择合适的MOSFET至关重要。今天要介绍的FDMS86350ET80 N沟道PowerTrench MOSFET，是一款性能出色的器件，在众多应用场景中都能发挥重要作用。

文件下载：FDMS86350ET80CN-D.pdf

二、公司背景与产品编号变更

这款MOSFET原本属于飞兆半导体公司，现在飞兆半导体已被安森美半导体（ON Semiconductor）整合。由于安森美半导体的产品管理系统无法处理带有下划线（）的部件命名，所以飞兆部分可订购的部件编号中的下划线（）将更改为破折号（-）。大家可通过安森美半导体官网（www.onsemi.com）核实更新后的器件编号。

三、产品特性

（一）温度特性

该MOSFET扩展额定TJ至175°C，这使得它在高温环境下也能稳定工作，大大拓宽了其应用范围。在一些对温度要求较高的工业或汽车电子应用中，这种高温稳定性就显得尤为重要。

（二）低导通电阻

最大值 (r{DS(on)}=2.4mOmega)（(V{GS}=10 V)，(I{D}=25 A) ），最大值 (r{DS(on)}=3.2 mOmega)（(V{GS}=8 V)，(I{D}=22 A) ）。低导通电阻意味着在导通状态下，器件的功率损耗较小，能够提高整个电路的效率，降低发热。这对于追求高效节能的设计来说是非常关键的特性。

（三）封装优势

采用低 (r_{DS(on)}) 和高效的先进硅封装，MSL1耐用封装设计。这种封装不仅能有效降低导通电阻，还具有良好的耐用性，能够保证器件在长期使用过程中的稳定性。同时，100%经过UIL测试，符合RoHS标准，这表明产品在质量和环保方面都有可靠的保障。

四、产品概述

FDMS86350ET80采用Fairchild先进的PowerTrench工艺生产。该工艺专为最大限度地降低通态阻抗并保持卓越的开关性能而定制。这意味着在实际应用中，该MOSFET能够快速、高效地进行开关操作，减少信号延迟和失真，提高电路的响应速度。

五、应用领域

（一）初级端MOSFET

在电源电路中，初级端MOSFET起着关键的开关作用。FDMS86350ET80的低导通电阻和卓越的开关性能，能够有效降低电源损耗，提高电源效率。

（二）同步整流器

同步整流技术可以提高电源的效率，FDMS86350ET80的特性使其非常适合作为同步整流器使用，能够减少整流过程中的能量损耗。

（三）负载开关

在需要对负载进行快速开关控制的电路中，FDMS86350ET80能够快速响应，实现对负载的精确控制。

（四）电机控制开关

在电机控制电路中，需要快速、准确地控制电机的启动、停止和调速。FDMS86350ET80的高性能能够满足电机控制的要求，保证电机的稳定运行。

六、电气特性

（一）关断特性

• 漏极 - 源极击穿电压 (BV{DSS}) 为80V（(I{D} = 250 μA)，(V_{GS} = 0 V) ），这表明该器件能够承受较高的电压，保证在高压环境下的安全运行。
• 零栅极电压漏极电流 (I{DSS}) 非常小，仅为1μA（(V{DS} = 64 V)，(V_{GS} = 0 V) ），这意味着在关断状态下，器件的漏电流很小，能够有效降低功耗。

（二）导通特性

• 栅源极阀值电压 (V{GS(th)}) 在2.5 - 4.5V之间（(V{GS} = V{DS})，(I{D} = 250 μA) ），这决定了器件开始导通的条件。
• 漏极至源极静态导通电阻 (r_{DS(on)}) 随着栅源极电压和漏极电流的变化而变化，在不同的工作条件下，能够保持较低的导通电阻，提高电路效率。

（三）动态特性

• 输入电容 (C{iss})、输出电容 (C{oss}) 和反向传输电容 (C_{rss}) 等参数，反映了器件在动态工作过程中的电容特性，这些参数对于电路的高频性能有重要影响。
• 导通延迟时间 (t{d(on)})、上升时间 (t{r})、关断延迟时间 (t{d(off)}) 和下降时间 (t{f}) 等开关特性参数，决定了器件的开关速度，对于需要快速开关的应用场景非常关键。

（四）漏极 - 源极二极管特性

源极 - 漏极二极管正向电压 (V{SD}) 在不同的电流条件下有不同的值，反向恢复时间 (t{rr}) 和反向恢复电荷 (Q_{rr}) 等参数，对于二极管的反向恢复特性有重要影响，在一些需要二极管快速恢复的电路中需要重点关注。

七、热性能

结点 - 壳体的热阻和结至环境热阻等热性能参数，对于器件的散热设计非常重要。在实际应用中，需要根据这些参数合理设计散热方案，保证器件在正常工作温度范围内运行。

八、总结

FDMS86350ET80 N沟道PowerTrench MOSFET以其卓越的性能、先进的工艺和广泛的应用领域，成为电子工程师在设计电路时的理想选择。在实际应用中，我们需要根据具体的电路要求，合理选择和使用该器件，充分发挥其优势。同时，也要注意器件的各项参数和使用条件，确保电路的稳定性和可靠性。大家在使用这款器件的过程中，有没有遇到过什么问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享交流。